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EEPW首頁(yè) >> 主題列表 >> 功率附加效率

一種基于LDMOS器件結(jié)構(gòu)優(yōu)化提升功率放大器功率附加效率 的方法

  • 　　吳錦帆（電子科技大學(xué)電子科學(xué)與工程學(xué)院??四川??成都??610054）　　摘?要：本文介紹了一種通過(guò)改進(jìn)LDMOS的器件結(jié)構(gòu)，提升以LDMOS搭建的功率放大器的功率附加效率大信號(hào)指標(biāo)的方法。在器件仿真環(huán)境中，通過(guò)對(duì)LDMOS的漂移區(qū)進(jìn)行結(jié)構(gòu)優(yōu)化，提升器件的小信號(hào)增益，然后利用器件等效建模技術(shù)，在電路仿真環(huán)境中，搭建出功率放大器進(jìn)行大信號(hào)仿真，在相同的工作條件下功率附加效率提升了約5%左右。　　關(guān)鍵詞：LDMOS；功率放大器；功率附加效率　　0 引言　　橫向雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管（RFLDMO
  • 關(guān)鍵字： 202006  LDMOS  功率放大器  功率附加效率  
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功率附加效率介紹

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