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實(shí)驗(yàn)室化合物結(jié)構(gòu)測(cè)定之紫外可見(jiàn)吸收光譜法簡(jiǎn)介

紫外可見(jiàn)吸收光譜法是基于在200nm-800nm光譜區(qū)域內(nèi)測(cè)定物質(zhì)的吸收光譜或在某指定波長(zhǎng)處的吸光度值，對(duì)物...
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為了進(jìn)一步推動(dòng)在化合物半導(dǎo)體領(lǐng)域的發(fā)展，NEC電子近日公布了在該領(lǐng)域的發(fā)展戰(zhàn)略及相應(yīng)的措施。NEC電子的化合物半導(dǎo)體業(yè)務(wù)主要包括以GaAs等化合物及硅為材料的光半導(dǎo)體及微波半導(dǎo)體。 NEC電子此次公布的化合物半導(dǎo)體業(yè)務(wù)發(fā)展主要將發(fā)展重點(diǎn)集中在今后將會(huì)出現(xiàn)高速增長(zhǎng)的光耦及GaAs開(kāi)關(guān)IC等產(chǎn)品領(lǐng)域，以期望通過(guò)開(kāi)拓此類領(lǐng)域，擴(kuò)大在化合物半導(dǎo)體領(lǐng)域的發(fā)展。NEC電子期望在此兩類市場(chǎng)中NEC電子的份額均能達(dá)到世界第一。為了實(shí)現(xiàn)該目標(biāo)，NEC電子將在今后的1--2年內(nèi)相繼推出10款光耦產(chǎn)品及20款GaAs開(kāi)關(guān)IC；
關(guān)鍵字：消費(fèi)電子 NEC 化合物半導(dǎo)體

　　使用化合物半導(dǎo)體取代主流結(jié)晶硅的太陽(yáng)能電池面板的量產(chǎn)消息接連不斷。本田近日正式宣布，2007年年產(chǎn)規(guī)模達(dá)27.5MW的新工廠將投入生產(chǎn)（發(fā)布資料）。昭和殼牌石油也宣布，2007年1月投入量產(chǎn)。　　該公司2005年底開(kāi)始在宮崎縣田野町尾脅高新技術(shù)工業(yè)園區(qū)建設(shè)太陽(yáng)能電池量產(chǎn)廠，計(jì)劃2007年1月開(kāi)工投產(chǎn)。年產(chǎn)量為20MW。由于目前主流的結(jié)晶硅太陽(yáng)能電池原料——多晶硅材料日趨匱乏，因此今后準(zhǔn)備量產(chǎn)有望成為替代性能源的化合物半導(dǎo)體太陽(yáng)能電池。　　發(fā)電層厚度為結(jié)晶硅型的1/50～1/
關(guān)鍵字：半導(dǎo)體化合物太陽(yáng)能

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