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EEPW首頁 >> 主題列表 >> 晶格缺陷

發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)及技術(shù)

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晶格缺陷介紹

　　晶格缺陷【crystal defects】 　　在實(shí)際的晶體中，由于晶體形成條件、原子的熱運(yùn)動(dòng)及其它條件的影響，原子的排列不可能那樣完整和規(guī)則，往往存在偏離了理想晶體結(jié)構(gòu)的區(qū)域。這些與完整周期性點(diǎn)陣結(jié)構(gòu)的偏離就是晶體中的缺陷，它破壞了晶體的對(duì)稱性。 　　缺陷對(duì)晶體的物理性質(zhì)具有極其重要的影響，可分為面缺陷、線缺陷和點(diǎn)缺陷三種。其中晶粒間界、堆垛層錯(cuò)和孿晶間界屬于面缺陷，晶粒間界指多晶體中晶 [ 查看詳細(xì) ]

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