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電容的簡(jiǎn)化模型分析

  • 為了分析方便，在實(shí)際的分析應(yīng)該中經(jīng)常使用由串聯(lián)等效電阻ESR、串聯(lián)等效電感ESL、電容組成的
    RLC模型。因?yàn)閷?duì)電容的高頻特性影響最大的則是ESR和ESL，我們通常采用下圖中簡(jiǎn)化的實(shí)際模型進(jìn)行分析：上式就是電容的容抗
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運(yùn)用負(fù)反饋模型分析實(shí)際運(yùn)算放大器電路

  • O．引言
    大多數(shù)運(yùn)算放大器電路都是工作在深度負(fù)反饋狀態(tài)，我們?cè)诜治龃祟愲娐窌r(shí)常采用運(yùn)算放大器的理想化模型(即利用虛短虛斷技術(shù))，而事實(shí)上這種理想化模型忽略了運(yùn)算放大器開(kāi)環(huán)增益，輸入輸出電阻的非理想化給
  • 關(guān)鍵字： 負(fù)反饋  模型分析  運(yùn)算放大器電路    
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模型分析介紹

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