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EEPW首頁(yè) >> 主題列表 >> 氮化硅

SiN市場(chǎng)值得持續(xù)投資

  • 作為安裝在電動(dòng)汽車等功率半導(dǎo)體模塊上的絕緣基板，氮化硅（SiN）基板的市場(chǎng)正在火熱發(fā)展。電動(dòng)汽車內(nèi)部軸承的需求正在迅速增加，相關(guān)公司也在應(yīng)對(duì)產(chǎn)量的增加。SiN產(chǎn)品的導(dǎo)熱性不如傳統(tǒng)功率半導(dǎo)體模塊所采用的氧化鋁（AL）和氮化鋁（AlN），但它非常堅(jiān)韌，既使施加諸如振動(dòng)或功率循環(huán)等急劇的負(fù)荷的情況下，它也具有優(yōu)異的長(zhǎng)期可靠性。該行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)已被確立為全標(biāo)準(zhǔn)電動(dòng)汽車電源模塊的絕緣基底。供應(yīng)鏈的重點(diǎn)是日資企業(yè)。原材料中有DENKA和Ube，但日本精細(xì)陶瓷的存在也引起了人們的注意，日本精細(xì)陶瓷已經(jīng)建立了自己的制造方法。在
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新一代芯片絕緣體號(hào)稱性能超越氮化硅

  • 　　IBM在近日于美國(guó)矽谷舉行的年度IEEE國(guó)際可靠度物理研討會(huì)(International Reliability Physics Symposium，IRPS)上發(fā)表了新型絕緣體，該種材料有兩種型態(tài)──氮碳化矽硼(SiBCN)以及氮碳氧化矽(SiOCN)，號(hào)稱兩者都能讓芯片性能與良率有所提升。 　　此外IBM還展示了如何在線路之間填充SiBCN或SiOCN，來(lái)建立線邊緣粗糙度(line edge roughness，LER)變異的模型，以及透過(guò)預(yù)先篩選芯片測(cè)試達(dá)到更有效量測(cè)故障率、讓芯片性能最佳化的
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羅杰斯公司推出新型氮化硅陶瓷基板

  • 羅杰斯公司于近日推出了新款 curamik(R)系列氮化硅 (Si3N4) 陶瓷基板。由于氮化硅的機(jī)械強(qiáng)度比其它陶瓷高，所以新款curamik(R) 基板能夠幫助設(shè)計(jì)者在嚴(yán)苛的工作環(huán)境以及 HEV/EV 和其它可再生能源應(yīng)用條件下實(shí)現(xiàn)至關(guān)重要的長(zhǎng)壽命。
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氮化硅介紹

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