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EEPW首頁(yè) >> 主題列表 >> 空洞率

子單元長(zhǎng)期存放對(duì)焊接質(zhì)量的影響*

  • 長(zhǎng)期進(jìn)行IGBT器件焊接封裝發(fā)現(xiàn)，IGBT器件封裝所用關(guān)鍵部件子單元的存放時(shí)間長(zhǎng)短對(duì)焊接空洞影響較大，本文分別對(duì)兩批存放時(shí)間差別較大的子單元進(jìn)行封裝，通過(guò)實(shí)驗(yàn)對(duì)比兩批產(chǎn)品的空洞率，結(jié)果表明存放時(shí)間較短的子單元焊接的IGBT器件空洞率明顯偏小，從而提高了IGBT器件的可靠性。
  • 關(guān)鍵字： IGBT  焊接  封裝  空洞率  子單元  202201  

IGBT模塊封裝底板的氧化程度對(duì)焊接空洞率的影響分析

  • 本文簡(jiǎn)介了IGBT模塊的主要封裝工藝流程，并在相同的實(shí)驗(yàn)條件下，對(duì)兩組不同氧化程度的模塊分別進(jìn)行超聲波無(wú)損檢測(cè)掃描，將掃描圖像載入空洞統(tǒng)計(jì)分析軟件，通過(guò)對(duì)比兩組空洞率數(shù)據(jù)發(fā)現(xiàn)：非氧化底板焊接空洞率較低，氧化底板的焊接空洞率普遍偏大?；诒緦?shí)驗(yàn)的結(jié)果，本文建議IGBT模塊在封裝之前，應(yīng)對(duì)散熱底板做好防腐處理，以確保底板不被氧化。
  • 關(guān)鍵字： IGBT  底板  氧化  空洞率  超聲波檢測(cè)  201605  
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空洞率介紹

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