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傳蘋果與美光、塔塔集團(tuán)洽談將采購120億美元印度生產(chǎn)芯片

  • 據(jù)印度媒體報導(dǎo)，蘋果正在與美光科技、塔塔集團(tuán)和其他印度芯片制造商，討論為其本地生產(chǎn)的iPhone 采購半導(dǎo)體。根據(jù)報導(dǎo)，蘋果計劃到2026 年，將其全球26% 的iPhone 生產(chǎn)轉(zhuǎn)移到印度，屆時對當(dāng)?shù)匕雽?dǎo)體的需求預(yù)計將達(dá)到120 億美元。如果美光和塔塔集團(tuán)的部門，到時候能夠生產(chǎn)出所需等級的產(chǎn)品，他們就可以從蘋果這家全球最大的公司獲得大量業(yè)務(wù)。蘋果在印度制造的微芯片上的支出可能超過國防、航空和汽車領(lǐng)域任何其他一家公司。 2024 財年，蘋果在印度生產(chǎn)了價值140 億美元的iPhone，占其全球iPhone
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面向數(shù)據(jù)中心和AI熱門市場 美光推出多類SSD產(chǎn)品

  • 隨著數(shù)據(jù)中心特別是AIGC相關(guān)的數(shù)據(jù)密集型應(yīng)用場景對于大容量高性能存儲的需求越來越高，存儲器產(chǎn)品的更新?lián)Q代成為數(shù)據(jù)存儲市場競爭中的必然趨勢。近日，美光科技接連發(fā)布在SSD方面的多個量產(chǎn)信息，重點(diǎn)滿足數(shù)據(jù)中心和AI相關(guān)應(yīng)用對高性能SSD產(chǎn)品的最新需求。 在數(shù)據(jù)中心應(yīng)用方面，美光推出首款PCIe 5.0數(shù)據(jù)中心SSD—— 9550 SSD，專為高性能細(xì)分市場打造，在美光的產(chǎn)品組合中扮演著提供卓越數(shù)據(jù)中心SSD性能的角色，并吸引了眾多云和企業(yè)客戶。人工智能市場的興起，對SSD的性能提出了更高要求，同時提升數(shù)據(jù)中
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美光將在中國臺灣加碼投資，或聚焦HBM

  • 行業(yè)人士消息，美光總裁暨CEO Sanjay Mehrotra在今年7月訪問中國臺灣，將帶來更進(jìn)一步合作，例如在人工智能（AI）應(yīng)用扮演重要角色的高帶寬存儲器（HBM）。據(jù)悉，美光將加碼在中國臺灣投資，除制造HBM先進(jìn)制程外，不排除有機(jī)會在中國臺灣創(chuàng)建第二個研發(fā)中心。據(jù)悉，中國臺灣經(jīng)濟(jì)部門于2021年5月申請領(lǐng)航企業(yè)研發(fā)深耕計劃（大A+），提出DRAM先進(jìn)技術(shù)暨高帶寬存儲器研發(fā)領(lǐng)航計劃，在中國臺灣設(shè)立第一個研發(fā)中心，獲補(bǔ)助47億元新臺幣，將研發(fā)先進(jìn)制程落腳在中國臺灣生產(chǎn)。2021年，美光在中國臺灣申請
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美光宣布量產(chǎn)第九代NAND閃存技術(shù)產(chǎn)品

  • 美光科技股份有限公司近日宣布，其采用第九代（G9）TLC NAND技術(shù)的?SSD?產(chǎn)品已開始出貨，成為業(yè)界首家實(shí)現(xiàn)這一里程碑的廠商之一。美光?G9 NAND?技術(shù)具備高達(dá)?3.6 GB/s?的數(shù)據(jù)傳輸速率，提供卓越的數(shù)據(jù)讀寫帶寬。該項(xiàng)?NAND?新技術(shù)為人工智能（AI）及其他數(shù)據(jù)密集型應(yīng)用場景帶來出色的性能，適用于個人設(shè)備、邊緣服務(wù)器、企業(yè)和云數(shù)據(jù)中心。美光技術(shù)和產(chǎn)品執(zhí)行副總裁?Scott DeBoer?表
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美光推出全新數(shù)據(jù)中心SSD，性能業(yè)界領(lǐng)先

  • 美光科技股份有限公司近日宣布，推出數(shù)據(jù)中心?SSD?產(chǎn)品美光?9550 NVMe? SSD，性能業(yè)界領(lǐng)先，同時具備卓越的?AI?工作負(fù)載性能及能效。美光?9550 SSD?集成了自有的控制器、NAND、DRAM?和固件，彰顯了美光深厚的專業(yè)知識和創(chuàng)新能力。該款集成解決方案為數(shù)據(jù)中心運(yùn)營商帶來了業(yè)界領(lǐng)先的性能、能效和安全性。美光?9550 SSD?憑借?14.0 GB/s?的順序讀取速率和
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長江存儲再度“亮劍”，在美國起訴美光侵犯其 11 項(xiàng)專利

  • IT之家 7 月 22 日消息，據(jù)外媒 Tomshardware 報道，中國 3D NAND 閃存制造商長江存儲，日前再次將美光告上法院，在美國加州北區(qū)指控美光侵犯了長江存儲的 11 項(xiàng)專利，涉及 3D NAND Flash 和 DRAM 產(chǎn)品。長江存儲還要求法院命令美光停止在美國銷售侵權(quán)的存儲產(chǎn)品，并支付專利使用費(fèi)。長江存儲指控稱，美光的 96 層（B27A）、128 層（B37R）、176 層（B47R）和 232 層（B58R）3D NAND Flash，以及美光的一些 DDR5 SDRA
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美光新內(nèi)存模塊 開始送樣

  • 美光18日宣布，該公司多重存取雙列直插式內(nèi)存模塊（MRDIMM）開始送樣，針對內(nèi)存需求高達(dá)每DIMM 插槽128GB以上的應(yīng)用，其效能更勝目前的硅晶穿孔型（TSV）RDIMM。光第一代MRDIMM，與IntelR XeonR 6處理器兼容。美光MRDIMM現(xiàn)已上市，將于2024年下半年開始大量出貨。 美光指出，開始送樣的內(nèi)存是美光MRDIMM系列的第一代產(chǎn)品，實(shí)現(xiàn)最高帶寬、最大容量、最低延遲，以及更高的每瓦效能，加速內(nèi)存密集型如虛擬化多租戶、HPC和AI數(shù)據(jù)中心等的工作負(fù)載。美光副總裁暨運(yùn)算產(chǎn)品事業(yè)群總經(jīng)
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美光首款M.2 2230 PCIe 4.0 SSD推出

  • 美光宣布旗下消費(fèi)級品牌英睿達(dá)推出新款固態(tài)硬盤P310，這也是其首款M.2 2230 PCIe 4.0 SSD，將SSD帶到了最小尺寸的M.2規(guī)格上。據(jù)悉，此次發(fā)布的P310系列，精心準(zhǔn)備了1TB與2TB兩種大容量選項(xiàng)，以滿足不同用戶的存儲需求。其核心搭載了美光自主研發(fā)、業(yè)界領(lǐng)先的232層3D QLC NAND閃存技術(shù)，這一創(chuàng)新不僅大幅提升了存儲密度，更在性能上實(shí)現(xiàn)了質(zhì)的飛躍。具體而言，P310的順序讀取速度高達(dá)7100 MB/s，順序?qū)懭胨俣纫策_(dá)到了驚人的6000 MB/s，同時，在4K隨機(jī)讀寫測試中，分
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美光MRDIMM創(chuàng)新技術(shù)打造最高性能、低延遲主存，為數(shù)據(jù)中心工作負(fù)載加速

  • 美光科技股份有限公司近日宣布，已出樣多路復(fù)用雙列直插式內(nèi)存模塊（MRDIMM）。該款?MRDIMM?將賦能美光客戶應(yīng)對日益繁重的工作負(fù)載，從而最大化計算基礎(chǔ)設(shè)施的價值。對于需要每個?DIMM?插槽內(nèi)存超過?128GB?的應(yīng)用，美光?MRDIMM?提供最高帶寬、最大容量、最低延遲以及更高的每瓦性能，在加速內(nèi)存密集型虛擬化多租戶、高性能計算和?AI?數(shù)據(jù)中心工作負(fù)載方面，表現(xiàn)優(yōu)于當(dāng)前的?TSV RDI
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HBM排擠效應(yīng) DRAM漲勢可期

  • 近期在智慧手機(jī)、PC、數(shù)據(jù)中心服務(wù)器上，用于暫時儲存數(shù)據(jù)的DRAM價格漲勢停歇，買家拉貨不積極，影響DRAM報價漲勢。 業(yè)者期待，SK海力士、三星及美光前三大廠HBM產(chǎn)能增開，對一般型DRAM產(chǎn)生的排擠效應(yīng)，加上產(chǎn)業(yè)旺季來臨，可帶動DRAM重啟漲勢。 據(jù)了解，6月指針性產(chǎn)品DDR4 8GB合約價約2.10美元、容量較小的4GB合約價1.62美元左右，表現(xiàn)持平，主要是供需雙方對價格談判，呈現(xiàn)拉鋸狀況。而另一方面，三星新一代HBM3E，據(jù)傳有望通過輝達(dá)（NVIDIA）認(rèn)證，輝達(dá)GB200將于2025年放量，其
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全球三大廠HBM沖擴(kuò)產(chǎn) 明年倍增

  • AI應(yīng)用熱！SK海力士、三星及美光等全球前三大內(nèi)存廠，積極投入高帶寬內(nèi)存（HBM）產(chǎn)能擴(kuò)充計劃，市場人士估計，2025年新增投片量約27.6萬片，總產(chǎn)能拉高至54萬片，年增105％。 HBM是AI芯片占比最高的零組件，根據(jù)外媒拆解，英偉達(dá)H100近3,000美元成本，SK海力士HBM成本就占2,000美元，超過生產(chǎn)封裝。HBM經(jīng)歷多次迭代發(fā)展，進(jìn)入第四代HBM3和第五代HBM3E，AI芯片相繼采用HBM3E，SK海力士在2023年基本上是壟斷HBM3市場，而2024年HBM3與HBM3E訂單都滿載。美光2
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美光發(fā)布2024年可持續(xù)發(fā)展報告，聚焦進(jìn)展與長期愿景

  • 全球內(nèi)存與存儲解決方案領(lǐng)先供應(yīng)商 Micron Technology Inc.（美光科技股份有限公司）近日發(fā)布了2024 年可持續(xù)發(fā)展報告，詳細(xì)介紹了美光在可持續(xù)發(fā)展方面的進(jìn)展，彰顯了其屢獲殊榮的可持續(xù)發(fā)展成果，并進(jìn)一步強(qiáng)化了對可持續(xù)發(fā)展和前沿技術(shù)的承諾。美光總裁兼首席執(zhí)行官 Sanjay Mehrotra 表示：“美光正在助推技術(shù)進(jìn)步，這將在未來幾年創(chuàng)造新的重大機(jī)遇。2024 年可持續(xù)發(fā)展報告彰顯了我們當(dāng)前的承諾和未來的雄心，即通過技術(shù)惠及我們的社區(qū)和地球。通過不懈努力，我們已經(jīng)取得了穩(wěn)步進(jìn)展，我期待公
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什么是GDDR7內(nèi)存——有關(guān)即將推出的圖形VRAM技術(shù)

  • 什么是 GDDR7 內(nèi)存？它是用于 GPU 的下一代圖形內(nèi)存，例如即將推出的 Nvidia Blackwell RTX 50 系列。它將在未來幾年內(nèi)用于各種產(chǎn)品，為現(xiàn)有的 GDDR6 和 GDDR6X 解決方案提供代際升級，從而提高游戲和其他類型的工作負(fù)載的性能。但這個名字下面還有很多事情要做。自從第二代GDDR內(nèi)存（用于“圖形雙倍數(shù)據(jù)速率”）推出以來，這種模式就非常清晰。GDDR（前身為 DDR SGRAM）早在 1998 年就問世了，每隔幾年就會有新的迭代到來，擁有更高的速度和帶寬。當(dāng)前一代
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美光愛達(dá)荷與紐約晶圓廠預(yù)計分別于2027、2028年投產(chǎn)

  • 日前，美光（Micron）舉行2024年Q3財報電話會議。美光總裁兼首席執(zhí)行官Sanjay Mehrotra在報告中提到，其位于愛達(dá)荷州博伊西的晶圓廠預(yù)計將于2027財年投入運(yùn)營，而紐約州的克萊晶圓廠則預(yù)計將在2028財年或之后開始生產(chǎn)。2022年，美光曾宣布擬于未來20年投資1000億美元，在紐約州克萊建設(shè)大型晶圓廠項(xiàng)目。其中包含2座晶圓廠的首階段項(xiàng)目將耗資200億美元，定于2029年投運(yùn)。此外，美光還計劃未來在紐約州克萊再建設(shè)兩座晶圓廠，目標(biāo)2041年投運(yùn)。同年，美光還宣布計劃在10年內(nèi)投資150億美
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傳ASMPT與美光聯(lián)合開發(fā)下一代HBM4鍵合設(shè)備

  • 據(jù)韓媒報道，韓國后端設(shè)備制造商 ASMPT 已向美光提供了用于高帶寬內(nèi)存 (HBM) 生產(chǎn)的演示熱壓 (TC) 鍵合機(jī)。雙方已開始聯(lián)合開發(fā)下一代鍵合機(jī)，用于HBM4生產(chǎn)。根據(jù)報道，美光還從日本新川半導(dǎo)體和韓美半導(dǎo)體采購TC鍵合機(jī)，用于生產(chǎn)HBM3E，于今年4月向韓美半導(dǎo)體提供了價值226億韓元的TC Bonder采購訂單。據(jù)透露，美光正在使用熱壓非導(dǎo)電薄膜 (TC-NCF) 工藝制造 HBM3E，該種工藝很可能會在下一代產(chǎn)品 HBM4 中采用。HBM4 16H產(chǎn)品正在考慮使用混合鍵合。此外，目前美光最大的
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美光介紹

　美光科技有限公司（以下簡稱美光科技）是全球最大的半導(dǎo)體儲存及影像產(chǎn)品制造商之一，其主要產(chǎn)品包括DRAM、NAND閃存和CMOS影像傳感器。美光科技先進(jìn)的產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于移動、計算機(jī)、服務(wù)、汽車、網(wǎng)絡(luò)、安防、工業(yè)、消費(fèi)類以及醫(yī)療等領(lǐng)域，為客戶在這些多樣化的終端應(yīng)用提供“針對性”的解決方案。 　　美光科技有限公司（Micron Technology, Inc.）是高級半導(dǎo)體解決方案的全球領(lǐng)先供應(yīng)商之 [ 查看詳細(xì) ]

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