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EEPW首頁(yè) >> 主題列表 >> 雪崩

輕松了解功率MOSFET的雪崩效應(yīng)

  • 在關(guān)斷狀態(tài)下，功率MOSFET的體二極管結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì)是為了阻斷最小漏極-源極電壓值。MOSFET體二極管的擊穿或雪崩表明反向偏置體二極管兩端的電場(chǎng)使得漏極和源極端子之間有大量電流流動(dòng)。典型的阻斷狀態(tài)漏電流在幾十皮安到幾百納安的數(shù)量級(jí)。根據(jù)電路條件不同，在雪崩、MOSFET漏極或源極中，電流范圍可從微安到數(shù)百安。  額定擊穿電壓，也可稱(chēng)之為“BV”，通常是在給定溫度范圍（通常是整個(gè)工作結(jié)溫范圍）內(nèi)定義的MOSFET器件的最小阻斷電壓（例如30V）。數(shù)據(jù)表中的BVdss值是在低雪崩電流（通常為
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大容量電池充放電管理模塊MOSFET選型及應(yīng)用

  • 本文闡述了大容量鋰離子電池包內(nèi)部功率MOSFET的配置以及實(shí)現(xiàn)二級(jí)保護(hù)的方案；論述了其實(shí)現(xiàn)高功率密度使用的功率MOSFET所采用的晶圓技術(shù)和CSP封裝技術(shù)的特點(diǎn)；提出了保證電池包安全可靠工作，功率MOSFET必須具有的技術(shù)參數(shù)，以及如何正確測(cè)量MOSFET的工作溫度；最后，給出了輸出端并聯(lián)電阻以及提高控制芯片的輸出檢測(cè)電壓2種方案，避免漏電流導(dǎo)致電池包不正常工作的問(wèn)題。
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看懂MOSFET數(shù)據(jù)表，第1部分―UIS/雪崩額定值

  • 在看到MOSFET數(shù)據(jù)表時(shí)，你一定要知道你在找什么。雖然特定的參數(shù)很顯眼，也一目了然(BVDS、RDS(ON)、柵極電荷)，其它的一些參數(shù)會(huì)十分的含糊不清、模
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根據(jù)雪崩性能選擇肖特基二極管

  • 汽車(chē)電子模塊要求采取反向電池保護(hù)措施，以避免不良電池操作可能導(dǎo)致的損壞風(fēng)險(xiǎn)。肖特基二極管是這種應(yīng)用的首選器件，因?yàn)樗鼈兙哂泻艿偷那跋?/li>
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雪崩光電二極管反向電流的測(cè)量

  • 雪崩光電二極管（APD）是一種高靈敏度、高速度的光電二極管。施加反向電壓時(shí)，能啟動(dòng)其內(nèi)部的增益機(jī)構(gòu)。APD的增益可以由反向偏置電壓的幅度來(lái)控制。反向偏置電壓越大增益就越高。APD在電場(chǎng)強(qiáng)度的作用下工作，光電流的
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MOSFET的UIS和雪崩能量解析

  • 在功率MOSFET的數(shù)據(jù)表中，通常包括單脈沖雪崩能量EAS，雪崩電流IAR，重復(fù)脈沖雪崩能量EAR等參數(shù)，而許多電子工程師在設(shè)計(jì)電源系統(tǒng)的過(guò)程中，很少考慮到這些參數(shù)與電源系統(tǒng)的應(yīng)用有什么樣的聯(lián)系，如何在實(shí)際的應(yīng)用中評(píng)
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功率MOSFET雪崩擊穿問(wèn)題分析

  • 摘要：分析了功率MOSFET雪崩擊穿的原因，以及MOSFET故障時(shí)能量耗散與器件溫升的關(guān)系。和傳統(tǒng)的雙極性晶體管相比，反向偏置時(shí)MOSFET雪崩擊穿過(guò)程不存在“熱點(diǎn)”的作用，而電氣量變化卻十分復(fù)雜。寄生器件在
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利用CompactRIO 和LabVIEW在法國(guó)阿爾卑斯山脈研究

  • 技術(shù)人員正在“減勢(shì)土墩”上安裝設(shè)備
    行業(yè):
    科研產(chǎn)品:
    實(shí)時(shí)模塊, FPGA模塊, CompactRIO挑戰(zhàn):
    通過(guò)收集關(guān)于雪流速度和壓力的實(shí)時(shí)數(shù)據(jù)，確定雪崩中雪流規(guī)律以及雪崩阻滯屏障的有效性。解決
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MOSFET雪崩能量的應(yīng)用考慮

  • 　在功率MOSFET的數(shù)據(jù)表中，通常包括單脈沖雪崩能量EAS，雪崩電流IAR，重復(fù)脈沖雪崩能量EAR等參數(shù)，而許多電子工程師在設(shè)計(jì)電源系統(tǒng)的過(guò)程中，很少考慮到這些參數(shù)與電源系統(tǒng)的應(yīng)用有什么樣的聯(lián)系，如何在實(shí)際的應(yīng)用中
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MOSFET的UIS及雪崩能量解析

  • 在功率MOSFET的數(shù)據(jù)表中，通常包括單脈沖雪崩能量EAS，雪崩電流IAR，重復(fù)脈沖雪崩能量EAR等參數(shù)，而許多電子工程師在設(shè)計(jì)電源系統(tǒng)的過(guò)程中，很少考慮到這些參數(shù)與電源系統(tǒng)的應(yīng)用有什么樣的聯(lián)系，如何在實(shí)際的應(yīng)用中評(píng)
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理解功率MOSFET的UIS及雪崩能量

  • 在功率MOSFET的數(shù)據(jù)表中，通常包括單脈沖雪崩能量EAS，雪崩電流IAR，重復(fù)脈沖雪崩能量EAR等參數(shù)，而許多電子工程師在設(shè)計(jì)電源系統(tǒng)的過(guò)程中，很少考慮到這些參數(shù)與電源系統(tǒng)的應(yīng)用有什么樣的聯(lián)系，如何在實(shí)際的應(yīng)用中評(píng)定這些參數(shù)對(duì)其的影響，以及在哪些應(yīng)用條件下需要考慮這些參數(shù)。本文將論述這些問(wèn)題，同時(shí)探討功率MOSFET在非鉗位感性開(kāi)關(guān)條件下的工作狀態(tài)。
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