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EEPW首頁 >> 主題列表 >> 雪崩失效

什么是雪崩失效

  • 當(dāng)向MOSFET施加高于絕對最大額定值BVDSS的電壓時(shí)，就會發(fā)生擊穿。當(dāng)施加高于BVDSS的高電場時(shí)，自由電子被加速并帶有很大的能量。這會導(dǎo)致碰撞電離，從而產(chǎn)生電子-空穴對。這種電子-空穴對呈雪崩式增加的現(xiàn)象稱為“雪崩擊穿”。在這種雪崩擊穿期間，與 MOSFET內(nèi)部二極管電流呈反方向流動的電流稱為“雪崩電流IAS”，參見下圖（1）。MOSFET的失效機(jī)理本文的關(guān)鍵要點(diǎn)? 當(dāng)向MOSFET施加高于絕對最大額定值BVDSS的電壓時(shí)，會造成擊穿并引發(fā)雪崩擊穿。? 發(fā)生雪崩擊穿時(shí)，會流過大電流，存在MOSFET
  • 關(guān)鍵字： 羅姆半導(dǎo)體  雪崩失效  
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雪崩失效介紹

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