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EEPW首頁 >> 主題列表 >> 高功率

運用返馳轉(zhuǎn)換器的高功率應(yīng)用設(shè)計

  • 多相返馳轉(zhuǎn)換器不僅推升了最大可能功率的極限,而且具有容易設(shè)計的優(yōu)點,同時,其所產(chǎn)生的傳導干擾也相對更低。返馳轉(zhuǎn)換器是產(chǎn)生受調(diào)節(jié)電氣隔離電壓的良好途徑。此種電壓轉(zhuǎn)換技術(shù)的應(yīng)用層面相當廣泛,原因是其電路簡單且技術(shù)也發(fā)展得相當成熟。圖一顯示返馳轉(zhuǎn)換器的示意簡圖。 圖一 : 不使用光耦合器(no-opto)的返馳轉(zhuǎn)換器然而,返馳式技術(shù)在使用上存在許多限制,而其最大傳輸功率也有其極限,主要是因為在圖一所示的Q1開關(guān)的導通期間,電流會經(jīng)過變壓器的一次側(cè)。在此期間,能量會儲存在變壓器的磁芯T1。在Q1的關(guān)斷期
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imec展示56Gb波束成形發(fā)射機 實現(xiàn)高功率零中頻的D頻段傳輸

  • 于本周舉行的國際電機電子工程師學會(IEEE)射頻集成電路國際會議(RFIC Symposium)上,比利時微電子研究中心(imec)發(fā)表了一款基于CMOS技術(shù)的先進波束成形發(fā)射機,用來滿足D頻段的無線傳輸應(yīng)用。該發(fā)射器具備優(yōu)異的輸出功率及能源效率,同時支持每通道56Gb/s的超高數(shù)據(jù)傳輸率。該組件也是比利時微電子研究中心(imec)研究人員目前正在開發(fā)的四路波束成形收發(fā)機芯片之核心構(gòu)件。運用這項技術(shù),他們希望可以協(xié)助部署新一代100GHz以上的高頻短距無線傳輸服務(wù)。 imec先進CMOS波束成
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低導通電阻SiC器件在大電流高功率應(yīng)用中的優(yōu)越性

  • 眾所周知,SiC作為一種性能優(yōu)異的第三代半導體材料,因其高擊穿場強、寬禁帶寬度、高熱導率、高載流子飽和漂移速度等特性可以輔助電子器件更好地在高溫、高壓、高頻應(yīng)用中使用,可有效突破傳統(tǒng)Si基半導體材料的物理極限。目前使用最廣泛的SiC開關(guān)器件是SiC MOSFET,與傳統(tǒng)Si IGBT相比,SiC材料的優(yōu)異性能配合MOSFET單極開關(guān)的特點可以在大功率應(yīng)用中實現(xiàn)高頻、高效、高能量密度、低成本的目標,從而推動電力電子系統(tǒng)的發(fā)展。圖1: 碳化硅器件應(yīng)用范圍示意圖1圖2: 典型應(yīng)用場景對應(yīng)的功率等級2從技術(shù)上講,
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48V高功率電驅(qū)動系統(tǒng)的設(shè)計與開發(fā)

  • 根據(jù)歐盟對汽車CO2排放限值的要求,至2025年,這一排放指標須比2021年降低15.0%;至2030年,這一排放指標須比2021年降低37.5%?目前,研究人員需要進一步降低新款車型的CO2排放,為此應(yīng)大力推廣電氣化動力總成系統(tǒng)?除了純電動汽車和插電式混合動力汽車(PHEV)之外,全混合動力汽車(FHEV)也屬于該類車型?FHEV雖然無須進行外部充電,但是仍能以純電動狀態(tài)行駛,特別是在市區(qū)范圍內(nèi)?研究人員如果對德國混合動力汽車市場可公開得到的數(shù)據(jù)進行分析,那么就能獲得如下信息:輕度混合動力汽車(MHEV
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艾睿電子在英國設(shè)立高功率卓越中心,加速電氣化和可持續(xù)性發(fā)展

  • 全球技術(shù)解決方案供應(yīng)商艾睿電子公司及其旗下工程服務(wù)公司eInfochips日前宣布,將在英國斯溫頓設(shè)立高功率卓越中心(Centre of Excellence)。該中心旨在協(xié)助客戶開發(fā)高功率解決方案,深化在電氣化和可持續(xù)發(fā)展應(yīng)用領(lǐng)域的發(fā)展。高功率設(shè)計在實現(xiàn)能源效率方面發(fā)揮著關(guān)鍵作用,對于電動汽車、可再生能源、電池儲能、電網(wǎng)基礎(chǔ)設(shè)施和其他各種凈零排放項目至關(guān)重要。然而,高功率電子設(shè)計極具復雜性,包括極高的電力專業(yè)知識要求、嚴格的功能安全性和可靠性要求、繁雜的印刷電路板布局以及昂貴的測試設(shè)備等,都給創(chuàng)新者帶來
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ERS electronic公司推出高功率溫度卡盤系統(tǒng)

  • 半導體制造業(yè)提供溫度管理解決方案的領(lǐng)導者——ERS electronic,現(xiàn)推出全新高功率溫度卡盤系統(tǒng)。該技術(shù)針對高端CPU、GPU和高并行性DRAM器件應(yīng)用的晶圓測試,可在-60°C至+200°C溫度范圍內(nèi)對Device Under Test (DUT)進行精確且強大的溫度控制。 High Power Dissipation” is the newest thermal chuck system from ERS electronic, suited for wafer test of
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Nexperia雙通道500 mA RET可在空間受限的應(yīng)用中實現(xiàn)高功率負載開關(guān)

  • 基礎(chǔ)半導體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia今日宣布新推出全新的500 mA雙通道內(nèi)置電阻晶體管(RET)系列產(chǎn)品,均采用超緊湊型DFN2020(D)-6封裝。新系列器件適用于可穿戴設(shè)備和智能手機中的負載開關(guān),也可用于功率要求更高的數(shù)字電路。例如空間受限的計算、通信、工業(yè)和汽車應(yīng)用。值得注意的是,DFN封裝的RET采用雙重空間節(jié)省方案,可加倍提高空間利用率。首先,通過將雙極性晶體管(BJT)和電阻巧妙地集成到單一封裝中,可節(jié)省大量電路板空間。此外,無引腳DFN封裝本身的空間效益較高。這種集成和封裝有
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具有OVC III的高功率密度轉(zhuǎn)換器:儒卓力提供RECOM的20 W AC/DC RAC20E-K/277產(chǎn)品

  • 儒卓力(Rutronik Elektronische Bauelemente GmbH)推出RECOM公司E-K 系列中具有高功率密度的 20 W AC/DC 轉(zhuǎn)換器RAC20E-K/277,它的特點是具有OVC III 額定值,可在海拔2000 米運行 (OVC II則為5000 米),并且具有-40 °C至+90 °C的寬工作溫度范圍 (帶有降額),因此該器件特別適用于嚴苛的環(huán)境條件,例如路邊電動汽車充電樁、工業(yè)環(huán)境以及測試和測量應(yīng)用中的電源。此外,其高功率密度也適合一般家居應(yīng)用和標稱電壓為 277
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e絡(luò)盟現(xiàn)貨開售Power Integrations系列高功率產(chǎn)品

  • 安富利旗下全球電子元器件產(chǎn)品與解決方案分銷商e絡(luò)盟近日引入Power Integrations系列高功率柵極驅(qū)動器,進一步擴大其功率產(chǎn)品陣容,均可快速交付。Power Integrations高功率產(chǎn)品系列包括:●? ?SCALE?-2:即插即用●? ?ISO5125I:DC-DC電源●? ?SCALE-2:Driver Core驅(qū)動核●? ?SCALE-2+:Driver Core 驅(qū)動核●? ?SCAL
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Qorvo QPA3069 S波段功率放大器在貿(mào)澤開售,助力國防和航空航天行業(yè)

  • 專注于引入新品并提供海量庫存的電子元器件分銷商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 近日將開始備貨Qorvo的QPA3069功率放大器。100 W QPA3069專為國防和航空航天應(yīng)用而設(shè)計,能為2.7 – 3.5 GHz射頻 (RF) 設(shè)計提供高功率密度和附加功率效率。這款S波段的高功率放大器采用Qorvo的0.25 μm 碳化硅基氮化鎵 (GaN-on-SiC) ?工藝制成,可簡化系統(tǒng)集成度,提供優(yōu)異的性能,且尺寸小巧,僅7.0 × 7.0 × 0.85 mm 。貿(mào)澤備貨的Qo
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采用小巧,堅固封裝的高功率步進柵極驅(qū)動器IC

  • TMC2590是Trinamic最新的2相步進電機柵極驅(qū)動器。 低功耗的EMI優(yōu)化芯片具有保護和診斷功能,使得為極具競爭力的解決方案提供小型化設(shè)計成為可能。漢堡,2019年9月2日 - TRINAMIC Motion Control GmbH&Co. KG 宣布推出TMC2590,這是一款兩相步進電機柵極驅(qū)動器,具有堅固的設(shè)計和高功率密度。適用于從5V ... 60V DC工作電壓的各種步進電機。它是一款經(jīng)濟型解決方案,可廣泛應(yīng)用于紡織,工廠和實驗室自動化,3D打印,液體處理,醫(yī)療,安全,泵和閥門以及PO
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在緊湊的 PCB 面積內(nèi)提供高功率 以及完整的數(shù)字控制和遙測功能

  • 對于任何人來說,數(shù)字電源系統(tǒng)管理 (DPSM) 在通信和計算機行業(yè)內(nèi)的持續(xù)采用,在很大程度上繼續(xù)由位于其系統(tǒng)架構(gòu)核心的 20nm 以下 ASIC 和 / 或 FPGA 所
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驅(qū)動高功率以太網(wǎng)絡(luò)的供電技術(shù)

  • 目前有許多已開發(fā)的實用PoE 應(yīng)用,然而,新推出的應(yīng)用所需要的功率高于現(xiàn)今 802.3af 標準所定義的功率限制,也就是為用電裝置端提供約 13 W 的功率?,F(xiàn)今需要新的 PoE+ 標準以滿足增加功率的需求,但這項新標準仍未定義完成。在新標準出爐前,勢必要能夠針對所需功率高于現(xiàn)今可提供功率的 PD 負載進行供電。
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采用LJ6585D的高功率因數(shù)熒光燈電子鎮(zhèn)流器電路

  • 采用LJ6585D的高功率因數(shù)熒光燈電子鎮(zhèn)流器電路由L6585D組成的高功率因數(shù)熒光燈電子鎮(zhèn)流器電路如圖3所示。
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高功率半導體的未來 前方道路通往何處?

  •   電力電子系統(tǒng)技術(shù)之所以快速發(fā)展,功率模組乃是公認的主要推動力,尤其在節(jié)約能源、功率控制動態(tài)范圍、減少雜訊、減輕重量和縮減體積方面,表現(xiàn)更是出色。功率半導體主要用來控制發(fā)電與耗電之間的能量流,其過程需要的是無比的精確與極低損耗。   為了因應(yīng)工業(yè)應(yīng)用,持續(xù)推動電力電子技術(shù)精益求精的力量有5個面向:能源效率、作業(yè)溫度、微型化、可靠程度與成本精簡,而這5個面向在某種程度下會相互影響。這些趨勢在過去30年來不斷地驅(qū)策著功率半導體的發(fā)展,未來也勢必扮演重要的推手。        圖1:過去
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