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電子產(chǎn)品世界雜志
《設計100例》

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MOS

MOS 金屬氧化物半導體 MOS metal-oxide semiconductor 以襯底材料氧化物為絕緣層的金屬-絕緣層-半導體結(jié)構(gòu)。對于硅襯底來說，絕緣層是二氧化硅(SiO2)。場效應晶體管、電容器、...... [查看詳細]

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內(nèi)置MOS全集成三相直流無刷電機BLDC驅(qū)動芯片方案

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