ReRAM

　　日本富士通的川崎實(shí)驗(yàn)室透露,他們研發(fā)除了一種新型的非揮發(fā)ReRAM(電阻式記憶體),能提供更低的功耗. 　　包含鈦鎳氧化物結(jié)構(gòu)的ReRAM,在刷寫(xiě)時(shí)只需要100mA的電流甚至更少,相比傳統(tǒng)ReRAM,研究人員還降低...... [查看詳細(xì)]