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MOS 金屬氧化物半導(dǎo)體 MOS metal-oxide semiconductor 以襯底材料氧化物為絕緣層的金屬-絕緣層-半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)。對于硅襯底來說,絕緣層是二氧化硅(SiO2)。場效應(yīng)晶體管、電容器、...... [查看詳細(xì)]

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