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碳化硅(sic)mosfet
自有SiC Mos已批量應用于主驅,產能達9000片/月
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旺材芯片
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2024-08-21
碳化硅芯片的設計和制造
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旺材芯片
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2024-06-02
喜報!讓碳化硅瘋狂生長-科友半導體晶體厚度突破80mm!
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旺材芯片
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2024-05-31
技術 | SiC襯底和外延材料對MOSFET器件特性的影響
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旺材芯片
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2024-03-09
碳化硅晶片的化學機械拋光技術
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旺材芯片
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2024-01-24
碳化硅與第三代半導體的淵源
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旺材芯片
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2023-12-19
中國碳化硅(國內三杰)產能跟蹤
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旺材芯片
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2023-12-14
碳化硅 (SiC) 與氮化鎵 (GaN)應用差異
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旺材芯片
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2023-12-08
碳化硅賽道“涌動” ,國內外巨頭抓緊布局
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傳感器技術
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2023-12-03
詳解大功率電源中MOSFET功耗的計算
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yingjian
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2023-11-17
盤點國內SiC碳化硅襯底公司
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旺材芯片
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2023-10-28
英飛凌確認:兩家中國SiC供應商獲車規(guī)認證并大規(guī)模出貨
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芯片大師哥
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2023-09-08
東芝推出用于工業(yè)設備的第3代碳化硅MOSFET,采用可降低開關損耗的4引腳封裝
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12345zhi
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2023-08-31
【資訊】全球SiC晶圓競爭,進入白熱化
瀏覽:144
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旺材芯片
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2023-08-09
英飛凌推出TO263-7封裝的新一代1200 V CoolSiC溝槽式MOSFET
瀏覽:540
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12345zhi
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2023-08-03
碳化硅需求旺盛,安森美Q3業(yè)績及Q3財測超預期
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芯智訊
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2023-08-01
碳化硅“狂飆”:追趕、內卷、替代
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芯東西
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2023-07-09
中國電科:國產碳化硅器件和設備取得突破
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芯片大師哥
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2023-07-06
碳化硅“狂飆”:追趕、內卷、替代
瀏覽:220
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旺材芯片
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2023-06-27
細談中國碳化硅的從無到有,老一輩工藝先驅者的匠心足跡
瀏覽:444
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芯片揭秘
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2023-05-18
ROHM 1200V IGBT成功導入SEMIKRON-Danfoss功率模塊
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12345zhi
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2023-05-09
國際領先!新一代SIC晶體生長用材料
瀏覽:238
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先進半導體
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2023-04-28
SiC MOSFET——降低功率損耗,邁向碳中和
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芝識課堂
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2023-04-27
東芝SiC MOSFET為您開啟電源新大門
瀏覽:4765
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芝識課堂
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2023-04-27
如何避免MOSFET常見問題和失效模式
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yingjian
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2023-04-25
采埃孚與意法半導體就碳化硅器件簽署多年供應協(xié)議
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旺材芯片
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2023-04-15
買買買成就的SiC巨頭
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旺材芯片
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2023-03-16
MOSFET柵極驅動電路應用說明
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yingjian
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2023-02-28
政策持續(xù)推動需求爆發(fā),SiC在充電樁市場大有可為 旺材芯片
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旺材芯片
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2023-02-17
SiC,將拿下30%的功率器件市場
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旺材芯片
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2023-02-17
降低碳化硅Sic牽引逆變器的功率損耗和散熱
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旺材芯片
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2023-02-02
光電耦合器和MOSFET之間的差異
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騰恩科技彭工
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2023-02-01
今年會是SiC半導體和功率模組元年嗎?
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旺材芯片
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2023-01-30
羅姆的第4代SiC MOSFET成功應用于日立安斯泰莫的純電動汽車逆變器
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2022-12-28
又一SiC相關企業(yè)上市,市值超270億!
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旺材芯片
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2022-12-18
ST與Soitec合作開發(fā)碳化硅襯底制造技術
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12345zhi
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2022-12-08
如何使用 LTspice 仿真 SiC MOSFET:良好驅動器的重要性
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dianlaotie
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2022-11-10
芯片研發(fā)過程中的可靠性測試——碳化硅功率器件
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深圳半導體
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2022-11-03
MOSFET選型10步法則
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電巢
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2022-10-27
碳化硅產業(yè)化駛入快車道 A股公司紛紛“搶食”盛宴
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芯股嬸
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2022-10-24
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