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技術(shù) | SiC襯底和外延材料對(duì)MOSFET器件特性的影響
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旺材芯片
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2024-03-09
詳解大功率電源中MOSFET功耗的計(jì)算
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yingjian
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2023-11-17
東芝推出用于工業(yè)設(shè)備的第3代碳化硅MOSFET,采用可降低開(kāi)關(guān)損耗的4引腳封裝
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12345zhi
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2023-08-31
英飛凌推出TO263-7封裝的新一代1200 V CoolSiC溝槽式MOSFET
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12345zhi
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2023-08-03
SiC MOSFET——降低功率損耗,邁向碳中和
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芝識(shí)課堂
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2023-04-27
東芝SiC MOSFET為您開(kāi)啟電源新大門
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芝識(shí)課堂
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2023-04-27
如何避免MOSFET常見(jiàn)問(wèn)題和失效模式
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yingjian
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2023-04-25
MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)電路應(yīng)用說(shuō)明
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yingjian
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2023-02-28
光電耦合器和MOSFET之間的差異
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騰恩科技彭工
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2023-02-01
羅姆的第4代SiC MOSFET成功應(yīng)用于日立安斯泰莫的純電動(dòng)汽車逆變器
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12345zhi
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2022-12-28
如何使用 LTspice 仿真 SiC MOSFET:良好驅(qū)動(dòng)器的重要性
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dianlaotie
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2022-11-10
MOSFET選型10步法則
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電巢
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2022-10-27
MOSFET結(jié)構(gòu)及其工作原理詳解
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xiaxue
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2022-10-21
MOSFET選型10步法則
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電巢
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2022-10-16
SiC-MOSFET特征及與Si-MOSFET、IGBT的區(qū)別
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旺材芯片
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2022-07-17
MOSFET 安全工作區(qū)域 SOA是什么
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leiditechsh
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2022-05-06
【干貨】技術(shù)角度看特斯拉批量召回可能原因分析--隱蔽的碳化硅MOSFET柵極諧振問(wèn)題
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旺材芯片
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2022-04-16
1.2kV SiC MOSFET中的主動(dòng)短路和重復(fù)短路
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旺材芯片
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2022-04-16
MOSFET器件選型的3****則,教你成為器件選型大師
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旺材芯片
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2022-04-16
重磅新品|清純半導(dǎo)體推出國(guó)內(nèi)首款15V驅(qū)動(dòng)SiC MOSFET
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2022-04-13
MOSFET 之父:Dawon Kahng 和 Martin Atalla
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旺材芯片
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2021-12-21
盤(pán)點(diǎn) | 重中之重的功率半導(dǎo)體,全球MOSFET制造商有哪些??
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2021-06-29
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通過(guò)創(chuàng)新PMIC降低BOM成本,Nexperia增強(qiáng)能源采集產(chǎn)品組合
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基于HDMI的全高清實(shí)時(shí)視頻采集與圖像處理系統(tǒng)
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如何使用FPGA和PCI總線實(shí)現(xiàn)天文圖像實(shí)時(shí)采集與處理系統(tǒng)的設(shè)計(jì)
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如何使用FPGA實(shí)現(xiàn)多通道高速CMOS圖像采集系統(tǒng)的設(shè)計(jì)
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如何使用FPGA實(shí)現(xiàn)新型高速CCD圖像數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)
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基于USB的線陣CCD圖像采集系統(tǒng)
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3596446K
使用單片機(jī)實(shí)現(xiàn)電子秤設(shè)計(jì)的電路圖免費(fèi)下載
wenliang37
2025-01-17
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