【半導(dǎo)體/IC】牽手高通歌爾為"雙創(chuàng)"助力 青島芯谷打造聯(lián)合創(chuàng)新中心

【半導(dǎo)體/IC】牽手高通歌爾為"雙創(chuàng)"助力 青島芯谷打造聯(lián)合創(chuàng)新中心

山東省青島市嶗山區(qū)打造“青島芯谷”,吸引越來(lái)越多的全球領(lǐng)軍力量注入,打造微電子產(chǎn)業(yè)新高地。3月29日,由青島微電子創(chuàng)新中心有限公司、高通(中國(guó))控股有限公司(Qualcomm)、歌爾股份有限公司共同成立的“青島芯谷·高通中國(guó)·歌爾聯(lián)合創(chuàng)新中心”(以下簡(jiǎn)稱“聯(lián)合創(chuàng)新中心”)啟用儀式在嶗山區(qū)國(guó)際創(chuàng)新園舉行。此次三方強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)手,將為青島芯谷的建設(shè)注入新的動(dòng)能。

據(jù)悉,聯(lián)合創(chuàng)新中心包括展示中心、創(chuàng)新實(shí)驗(yàn)室兩部分。展示中心將作為青島高科技領(lǐng)域的一張名片,通過(guò)展示高通與歌爾強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)手,基于高通領(lǐng)先的計(jì)算與連接技術(shù)以及歌爾的智能硬件開(kāi)發(fā)集成能力,在智能音頻、VR/AR、智能穿戴以及物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域所打造的產(chǎn)品和解決方案,幫助參觀者了解全球物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域前沿技術(shù)及應(yīng)用場(chǎng)景與案例,為更多雙創(chuàng)企業(yè)投身智能產(chǎn)品開(kāi)發(fā)拓寬視野。

創(chuàng)新實(shí)驗(yàn)室配備面向無(wú)線耳機(jī)、VR/AR及物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域的先進(jìn)測(cè)試設(shè)備,依托Qualcomm全球領(lǐng)先的技術(shù)、歌爾強(qiáng)大的研發(fā)實(shí)力和產(chǎn)業(yè)基礎(chǔ),為符合條件的雙創(chuàng)企業(yè)提供技術(shù)評(píng)估、初期研發(fā)指導(dǎo)及實(shí)驗(yàn)性測(cè)試和系統(tǒng)兼容性測(cè)試,從而幫助雙創(chuàng)企業(yè)在提高研發(fā)及自主創(chuàng)新能力方面開(kāi)拓思路,加快和提升雙創(chuàng)企業(yè)在智能終端及物聯(lián)網(wǎng)等相關(guān)行業(yè)應(yīng)用領(lǐng)域的進(jìn)步。

【存儲(chǔ)器】華泰上季終止連8虧，今年?duì)I運(yùn)迎轉(zhuǎn)機(jī)

受惠于NAND Flash晶圓供給量充足，封測(cè)廠華泰去年第四季由虧轉(zhuǎn)盈，以減資后股本計(jì)算每股凈利0.11元(新臺(tái)幣，下同)，優(yōu)于市場(chǎng)預(yù)期。今年以來(lái)上游原廠持續(xù)釋出NAND Flash晶圓，雖然市場(chǎng)供給過(guò)剩且價(jià)格走跌，但對(duì)以量計(jì)價(jià)的封測(cè)廠華泰來(lái)說(shuō)卻是營(yíng)運(yùn)利多，3月產(chǎn)能利用率已逼近滿載。法人看好華泰今年季季都賺錢(qián)，營(yíng)運(yùn)已確定走出谷底。

去年下半年全球主要NAND Flash原廠全面量產(chǎn)64層3D NAND，帶動(dòng)華泰第四季封測(cè)產(chǎn)能利用率明顯回升，加上EMS事業(yè)受惠于美中貿(mào)易戰(zhàn)帶動(dòng)的轉(zhuǎn)單效應(yīng)發(fā)酵，去年第四季營(yíng)運(yùn)由虧轉(zhuǎn)盈。

華泰去年第四季合并營(yíng)收季增2.3%達(dá)42.07億元，較前年同期成長(zhǎng)18.0%，平均毛利率季增1倍達(dá)8.6%，較前年同期拉升8個(gè)百分點(diǎn)，代表本業(yè)獲利的營(yíng)業(yè)利益由負(fù)轉(zhuǎn)正達(dá)0.75億元，歸屬母公司稅后凈利0.61億元，與前年同期虧損3.01億元相較，營(yíng)運(yùn)面大幅好轉(zhuǎn)，以減資后股本計(jì)算，單季每股凈利0.11元。

三星宣布推出1Z納米制程DRAM

全球DRAM龍頭三星21日宣布，首次業(yè)界開(kāi)發(fā)第3代10納米等級(jí)（1Z納米制程）8GB高性能DRAM。這也是三星發(fā)展1Y納米制程DRAM之后，經(jīng)歷16個(gè)月，再開(kāi)發(fā)出更先進(jìn)制程的DRAM產(chǎn)品。

三星表示，1Z納米制程8GBDDR4DRAM的正式大量生產(chǎn)時(shí)間將落在2019下半年，以應(yīng)對(duì)下一代企業(yè)服務(wù)器需求，并有望能在2020年支援新高階個(gè)人計(jì)算機(jī)。

隨著1Z納米制程產(chǎn)品問(wèn)世，并成為業(yè)界最小的存儲(chǔ)器生產(chǎn)節(jié)點(diǎn)，目前三星已準(zhǔn)備好用新的1Z納米制程DDR4DRAM滿足日益成長(zhǎng)的市場(chǎng)需求，生產(chǎn)效率比以前1Y納米等版DDR4DRAMUL4高20%以上。

除了提供市場(chǎng)需求，三星還指出，跨入1Z納米制程的DRAM生產(chǎn)，將為全球IT加快朝向下一代DRAM界面，包括DDR5、LPDDR5和GDDR6等預(yù)做準(zhǔn)備。