鐵電存儲(chǔ)器FRAM的優(yōu)劣勢(shì)

FRAM憑借高速讀寫入、高讀寫耐久性、低功耗和防竄改方面的優(yōu)勢(shì)，被視為替代傳統(tǒng)EEPROM和FLASH的產(chǎn)品。FRAM產(chǎn)品的主要廠商包括英飛凌、日本富士通半導(dǎo)體和其他公司，這幾家公司代表了當(dāng)今世界最先進(jìn)的FRAM技術(shù)。FRAM在半導(dǎo)體市場(chǎng)上已經(jīng)得到了商業(yè)驗(yàn)證，F(xiàn)RAM存儲(chǔ)器產(chǎn)品已成功應(yīng)用在汽車中。
 
1.  FRAM的優(yōu)勢(shì)：
 
FRAM是一種新型存儲(chǔ)器，具有高速、高密度、低功耗和抗輻射等優(yōu)點(diǎn)，與EEPROM、FLASH相比，F(xiàn)RAM的讀寫更快、壽命更長(zhǎng)，F(xiàn)RAM已經(jīng)應(yīng)用于IC卡和MCU中，預(yù)計(jì)未來(lái)具有廣闊的市場(chǎng)前景。FRAM產(chǎn)品具有明顯的高新技術(shù)特點(diǎn)，符合科創(chuàng)板屬性，目前上市公司中尚沒(méi)有從事該產(chǎn)品的開發(fā)。
 
2.  FRAM的劣勢(shì)：
 
FRAM的制造成本高，價(jià)格比EEPROM、FLASH更加昂貴，儲(chǔ)存的空間更小。
 
由于目前EEPROM和FLASH經(jīng)過(guò)多年的技術(shù)積淀和積累，無(wú)論是技術(shù)還是市場(chǎng)的認(rèn)可度都非常高，且價(jià)格低廉。FRAM作為新型存儲(chǔ)器之一，F(xiàn)RAM的技術(shù)發(fā)展的路徑尚不確定，未來(lái)替代EEPROM會(huì)經(jīng)歷一個(gè)漫長(zhǎng)的過(guò)程，將來(lái)也可能是其他新型存儲(chǔ)器，如相變存儲(chǔ)器PCM、磁存儲(chǔ)器MRAM、電阻存儲(chǔ)器ReRAM、碳納米管存儲(chǔ)器NRAM取代現(xiàn)有的存儲(chǔ)器。
 
雖然目前富士通半導(dǎo)體等公司正在大力推廣FRAM，但是傳統(tǒng)的存儲(chǔ)器如EEPROM和FLASH依舊會(huì)保持很大的市場(chǎng)份額，未來(lái)EEPROM、FLASH的技術(shù)迭代也會(huì)提升其各方面的性能，F(xiàn)RAM與EEPROM、FLASH會(huì)保持長(zhǎng)期共存的局面，不會(huì)短時(shí)間內(nèi)出現(xiàn)FRAM徹底替代EEPROM、閃存Flash的情況。
 
建議改類型的項(xiàng)目方提供下游客戶的產(chǎn)品中必須用到FRAM的情形，以及其他可替代的存儲(chǔ)器，并說(shuō)明與日本富士通半導(dǎo)體和英飛凌的FRAM的產(chǎn)品性能優(yōu)勢(shì)或成本對(duì)比，是否已經(jīng)大規(guī)模量產(chǎn)以及良率如何，由此來(lái)綜合評(píng)估該類型項(xiàng)目的FRAM產(chǎn)品的技術(shù)壁壘和未來(lái)市場(chǎng)銷售情況。