賽微電子北京8英寸MEMS國際代工線啟動量產(chǎn)！

賽微電子北京FAB3成功量產(chǎn)的首款芯片為來自通用微（深圳）科技有限公司（簡稱：通用微，英文名稱：GMEMS）的MEMS麥克風(fēng)芯片，該芯片具有高信噪比、高AOP特征，與其在賽微電子瑞典FAB代工的同型號芯片性能一致；基于該芯片封裝的MEMS麥克風(fēng)性能優(yōu)異，與樓氏電子、英飛凌等國際知名傳感器公司的同類產(chǎn)品相當(dāng)。
經(jīng)過通用微進(jìn)行的嚴(yán)格晶圓級性能測試以及對MEMS麥克風(fēng)進(jìn)行的性能檢測和可靠性驗證，確認(rèn)成品性能達(dá)到設(shè)計指標(biāo)要求，與基于賽微電子瑞典FAB所代工芯片封裝的MEMS麥克風(fēng)的關(guān)鍵性能一致。同時，賽微電子北京FAB3制造的該首批晶圓良率與賽微電子瑞典FAB1 & FAB2處于同一水平，開始進(jìn)行批量商業(yè)化生產(chǎn)。
通用微是一家全球領(lǐng)先的MEMS傳感芯片供應(yīng)商，其技術(shù)團隊由國內(nèi)聲學(xué)MEMS傳感器的開拓者王云龍博士領(lǐng)銜，扎根聲學(xué)MEMS近二十年。通用微聚集了在聲學(xué)處理算法和傳感芯片方面的世界頂尖的專家，將聲學(xué)微型傳感器的研發(fā)與基于人工智能的算法及軟件相結(jié)合，從聲學(xué)原理入手，融合了MEMS傳感芯片、算法、及數(shù)字信號處理器或微處理器，打通了從傳感芯片到模組的全產(chǎn)業(yè)鏈，解決了語音交互中的喚醒、低功耗待機、雞尾酒會效應(yīng)等核心難題。
本次通用微研發(fā)的MEMS芯片首次在國內(nèi)實現(xiàn)量產(chǎn)，為其建立完整的國內(nèi)供應(yīng)鏈體系填補了最關(guān)鍵和最重要的一環(huán)。
顯微鏡下的通用微MEMS麥克風(fēng)實物（2.75mm x 1.85mm x 0.98mm）
2015年5月，賽微電子實現(xiàn)創(chuàng)業(yè)板IPO上市；同年8月，公司啟動收購瑞典Silex。
2016年7月，賽微電子完成收購瑞典Silex；同年11月，公司啟動定增，與國家大基金合資在北京投建FAB3產(chǎn)線。
2017年9月，賽微電子通過委托貸款融資7億元，全部投入北京FAB3產(chǎn)線建設(shè)（后于2019年5月歸還）。
2019年2月，賽微電子完成定增融資12.07億元，全部投入北京FAB3產(chǎn)線建設(shè)。
2019年12月，賽微電子北京FAB3搬入首臺設(shè)備。
2020年9月，賽微電子北京FAB3建成通線。
2021年6月，賽微電子北京FAB3完成竣工驗收、正式啟動量產(chǎn)。

本次北京FAB3實現(xiàn)量產(chǎn)，讓賽微電子同時在瑞典斯德哥爾摩和中國北京兩地?fù)碛袠I(yè)界先進(jìn)、高質(zhì)量運營的8英寸MEMS產(chǎn)線，同時賽微電子北京FAB3更是可以提供標(biāo)準(zhǔn)化的規(guī)模產(chǎn)能，有利于公司進(jìn)一步拓展全球市場尤其是亞洲市場，結(jié)合先進(jìn)工藝與規(guī)模產(chǎn)能，更好地為下游客戶服務(wù)，同時繼續(xù)擴大公司MEMS業(yè)務(wù)的競爭優(yōu)勢，繼續(xù)保持在MEMS純代工領(lǐng)域的全球領(lǐng)先地位。


賽微電子以半導(dǎo)體業(yè)務(wù)為核心，面向高頻通信背景下的物聯(lián)網(wǎng)與人工智能時代，一方面重點發(fā)展MEMS工藝開發(fā)與晶圓制造業(yè)務(wù)，另一方面積極布局GaN材料與器件業(yè)務(wù)，致力于成為一家立足本土、國際化發(fā)展的知名半導(dǎo)體科技企業(yè)集團。

今年4月份，北京賽微電子股份有限公司發(fā)布了關(guān)于與青州市人民政府簽署《合作協(xié)議》的公告。公告中顯示賽微電子擬在青州經(jīng)濟開發(fā)區(qū)發(fā)起投資10億元分期建設(shè)聚能國際6-8英寸硅基氮化鎵功率器件半導(dǎo)體制造項目，總占地面積30畝，一期建成投產(chǎn)后將形成6-8英寸GaN芯片晶圓5000片/月的生產(chǎn)能力，二期建成投產(chǎn)后將形成6-8英寸GaN芯片晶圓12000片/月的生產(chǎn)能力，將為全球GaN產(chǎn)品客戶的旺盛需求提供成熟的技術(shù)支持和產(chǎn)能保障。

據(jù)了解，GaN（氮化鎵）屬于第三代半導(dǎo)體材料，第三代半導(dǎo)體材料主要包括碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）、金剛石等，因其禁帶寬度（Eg）大于或等于2.3電子伏特（eV），又被成為寬禁帶半導(dǎo)體材料，與第一、二代相比，第三代半導(dǎo)體材料具有高熱導(dǎo)率、高擊穿場強、高飽和電子速率等優(yōu)點，可以滿足現(xiàn)代電子技術(shù)對高溫、高功率、高壓、高頻以及抗輻射等惡劣條件的新要求。

公司已于2018年7月在青島市嶗山區(qū)投資設(shè)立“青島聚能創(chuàng)芯微電子有限公司”，主要從事功率與微波器件，尤其是氮化鎵（GaN）功率與微波器件的設(shè)計、開發(fā)；已于2018年6月在青島市即墨區(qū)投資設(shè)立“聚能晶源（青島）半導(dǎo)體材料有限公司”，主要從事半導(dǎo)體材料，尤其是氮化鎵（GaN）外延材料的設(shè)計、開發(fā)、生產(chǎn)，該公司投資建設(shè)的第三代半導(dǎo)體材料制造項目（一期）已于2019年9月達(dá)到投產(chǎn)條件，正式投產(chǎn)。作為公司GaN業(yè)務(wù)一級平臺公司，聚能創(chuàng)芯匯聚了業(yè)界領(lǐng)先團隊，擁有第三代半導(dǎo)體材料生長、工藝制造、器件設(shè)計等全產(chǎn)業(yè)鏈技術(shù)能力及儲備，且截至目前在6-8英寸硅基GaN外延晶圓、GaN功率器件及應(yīng)用方面已形成系列產(chǎn)品并實現(xiàn)批量銷售。

來源：MEMS