不止EUV，先進芯片制造還有新選擇

DSA先進光刻技術重回歷史舞臺？
DSA并不是一項新技術，早在2007年它就作為潛在的光刻解決方案登上了舊的國際半導體技術路線圖 (ITRS)。2010年左右，業(yè)界開始對自下而上圖案化方法DSA技術產(chǎn)生興趣，甚至還引起了一番研究熱潮。世界知名的代工廠如臺積電、三星、英特爾、GlobalFoundries等都在自家實驗室探索DSA，因為它有望解決先進光刻技術中的許多成本和復雜性問題。 但好景不長，隨著業(yè)界的不斷探索，他們發(fā)現(xiàn)這些材料容易出現(xiàn)缺陷。DSA材料的貼裝精度也很難控制。因此，考慮到這些問題，芯片制造商便轉(zhuǎn)向在晶圓廠中采用更熟悉的多重圖案化技術，例如自對準雙/四圖案化 (SADP/SAQP)。而事實證明，沒有一種光刻技術可以滿足當前和未來的所有需求，SADP/SAQP也逐漸受到了挑戰(zhàn)。尤其是隨著3nm和5nm的到來，對光刻設備的需求越來越苛刻，而DSA或?qū)⒆鳛橐粋€補充技術而占有一席之地。 多位業(yè)內(nèi)消息人士稱，英特爾繼續(xù)對DSA抱有濃厚的興趣，而其它芯片制造商正在重新審視該技術。此外，一年一度的SPIE先進光刻會議，自2012年起就為嵌段共聚物DSA光刻技術設立了分論壇，供來自世界一流的企業(yè)、研究機構以及高校的相關研究者在一起進行分享、交流和討論DSA光刻技術最新的進展與未來發(fā)展方向。由此可見，工業(yè)界對該技術高度重視并寄予厚望。 需要知道的是，DSA本身并不是一種工具技術，這是一種互補的圖案化方法，可使用嵌段共聚物實現(xiàn)精細間距和預定義的圖案。它是一種“自下而上”的光刻技術，而EUV光刻是“自上而下”。DSA能夠突破傳統(tǒng)光學光刻的衍射極限。 5nm之后，工具和技術的結(jié)合或?qū)⑹钱a(chǎn)業(yè)關注的一個方向。將DSA光刻與傳統(tǒng)的“自上而下”的EUV光刻相結(jié)合，可以提高現(xiàn)有光刻工藝（例如SADP/SAQP）的分辨率、修復圖形缺陷和改善關鍵結(jié)構的特征尺寸均勻性，從而產(chǎn)生更高密度的半導體器件。此外，DSA光刻還有望將芯片制程推進到3nm甚至更小的技術節(jié)點。

DSA的研究進展#Human Progress
現(xiàn)在DSA已經(jīng)取得顯著進展，包括英特爾、IBM、三星等國際知名半導體企業(yè)以及IMEC、CEA-Leti 等研究機構開始針對DSA光刻技術開展了系統(tǒng)性的研究和產(chǎn)業(yè)化嘗試，他們在工藝開發(fā)、整合、器件應用等方面為之努力。多個研究機構都建立了300mm晶圓DSA先導線，已經(jīng)有大量的研究結(jié)果顯示DSA光刻在300mm晶圓先導線上展示了優(yōu)異的性能，這也為DSA光刻技術走向工業(yè)化生產(chǎn)邁出了重要的一步。
 國內(nèi)學者在DSA領域的研究也頗深，在復旦大學信息科學與工程學院胡曉華, 熊詩圣的《先進光刻技術:導向自組裝》論文中指出，DSA光刻技術能夠取得快速的進步與嵌段共聚物材料的發(fā)展密切相關。目前，嵌段共聚物PS-b-PMMA已成為DSA領域的“黃金標準”，PS是非極性聚合物，而PMMA屬于極性聚合物。它的最小周期為22nm，用于分子自組裝的機理探究以及工藝摸索，PS-b-PMMA為DSA進入工業(yè)化生產(chǎn)提供了強有力的理論支持與技術指導。 2016年，臺積電研究團隊以柱狀相PS-b-PMMA為材料，采用物理外延法DSA光刻技術制備了接觸孔，并對接觸孔的缺陷進行了深入研究。2019年，IMECI基于PS-b-PMMA嵌段共聚物的DSA技術，生成具有低且穩(wěn)定的缺陷率（即橋連和位錯）的28 nm節(jié)距線/空間圖案。 胡曉華, 熊詩圣的《先進光刻技術:導向自組裝》論文還指出，然而，PS-b-PMMA的χ值較小（χ為倆聚合物之間的弗洛里—哈金斯相互作用參數(shù)），無法滿足當前集成電路制造中10nm及以下特征尺寸的需求。為了滿足工藝節(jié)點的不斷發(fā)展需求，如更先進的7nm/5nm/3nm等，學術界也聚焦于合成高χ值的嵌段共聚物，如PS-b-PPC、PS-b-P2VP、PS-b-P4VP、PS-b-PAA等。這些高χ值材料經(jīng)微相分離后形成的圖形特征尺寸均在10nm以下，可以很好地滿足目前集成電路制造的需求。 在2021年的SPIE先進光刻會議上，IMEC 首次展示了DSA圖形化 的能力，使用高χ值嵌段共聚物材料制備了周期為18nm的線條光柵陣列結(jié)構，他們與TEL密切合作開發(fā)的定制干法蝕刻工藝允許將18 nm線/空間圖案成功轉(zhuǎn)移到足夠深的 SiN 層中，以進行后續(xù)缺陷檢查，而不會出現(xiàn)明顯的線擺動或線塌陷。這些結(jié)果證實了DSA有潛力補充用于亞 2 nm技術節(jié)點的工業(yè)制造的傳統(tǒng)自上而下圖案化。 “近年來，DSA 吸引了大量的工業(yè)興趣，已經(jīng)發(fā)展成為一個由大學、計量學家、材料和設備供應商組成的寶貴生態(tài)系統(tǒng)。我們的 DSA 生態(tài)系統(tǒng)是我們迄今為止取得的成果的關鍵，”IMEC的高級圖案化工藝和材料副總裁Steven Scheer說。IMEC的DSA材料的合作伙伴包括德國的Merck、美國的Brewer Science、東京電子等等。 更重要的是，2021年TEL研究團隊報道了基于嵌段共聚物DSA光刻技術對化學圖案上的缺陷具有一定的修復能力。嵌段共聚物為有機材料，它具有一定的柔性與可壓縮性，因此對化學圖案上的缺陷存在一定的容忍度。 德國的默克在2015年就已經(jīng)開始試產(chǎn)電子級純度的DSA材料，為 DSA光刻技術從實驗室走向工業(yè)化制造不懈努力?！?strong style="margin: 0px; padding: 0px; outline: 0px; max-width: 100%; box-sizing: border-box !important; word-wrap: break-word !important;">這項革命性技術有望徹底改變半導體制造工藝，并將加快下一代構圖應用的引入?！?默克半導體解決方案全球負責人Anand Nambiar表示。2020年9月，默克在德國正式開設了新的電子應用研究中心，將致力于下一代顯示和半導體材料的研發(fā)活動，其中半導體材料包括光刻膠材料、電介質(zhì)和DSA材料。2021年4月，默克宣布投資2000萬歐元將擴大其在日本的研發(fā)和制造基地，將建設新的基礎設施，以推動和加速電子材料的創(chuàng)新，這個工廠所開發(fā)和制造的就包括DSA材料。 許多研究機構已經(jīng)意識到DSA的優(yōu)勢，并希望將其應用于微電子制造中。目前，基于嵌段共聚物的DSA光刻技術已經(jīng)被用于制造各種半導體器件，如鰭式場效應晶體管（FinFET）、存儲器、位元圖案介質(zhì)和光子器件等。在SPIE上發(fā)表的一篇論文中，也指出了DSA應用于DRAM的可能性。

DSA工業(yè)化面臨的挑戰(zhàn)上文我們敘述了DSA技術的應用前景和優(yōu)勢，但是DSA真正工業(yè)化仍然面臨著一些挑戰(zhàn)。在胡曉華, 熊詩圣的《先進光刻技術:導向自組裝》論文中點出，DSA光刻技術應用于工業(yè)化主要分大兩步，首先是采用“自上而下”的光刻工藝制備引導圖形。然后，嵌段共聚物分子在制備的引導圖形上進行自組裝。目前進行自組裝的研究已經(jīng)頗多，此前一直困擾DSA光刻的缺陷問題也逐漸控制到半導體行業(yè)所能接受的范圍。并已經(jīng)在300mm晶圓DSA先導線上進行了實踐，證明了其進入工業(yè)化的可行性。 在胡曉華, 熊詩圣的《先進光刻技術:導向自組裝》論文中指出，問題主要是在引導圖形上，目前關于DSA圖形化工藝的計算光刻以及EDA研究非常少，這是DSA光刻工業(yè)化中所面臨的最大挑戰(zhàn)。因為在實際芯片制造中，其版圖非常復雜，并不是簡單的規(guī)則圖形。IBM研究團隊提出在芯片制造中融入DSA工藝，開發(fā)一套計算光刻工具，實現(xiàn)設計工藝協(xié)同優(yōu)化，形成材料、設備、工藝、計算光刻、仿真模擬和EDA的完整產(chǎn)業(yè)鏈，推動DSA光刻技術真正進入工業(yè)化生產(chǎn)。 當然，嵌段共聚物DSA光刻技術進入工業(yè)生產(chǎn)，還需對DSA工藝、材料以及與現(xiàn)有半導體產(chǎn)線的兼容性問題進行全面了解。工藝方面，需要選擇合適的設備，優(yōu)化工藝條件，以實現(xiàn)高通量制造；材料方面，要保證嵌段共聚物的批量化生產(chǎn)、電子級純度以及穩(wěn)定性。此外，還需采用先進的設備對缺陷進行檢測和分析。 任何新技術在工業(yè)化的道路上都是漫長且崎嶇的，EUV光刻技術也是經(jīng)歷了幾十多年的發(fā)展，DSA這項光刻技術無疑也將面臨一些波折。不過DSA這項革新的自下而上的圖形形成方法，使其在更先進的工藝節(jié)點中頗具潛力。再考慮到其對芯片制造成本上可能實現(xiàn)的節(jié)約，這些都將繼續(xù)支撐DSA研究者們繼續(xù)探索下去，我們也期待DSA真正能夠助力5nm、3nm甚至更小工藝節(jié)點芯片的研發(fā)。
來源：半導體行業(yè)觀察