1.2kV SiC MOSFET中的主動(dòng)短路和重復(fù)短路

來源： 芯TIP

報(bào)告主題：1.2kV SiC MOSFET 中的主動(dòng)短路和重復(fù)短路

報(bào)告作者：Amy Romero, Adam Barkley, Robert Zenoz,Frank DiLustro , Jeff Casady

報(bào)告詳細(xì)內(nèi)容

# 介紹

? SiC MOSFET技術(shù)是汽車驅(qū)動(dòng)傳動(dòng)系統(tǒng)應(yīng)用的理想選擇，可以利用SiC的更高效率來延長(zhǎng)電池電動(dòng)車（BEV）的續(xù)航能力（和/或）降低成本

? 在某些操作條件下，汽車應(yīng)用可能會(huì)導(dǎo)致高應(yīng)力環(huán)境

   - 坡度保持、故障條件、峰值加速度

   - 為峰值工作條件添加額外的SiC芯片會(huì)增加成本

* 了解SiC MOSFET在非正常高應(yīng)力條件下的魯棒性極限是很重要的。

# 概要

考慮1.2 kV、17 mΩ MOSFET的魯棒性，將進(jìn)行兩種不同的高應(yīng)力測(cè)試

   1. 重復(fù)性短路

   2. MOSFET浪涌測(cè)試

# 被測(cè)設(shè)備

QPM3 -1200 -0017C 汽車芯片

   – 1200 V、17 mΩ SiC MOSFET

? 用于評(píng)估的預(yù)發(fā)布 SiC MOSFET

   – 柵極驅(qū)動(dòng)電壓：-4 V/ +15V

   – 采用 TO TO-247 -4L 封裝 (kelvin) 進(jìn)行這些測(cè)試

# 1200 V、17 mΩ SiC MOSFET重復(fù)短路

# 短路測(cè)試設(shè)置

# 短路波形

測(cè)試注意事項(xiàng)

? VDS 保持在指定電壓的 15% 以內(nèi)（這是通過具有非常低的雜散電感來控制的）

? 通過設(shè)備的電流水平達(dá)到額定電流的 10 倍以上

# 測(cè)試程序

? 為了獲得 TSCWT，設(shè)備被給予一個(gè)短脈沖，如果設(shè)備在這個(gè)脈沖中幸存下來，脈沖寬度將增加 200 ns。

? 脈沖寬度不斷增加，直到器件性能下降

? 在每個(gè)脈沖之間進(jìn)行靜態(tài)測(cè)量

? TSCWT = 最后一個(gè)良好脈沖（器件存活的最后一個(gè)脈沖寬度）

# 預(yù)期能量水平

# 重復(fù)性SC測(cè)試概述

用1.4微秒的脈沖對(duì)兩個(gè)設(shè)備進(jìn)行重復(fù)脈沖，每100個(gè)脈沖后進(jìn)行一次后期測(cè)試

# 參數(shù)測(cè)試結(jié)果

- 前期測(cè)試是在開始SC測(cè)試前測(cè)量的（脈沖0）。

- 后期測(cè)試在每100個(gè)脈沖后進(jìn)行測(cè)量。

- 在175°C時(shí)，設(shè)備通過了600個(gè)脈沖，但在700個(gè)脈沖后未能通過后測(cè)試。

# 結(jié)點(diǎn)溫度估計(jì)

- 在LTSpice中使用TO -247 -4L封裝的熱阻抗測(cè)量值為這個(gè)1200V、17mΩ的器件創(chuàng)建了一個(gè)Cauer熱模型。

- 測(cè)量的瞬時(shí)功率波形（

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