博客專欄

EEPW首頁(yè) > 博客 > 【安森美#專場(chǎng)直播】倒計(jì)時(shí)4天!How SiC is Shifting the Future of EV

【安森美#專場(chǎng)直播】倒計(jì)時(shí)4天!How SiC is Shifting the Future of EV

發(fā)布人:旺材芯片 時(shí)間:2022-05-28 來(lái)源:工程師 發(fā)布文章

來(lái)源:旺材芯片


傳統(tǒng)的電力電子系統(tǒng),多由硅(Si)為基礎(chǔ)的半導(dǎo)體元件構(gòu)成 ,其中硅基MOEFST以及IGBT應(yīng)用最廣泛。兩種器件有各自的優(yōu)缺點(diǎn),只能高效的應(yīng)用與各自的特定領(lǐng)域。隨著業(yè)界對(duì)功率,效率以及環(huán)境壓力的進(jìn)一步追求,傳統(tǒng)的硅基設(shè)計(jì)已進(jìn)入瓶頸期,無(wú)進(jìn)一步的提升性能的空間。


圖片


碳化硅(SiC)作為寬禁帶材料半導(dǎo)體(Wide BandGap)的代表,因其優(yōu)異特性備受業(yè)界矚目。然而,從Si到SiC的轉(zhuǎn)變?nèi)悦媾R著諸多挑戰(zhàn),尤其是封裝及應(yīng)用層面。這些挑戰(zhàn)阻礙了終端用戶充分發(fā)揮SiC的潛在性能。


因此這次報(bào)告著眼于此,從技術(shù)和市場(chǎng)的角度出發(fā),同時(shí)鑒于平臺(tái)粉絲以及線上參與者對(duì)SiC知識(shí)的強(qiáng)烈需求,我們圍繞“How SiC is Shifting the Future of EV”話題開(kāi)展了直播分享,吳桐先生也將給大家?guī)?lái)更深入的分享與解讀,談一下安森美半導(dǎo)體,針對(duì)如何幫助業(yè)界,更有效地實(shí)現(xiàn)從Si到SiC的迭代。


圖片


免費(fèi)!免費(fèi)!免費(fèi)!


01.

演講題目


How SiC is Shifting the Future of EV


02.

安森美半導(dǎo)體


安森美是一家領(lǐng)先的半導(dǎo)體制造商,提供80,000多款不同的器件和全球供應(yīng)鏈,為數(shù)以百計(jì)的市場(chǎng)的數(shù)以十萬(wàn)名客戶提供服務(wù)。Fairchild半導(dǎo)體和摩托羅拉是我們今天所知的技術(shù)行業(yè)的基石。當(dāng)前存在的幾乎每家技術(shù)公司都可以追溯它們的根基到這些先驅(qū)之一。


不過(guò),安森美不僅傳承了行業(yè)巨頭摩托羅拉和Fairchild半導(dǎo)體, 還傳承了Cherry Semiconductor、AMI Semiconductor、三洋半導(dǎo)體、Aptina Imaging Corporation、SensL Technologies和許多其他公司。


03.

主講專家


圖片

吳桐

首席碳化硅專家

中國(guó)區(qū)汽車(chē)OEM產(chǎn)品技術(shù)負(fù)責(zé)人


上海交通大學(xué)半導(dǎo)體物理專業(yè),數(shù)學(xué)專業(yè)輔修本科畢業(yè),美國(guó)田納西大學(xué)電氣工程博士學(xué)位。吳博士在半導(dǎo)體封裝,寬帶隙器件(SiC)應(yīng)用,電力電子設(shè)計(jì),自主電源模塊設(shè)計(jì)(電力電子設(shè)計(jì)4.0)方面擁有10多年的研發(fā)和工業(yè)經(jīng)驗(yàn)。


吳博士目前在安森美工作,擔(dān)任首席寬禁帶器件專家,負(fù)責(zé)大中華地區(qū)的SiC產(chǎn)品市場(chǎng)。深度了解新能源行業(yè)的市場(chǎng),供應(yīng)鏈,開(kāi)發(fā)流程以及解決方案。與國(guó)內(nèi)多家整車(chē)廠,主機(jī)廠保持著深度合作以及技術(shù)支持。加入安森美之前,他曾在SF Motors擔(dān)任技術(shù)主管,領(lǐng)導(dǎo)SiC功率模塊封裝和下一代牽引逆變器研發(fā)項(xiàng)目。他在美國(guó)田納西州橡樹(shù)嶺橡樹(shù)嶺國(guó)家實(shí)驗(yàn)室(ORNL)的電力電子和電機(jī)研究中心進(jìn)行了博士研究工作。在ORNL,他參與了多個(gè)項(xiàng)目,包括高功率密度電力電子系統(tǒng)的多目標(biāo)設(shè)計(jì)和優(yōu)化,寬帶隙功率半導(dǎo)體器件功率模塊封裝及其應(yīng)用。他已經(jīng)在國(guó)際會(huì)議和期刊上發(fā)表了40多篇論文,并在SiC功率模塊封裝方面獲得了多項(xiàng)美國(guó)專利。


04.

演講大綱


1. Limitation of SiC in HPD type package


2. Introduce the benefits of SiC Molded Package


*博客內(nèi)容為網(wǎng)友個(gè)人發(fā)布,僅代表博主個(gè)人觀點(diǎn),如有侵權(quán)請(qǐng)聯(lián)系工作人員刪除。



關(guān)鍵詞: 安森美

相關(guān)推薦

技術(shù)專區(qū)

關(guān)閉