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皮爾斯晶振電路的參數(shù)計(jì)算

發(fā)布人:yingjian 時(shí)間:2022-06-22 來(lái)源:工程師 發(fā)布文章

今天看一下皮爾斯晶振電路,就長(zhǎng)下面這個(gè)樣子。

圖片

皮爾斯晶振電路

來(lái)看一下電路參數(shù)作用及如何計(jì)算,幫助更好地設(shè)計(jì)MCU的晶振電路。

: 晶振內(nèi)部反饋電阻,它的作用是使反向器作為放大器工作,并接在Vin和Vout上,使放大器的Vout = Vin,從而強(qiáng)制它運(yùn)行在線(xiàn)性區(qū)內(nèi)。

不同的晶振,反饋電阻不一樣,如下ST給出了對(duì)應(yīng)的范圍。

圖片不同頻率晶振反饋電阻的范圍

這個(gè)參數(shù)我們可以不用管。

: 內(nèi)部的反相器,作為放大器來(lái)用。

: 晶振/晶體。

: 雜散電容,晶振的兩個(gè)腳與PCB線(xiàn)路的雜散電容,一般在2~7pF之間。

、: 匹配電容,我們需要計(jì)算的,公式如下:

: 晶振的負(fù)載電容,芯片的數(shù)據(jù)手冊(cè)上一般會(huì)給出。

假設(shè),,那:,則:。

: 外接電阻,這個(gè)電阻用來(lái)限制晶體的驅(qū)動(dòng)功率,當(dāng)晶體的功率耗散大于制造商的指定值,則要加,避免晶體被過(guò)驅(qū)動(dòng),當(dāng)晶體上的功率耗散小于制造商的指定值,則不需要加,或者為0歐姆。

下面這個(gè)公式,反應(yīng)了和的關(guān)系。

: 是晶體的最大驅(qū)動(dòng)功率。

: 晶體的等效串聯(lián)電阻。

和參數(shù)可以在晶振的規(guī)格書(shū)中找到。

是流過(guò)晶振電流的有效值(均方根),用表示,即:

流過(guò)晶振電流的峰峰值,用表示,等于有效值的倍,即:

我們?cè)儆檬静ㄆ鳒y(cè)量出晶振的驅(qū)動(dòng)電流,這個(gè)值超過(guò)時(shí),就需要加了。

圖片用示波器測(cè)試晶振的驅(qū)動(dòng)電流

當(dāng)確定了需要加,如何計(jì)算呢?

圖片和構(gòu)成低通濾波器

如上圖,和其實(shí)構(gòu)成了一個(gè)低通濾波器,通帶頻率不能小于諧振頻率,即可算出初始值。

π

算出后,還要再計(jì)算一下晶振的增益余量,增益余量用表示,增益裕量值為5是保證振蕩器有效起振的最小值。

: 是晶振的跨導(dǎo),在芯片的規(guī)格書(shū)中可以看到這個(gè)參數(shù)。

圖片

: 是的臨界值,有一個(gè)公式:

和都是已知的,可以算出增益余量,有的規(guī)格書(shū)會(huì)直接給出這個(gè)參數(shù)。

電路加了后,的公式里面需要加上,變?yōu)椋?/p>

需要重新計(jì)算增益余量,看是否達(dá)到要求。

上面公式中的一些參數(shù)都可以在晶振的規(guī)格書(shū)中找到。

圖片晶振規(guī)格書(shū)里面的一些參數(shù)


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