剛剛，首個3nm量產(chǎn)官宣！
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芯東西6月30日報道，今天上午，三星電子官宣，已開始量產(chǎn)基于GAA晶體管（Gate-All-Around FET，全環(huán)繞柵極）結(jié)構(gòu)的3nm芯片。
▲三星代工業(yè)務(wù)和半導(dǎo)體研發(fā)中心的領(lǐng)導(dǎo)者舉起三根手指作為3nm的象征，慶祝該公司首次生產(chǎn)采用GAA架構(gòu)的3nm工藝（圖片來源：三星電子）
與5nm制程相比，3nm制程降低了45%的功耗，提升了23%的性能，并減小了16%的面積。三星電子正在位于首爾南部華城市的晶圓廠生產(chǎn)3nm芯片。這是全球首次采用GAA晶體管結(jié)構(gòu)的芯片，標(biāo)志著芯片制造進入了新的時代。三星電子稱，其GAA晶體管芯片將應(yīng)用于高性能、低功耗計算領(lǐng)域，并計劃擴展到移動處理器。據(jù)外媒報道，一家中國礦機芯片公司將成為三星電子3nm制程的首位客戶，高通也預(yù)定了三星電子的3nm制程。芯東西
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01.晶體管結(jié)構(gòu)進入GAA時代第二代3nm制程性能參數(shù)宣布
▲三星電子晶體管結(jié)構(gòu)路線圖（圖片來源：三星電子）
三星電子的3nm制程將能夠調(diào)整通道寬度，以適應(yīng)更多客戶的需要。三星電子還強調(diào)，其GAA技術(shù)的設(shè)計優(yōu)勢來自于DTCO（設(shè)計技術(shù)協(xié)同優(yōu)化），這能夠幫助提升芯片的PPA（性能、功率、面積）。和5nm制程相比，三星電子的第一代3nm制程能夠降低45%的功耗，提升了23%的性能，并減小16%的面積。而第二代3nm制程將有進一步的優(yōu)化，將降低50%的功耗，提升30%的性能，降低35%的面積。此外，三星電子還提到，自2021年第三季度開始，其和Ansys、Cadence、Siemens、Synopsys等SAFE（Samsung Advanced Foundry Ecosystem）合作伙伴一起提供了經(jīng)過驗證的設(shè)計基礎(chǔ)，這幫助三星電子的客戶在短時間內(nèi)完善了它們的產(chǎn)品。三星電子總裁兼代工業(yè)務(wù)負責(zé)人Siyoung Choi稱：“我們將繼續(xù)在具有競爭力的技術(shù)開發(fā)中積極創(chuàng)新，并建立有助于加速技術(shù)成熟的流程?！?/span>據(jù)日經(jīng)亞洲報道，三星電子正在位于韓國首爾南部的華城市生產(chǎn)3nm芯片。
▲三星電子副總裁Michael Jeong（左一）、企業(yè)執(zhí)行副總裁Ja-Hum Ku（左二）、三星代工業(yè)務(wù)公司副總裁Sang Bom Kang（左三）正在三星電子華城園區(qū)的生產(chǎn)線上舉起3nm晶圓（圖片來源：三星電子）
02.三星3nm首個客戶或為中國公司臺積電下半年量產(chǎn)3nm
03.結(jié)語：三星率先開啟GAA晶體管時代先進制程之戰(zhàn)進入白熱化
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