南大一份公告，揭露國(guó)產(chǎn)光刻膠的“難”

來(lái)源：拓墣產(chǎn)業(yè)研究

近日，南大光電發(fā)布了幾份公告，就公司發(fā)布債券的相關(guān)問(wèn)詢(xún)向深圳證券交易所回復(fù)。在這些回復(fù)中，除了深入解讀證券交易所關(guān)注的半導(dǎo)體先進(jìn)制程用前驅(qū)體產(chǎn)品產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目、高純磷烷、砷烷擴(kuò)產(chǎn)及砷烷技改項(xiàng)目、電子級(jí)三氟化氮項(xiàng)目的相關(guān)問(wèn)題外，還談及了公司之前募資所專(zhuān)注的光刻膠項(xiàng)目。

從這個(gè)回答，我們可以看到國(guó)產(chǎn)光刻膠的“難”。

首先在關(guān)鍵設(shè)備采購(gòu)方面，南大光電表示，實(shí)現(xiàn) 14-90nm 制程芯片用光刻膠產(chǎn)業(yè)化是前次募投光刻膠的主要任務(wù)和目標(biāo)。而缺陷檢測(cè)設(shè)備系 28nm 以下制程芯片用光刻膠制備所必需的設(shè)備。事實(shí)上，公司已和美國(guó)供應(yīng)商確立合作意愿，但目前交貨周期需要延長(zhǎng)，具體交付時(shí)間尚存不確定性，且該設(shè)備在當(dāng)時(shí)環(huán)境下確實(shí)需要依賴(lài)進(jìn)口。

“缺陷檢測(cè)設(shè)備的缺失給 28nm 以下制程芯片用光刻膠產(chǎn)品產(chǎn)業(yè)化帶來(lái)困難，進(jìn)而影響了整體募投項(xiàng)目實(shí)施進(jìn)度?！蹦洗蠊怆姺矫鎻?qiáng)調(diào)。

他們同時(shí)指出，公司曾嘗試采取委托外包方式解決這一問(wèn)題。但 28nm 以下制程芯片用光刻膠若采用委外檢測(cè)，則會(huì)導(dǎo)致參數(shù)性能的較大不確定性，自主控制和調(diào)試難度較高，且由于目前國(guó)內(nèi) 28nm 以下制程用光刻膠缺陷檢測(cè)設(shè)備主要集中在下游客戶(hù)處，因此檢測(cè)成本也將難以有效控制，故不做首選方案。

南大同時(shí)也在積極考慮切換其他供應(yīng)渠道。通過(guò)不同渠道對(duì)比，公司了解到目前已有國(guó)產(chǎn)設(shè)備正在測(cè)試且即將實(shí)現(xiàn)商用。出于使用指導(dǎo)、設(shè)備維護(hù)、維修便捷等因素，公司正在評(píng)估和考慮選擇國(guó)產(chǎn)設(shè)備供應(yīng)。

南大光電在公告中表示，光刻膠項(xiàng)目所需的光刻車(chē)間已建成，本次募投項(xiàng)目所需的主要先進(jìn)光刻設(shè)備，如 ASML 浸沒(méi)式光刻機(jī)、CD-SEM（特征尺寸測(cè)量用掃描電子顯微鏡）、涂膠顯影一體機(jī)等已經(jīng)完成安裝并投入使用。已經(jīng)生產(chǎn)出多款樣品發(fā)往下游客戶(hù)驗(yàn)證，已具備了 ArF 光刻膠及配套材料產(chǎn)業(yè)化的基本條件。

在問(wèn)到“有關(guān)客戶(hù)驗(yàn)證需求變化、公司實(shí)際經(jīng)營(yíng)情況”的相關(guān)問(wèn)題時(shí)。南大回應(yīng)道，因客觀市場(chǎng)和公司經(jīng)營(yíng)情況發(fā)生的變化，目前實(shí)際情況與 2021 年募資時(shí)回復(fù)材料內(nèi)容披露的情況存在部分差異。

一方面，由于進(jìn)口原材料供應(yīng)受到國(guó)際貿(mào)易影響，下游集成電路客戶(hù)驗(yàn)證需求和驗(yàn)證標(biāo)準(zhǔn)都發(fā)生了變化；同時(shí)，光刻膠規(guī)格不符、質(zhì)量不穩(wěn)定會(huì)導(dǎo)致芯片產(chǎn)品良率的大幅下降，因此各晶圓廠對(duì)光刻膠替換所持的謹(jǐn)慎態(tài)度，綜合導(dǎo)致部分產(chǎn)品驗(yàn)證進(jìn)度放緩，雖然部分制程產(chǎn)品產(chǎn)線基本建設(shè)完畢，但產(chǎn)品驗(yàn)證完成后產(chǎn)量才能逐步爬坡。且由于公司主要晶圓廠客戶(hù)驗(yàn)證標(biāo)準(zhǔn)變化，在批次產(chǎn)品穩(wěn)定性上需要投入更多精力。

南大光電進(jìn)一步解析說(shuō)，公司前次募投擬產(chǎn)業(yè)化的 193nm ArF 光刻膠產(chǎn)品目前仍然需要經(jīng)過(guò)較長(zhǎng)時(shí)間的客戶(hù)驗(yàn)證，才能達(dá)到可批量生產(chǎn)的相對(duì)成熟狀態(tài)。且由于下游需求的差異性和復(fù)雜性，發(fā)行人目前送驗(yàn)的產(chǎn)品種類(lèi)也無(wú)法完全覆蓋下游不同客戶(hù)的不同工藝、不同環(huán)節(jié)的用膠需求。因此，即使發(fā)行人目前主打的 ArF 光刻膠細(xì)分產(chǎn)品種類(lèi)產(chǎn)業(yè)化推進(jìn)順利，仍然面臨來(lái)自進(jìn)口企業(yè)及其他國(guó)產(chǎn)供應(yīng)商的市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)壓力。

目前，國(guó)內(nèi)比較成熟的晶圓廠在驗(yàn)證國(guó)產(chǎn)光刻膠時(shí)大多采用“替代型驗(yàn)證”，即要求國(guó)產(chǎn)產(chǎn)品在光刻，刻蝕，OPC 修正等性能方面同 Fab 廠現(xiàn)在使用的光刻膠能夠完全匹配，高端制程誤差要求在+/- 2nm 范圍內(nèi)，以滿(mǎn)足其現(xiàn)有產(chǎn)線、工藝的要求，減少其調(diào)試成本。同時(shí)，因使用芯片制程、用途不同，即便同為 193nm ArF 光刻膠，不同客戶(hù)的不同產(chǎn)線、工藝等也會(huì)對(duì)參數(shù)要求大不相同，對(duì)應(yīng)光刻膠產(chǎn)品的配方就會(huì)有所區(qū)別。

例如 LANs base 線條層由于線條寬窄、布線規(guī)模、線條間距等不同，對(duì)光刻膠的需求均不一樣；Hole 孔柱用光刻膠因孔型大小不同也對(duì)參數(shù)有特別規(guī)定；Metal 金屬布線層在 Fab 端從圖片到出品，需要經(jīng)過(guò)多遍以上全生產(chǎn)過(guò)程，每遍所要求的參數(shù)也有不同。此外，存儲(chǔ)芯片、邏輯芯片等不同芯片類(lèi)型對(duì)光刻膠的驗(yàn)證要求也存在差異。

因此，公司 ArF 光刻膠產(chǎn)品除需要除針對(duì)不同客戶(hù)需求開(kāi)展產(chǎn)品驗(yàn)證外，又由于上述不同工藝、不同環(huán)節(jié)所產(chǎn)生的不同使用需求，即使針對(duì)同一客戶(hù)也需要多款產(chǎn)品同時(shí)送驗(yàn)，并逐一進(jìn)行單獨(dú)驗(yàn)證，甚至需要多種產(chǎn)品組的綜合驗(yàn)證通過(guò)后才會(huì)被采用。

因此，盡管在 193nm ArF 光刻膠領(lǐng)域公司目前具有一定的先發(fā)優(yōu)勢(shì)，但若未來(lái)公司未能準(zhǔn)確把握下游市場(chǎng)需求變化、及時(shí)調(diào)整研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化重點(diǎn)，或因未能及時(shí)生產(chǎn)、調(diào)試出符合不同廠商、不同工藝、不同環(huán)節(jié)所需的產(chǎn)品，則公司仍存在喪失市場(chǎng)先機(jī)，進(jìn)而在高端光刻膠領(lǐng)域相對(duì)其他國(guó)產(chǎn)供應(yīng)商領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)減小的風(fēng)險(xiǎn)。

盡管近年來(lái)國(guó)內(nèi)光刻膠市場(chǎng)保持了良好的增長(zhǎng)趨勢(shì)，但以 ArF 光刻膠為代表的高端光刻膠領(lǐng)域國(guó)內(nèi)市場(chǎng)份額仍然較小，長(zhǎng)期為國(guó)外巨頭所壟斷。根據(jù)華經(jīng)產(chǎn)業(yè)研究院統(tǒng)計(jì)，2021 年全球光刻膠市場(chǎng)份額中，日本廠商?hào)|京應(yīng)化、合成橡膠（JSR）、住友化學(xué)及富士膠片的市場(chǎng)占有率合計(jì)達(dá)到 60%，美國(guó)陶氏化學(xué)市占率 17%，韓國(guó)東進(jìn) 11%。

在 ArF 光刻膠領(lǐng)域，合成橡膠（JSR）以 24%的市場(chǎng)份額位居全球第一，國(guó)內(nèi) ArF 光刻膠幾乎全部依賴(lài)進(jìn)口，日本及美國(guó)公司占據(jù)了絕對(duì)主導(dǎo)地位。

這種高端光刻膠長(zhǎng)期為國(guó)外企業(yè)壟斷的狀況，使我國(guó)芯片制造一直處于“卡脖子”困境，亟待實(shí)現(xiàn)國(guó)產(chǎn)替代。由于高端光刻膠的保質(zhì)期很短（通常只有 6 個(gè)月左右甚至更短），一旦遇到進(jìn)口“限供”甚至“斷供”，勢(shì)必面臨國(guó)內(nèi)芯片企業(yè)短期內(nèi)全面停產(chǎn)的嚴(yán)重不利局面。

因此這也對(duì)國(guó)產(chǎn)替代產(chǎn)品提出了更高要求，例如在產(chǎn)品的應(yīng)用兼容度、性能穩(wěn)定性、雜質(zhì)純度等諸多方面，目前既要趕超進(jìn)口產(chǎn)品，還要滿(mǎn)足下游晶圓廠的產(chǎn)線技術(shù)要求；原本是對(duì)單項(xiàng)產(chǎn)品性能、參數(shù)開(kāi)展獨(dú)立驗(yàn)證，目前也增加至多種產(chǎn)品組的綜合驗(yàn)證通過(guò)后方可采用。因此，下游客戶(hù)原材料供應(yīng)需求的變化使得其對(duì)送驗(yàn)產(chǎn)品的需求也發(fā)生了變化，進(jìn)而直接影響了發(fā)行人研發(fā)、驗(yàn)證工作的進(jìn)行。

南大同時(shí)指出，由于光刻膠（特別是 193nmArF 及 EUV 等高制程芯片用光刻膠）系研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化難度極高的精細(xì)化學(xué)品，在分辨率（關(guān)鍵尺寸大?。?duì)比度（曝光區(qū)到非曝光區(qū)過(guò)渡的陡度）、敏感度（最小曝光量）、粘滯性（膠體厚度）、粘附性（黏著于襯底的強(qiáng)度）、抗蝕性（保持粘附性的能力）、表面張力、存儲(chǔ)和傳送方面都具有多元化且極高的要求，同時(shí)對(duì)樹(shù)脂型聚合物、光引發(fā)劑、溶劑、活性稀釋劑及其他助劑等原材料的要求也非?？量?，光刻膠規(guī)格不符、質(zhì)量不穩(wěn)定會(huì)導(dǎo)致芯片產(chǎn)品良率的大幅下降，因此各晶圓廠對(duì)光刻膠大規(guī)模替換普遍持謹(jǐn)慎態(tài)度。

另一方面，新冠疫情也對(duì)公司實(shí)際經(jīng)營(yíng)造成較大影響，具體體現(xiàn)在驗(yàn)證效率降低、委外檢測(cè)實(shí)施困難以及設(shè)備維修難度增大等方面。對(duì)于市場(chǎng)、客戶(hù)需求的變化，公司在前次募資驗(yàn)證時(shí)無(wú)法充分預(yù)計(jì)，因此未能考慮在內(nèi)，致使目前實(shí)際實(shí)施進(jìn)度不及預(yù)期，對(duì)此，公司自身也做出了適當(dāng)調(diào)整。

為增加光刻膠項(xiàng)目產(chǎn)品銷(xiāo)量、提升產(chǎn)品市場(chǎng)地位，隨著研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化重點(diǎn)的調(diào)整轉(zhuǎn)移，原有部分在驗(yàn)證產(chǎn)品的驗(yàn)證進(jìn)度也會(huì)受到影響。