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石英晶振常用術(shù)語解釋

發(fā)布人:晶鴻興科技 時(shí)間:2022-07-06 來源:工程師 發(fā)布文章

無源晶振有源晶振SEIKO晶振.jpg


1、標(biāo)稱頻率:晶振是一種頻率元器件,每一款晶振都有自己的頻率。頻率通常會(huì)標(biāo)識(shí)在產(chǎn)品外殼上,進(jìn)口晶振品牌則會(huì)有品牌的logo標(biāo)識(shí)又或字母代替。


2、溫度頻差:在規(guī)定條件下,在工作溫度范圍內(nèi)相對(duì)于基準(zhǔn)溫度(25±2℃)時(shí)工作頻率的允許偏差。


3、工作頻率:晶體與工作電路共同產(chǎn)生的頻率。


4、調(diào)整頻差:在規(guī)定條件下,基準(zhǔn)溫度(25±2℃)時(shí)工作頻率相對(duì)于標(biāo)稱頻率所允許的偏差。


5、負(fù)載諧振頻率(fL):在規(guī)定條件下,晶體與一負(fù)載電容相串聯(lián)或相并聯(lián),其組合阻抗呈現(xiàn)為電阻性時(shí)的兩個(gè)頻率中的一個(gè)頻率,在串聯(lián)負(fù)載電容時(shí),負(fù)載諧振頻率是兩個(gè)頻率中較低的一個(gè),在并聯(lián)負(fù)載電容時(shí),則是兩個(gè)頻率中較高的一個(gè)。


6、動(dòng)態(tài)電阻:串聯(lián)諧振頻率下的等效電阻,用R1表示。


7、負(fù)載諧振電阻:在負(fù)載諧振頻率時(shí)呈現(xiàn)的等效電阻,用RL表示:RL=R1(1+C0/CL)2。


8、激勵(lì)電平:晶體工作時(shí)所消耗功率的表征值。晶振激勵(lì)電平可選值有:2mW、1mW、0.5mW 、0.2mW、0.1mW、50μW、20μW、10μW、1μW、0.1μW等。


9、基頻:在振動(dòng)模式最低階次的振動(dòng)頻率。


10、老化率:在規(guī)定條件下,晶體工作頻率隨時(shí)間而允許的相對(duì)變化,以年為時(shí)間單位衡量時(shí)稱為年老化率。


11、靜電容:等效電路中與串聯(lián)臂并接的電容,也叫并電容,通常用C0表示。


12、負(fù)載電容:與晶體一起決定負(fù)載諧振頻率fL的有效外界電容,通常用CL表示。負(fù)載電容系列是:8PF、12PF、15PF、20PF、30PF、50PF、100PF。只要可能就應(yīng)選推薦值:10PF、20PF、30PF、50PF、100PF。32.768K晶振常用的負(fù)載電容為12.5PF,6PF,9PF等。


13、泛音:晶體振動(dòng)的機(jī)械諧波。泛音頻率與基頻頻率之比接近整數(shù)倍但不是整數(shù)倍,這是它與電氣諧波的主要區(qū)別。泛音振動(dòng)有3次泛音,5次泛音,7次泛音,9次泛音等。


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