臺積電3納米恐是敗筆

臺積電成臺股震央，臺積電將在7月14日舉行法說會，知名半導(dǎo)體分析師陸行之表示，臺積電加速被外資賤賣，看起來下半年將量產(chǎn)的3納米是一大敗筆，7月14日別再浪費時間在第2季數(shù)字，投資更應(yīng)擔(dān)憂長期營收成長目標(biāo)、客戶訂單延遲、產(chǎn)用率、毛利率等4大問題。

外資****臺積電不停歇，陸行之表示，看起來即使臺積電加速被外資賤賣，公司還是不宣布短期營收增長趨勢改變，資本開支大增在產(chǎn)能利用率下滑后，對獲利率的風(fēng)險。

陸行之也罕見指出，臺積電今年下半年量產(chǎn)的3納米制程（N3），看起來是一大敗筆，明顯跟5納米、7納米量產(chǎn)時程間隔多延遲半年，不但讓Apple無法在9月份要推出的新手機采用，在上周的技術(shù)論壇似乎干脆把3納米省略不比，直接拿3納米升級版（N3E）來跟5納米比。

如果3納米升級版才是2023年貢獻(xiàn)臺積電營收的主力的3納米產(chǎn)品，那表示3納米升級版，對比過去的先進(jìn)制程足足多了至少1年，這也難怪2納米要被延遲到2025年下半年才能量產(chǎn)出貨了，送給了競爭者1年喘息的空間。

市場關(guān)注臺積電7月14日法說會，但陸行之點出，別再浪費時間在第2季數(shù)字，投資更應(yīng)擔(dān)憂長期營收成長目標(biāo)、客戶訂單延遲、產(chǎn)用率、毛利率等4大問題：

1. 臺積電2023-2024年的營收增長是否會低于先前提供，15-20%年復(fù)合成長率目標(biāo)？是否下修？如果目標(biāo)沒變，公司是否考量（factored in) 客戶的庫存反向減少及全球通膨／股市崩跌對科技產(chǎn)品及半導(dǎo)體需求的重大影響，而不是靠著客戶可延遲及取消的在手訂單來擴產(chǎn)及告訴投資人。

2. 臺積電對重大客戶延遲或取消長約訂單是否有處罰或分?jǐn)倱p失機制？

3. 12吋先進(jìn)制程，12吋成熟制程，8吋特殊制程產(chǎn)能利用率要下滑到多少，公司才會考量將資本開支采煞車。

4. 一切假設(shè)基礎(chǔ)不變，假如產(chǎn)能利用率下滑10%，20%，對公司毛利率的影響有多大。

高盛證券則指出，雖然2023年看起來充滿挑戰(zhàn)，同步面臨需求不確定性、通膨與2022年高基期考驗，然臺積電透過3納米制程順利量產(chǎn)與漲價策略，看好仍可端出優(yōu)異表現(xiàn)。針對即將到來的法說會，高盛提出觀察重點有：

一、臺積電對終端需求看法如何，尤其在高效能運算（HPC）領(lǐng)域，以及整體半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)（不含記憶體）在通膨環(huán)境中的長線成長預(yù)期。

二、臺積電可望釋出更多擴產(chǎn)細(xì)節(jié)，并期待臺積電對成熟制程供需狀況提出最新觀察。

三、臺積電3納米制程2021年底進(jìn)入風(fēng)險試產(chǎn)，量產(chǎn)時程在下半年，然而半導(dǎo)體設(shè)備供貨出現(xiàn)延遲，對臺積電有何潛在影響？

N3：未來三年的五個節(jié)點

隨著制造工藝變得越來越復(fù)雜，它們的尋路、研究和開發(fā)時間也變得越來越長，因此我們不再看到臺積電和其他代工廠每兩年就會出現(xiàn)一個全新的節(jié)點。在 N3 中，臺積電的新節(jié)點引入節(jié)奏將擴大到 2.5 年左右，而在 N2 中，它將延長到 3 年左右。

這意味著臺積電將需要提供 N3 的增強版本，以滿足其客戶的需求，這些客戶仍在尋求每瓦性能的改進(jìn)以及晶體管密度每年左右的提升。臺積電及其客戶需要多個版本的 N3 的另一個原因是，代工廠的 N2 依賴于使用納米片實現(xiàn)的全新柵極環(huán)繞場效應(yīng)晶體管 (GAA FET)，預(yù)計這將帶來更高的成本、新的設(shè)計方法、新 IP 和許多其他變化。雖然尖端芯片的開發(fā)人員將很快轉(zhuǎn)向 N2，但臺積電的許多普通客戶將在未來幾年堅持使用各種 N3 技術(shù)。

在其 2022 年臺積電技術(shù)研討會上，該代工廠談到了將在未來幾年推出的四種 N3 衍生制造工藝（總共五個 3 納米級節(jié)點）——N3E、N3P、N3S 和 N3X。這些 N3 變體旨在為超高性能應(yīng)用提供改進(jìn)的工藝窗口、更高的性能、增加的晶體管密度和增強的電壓。所有這些技術(shù)都將支持 FinFlex，這是 TSMC 的“秘密武器”功能，極大地增強了他們的設(shè)計靈活性，并允許芯片設(shè)計人員精確優(yōu)化性能、功耗和成本。

*請注意，臺積電在 2020 年左右才開始分別發(fā)布針對模擬、邏輯和 SRAM 的晶體管密度增強。其中一些數(shù)字仍然反映了由 50% 邏輯、30% SRAM 和 20% 模擬組成的“混合”密度