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概括本文主要講解芯片形成的過程。沙子是怎么變成芯片的?在開始介紹電的一系列基本概念和各種繁瑣的公式之前,我想先解決一下我們大多數(shù)人一直以來的疑惑。但是,這個問題還是很難一言以蔽之,至少得用十幾節(jié)來完成這本書所包含的所有知識。所以在本節(jié)中,我將重點回答最有趣和最重要的部分:沙子是如何變成晶體管的?
目錄
Ⅰ 從砂到芯片--芯片形成過程 |
Ⅱ 什么是半導(dǎo)體 |
Ⅲ PN結(jié)和二極管 |
Ⅳ 金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET) |
Ⅴ N+型半導(dǎo)體 |
Ⅵ 常見問題 |
Ⅰ 從砂到芯片--芯片形成過程
PN結(jié)是一種廣泛存在于半導(dǎo)體器件中的結(jié)構(gòu)。它實際上不是一個非常精確的結(jié)構(gòu)。PN 結(jié)實際上是指在 P 型半導(dǎo)體和 N 型半導(dǎo)體的接觸部分附近發(fā)生的耗盡的現(xiàn)象。
這里有很多術(shù)語,如果我從各種百科全書中提取一點點,組合起來的東西幾乎是這樣的。一開始,為什么二極管具有單向?qū)щ娦?,而三極管為什么可以放大電流?為什么 JFET 可以限制電流的問題一直困擾著我。
各大高校教材的問題是從來沒有講過詳細(xì)的原理,即使講了也看不懂,導(dǎo)致問題越來越多,公式、理論也很難記住。直到很久以前,我才終于明白他們的原則。為了便于大家理解后面的系列理論,第一部分會非常詳細(xì),為后續(xù)的學(xué)習(xí)打下堅實的基礎(chǔ)。
Ⅱ 什么是半導(dǎo)體
讓我們來談?wù)勈裁词前雽?dǎo)體。半導(dǎo)體是導(dǎo)電性能介于導(dǎo)體和絕緣體之間的材料。我們知道導(dǎo)體和絕緣體的區(qū)別在于導(dǎo)體中有大量的自由電子,而絕緣體中幾乎沒有自由電子。那么,純硅晶能導(dǎo)電嗎?
純硅晶
上圖中,藍(lán)色實心球體為硅原子,藍(lán)色空心球體為電子。硅原子是正四價的,所以一個原子周圍有四個電子(8-4=4)。每個硅原子與周圍的硅原子共享四個電子,形成八個電子的穩(wěn)定結(jié)構(gòu)。在這種情況下,純硅晶體中幾乎沒有自由電子——電子被共價鍵牢固地束縛在一起,所以純硅晶體是絕緣體。
那么我們?nèi)绾卧鰪姽杈w的導(dǎo)電性呢?第一種方法是增加自由電子。加上自由電子后,由于電子帶負(fù)電,所以我們把帶有自由電子的硅晶體稱為N型半導(dǎo)體,其中“N”是“負(fù)”的縮寫。添加自由電子的操作專業(yè)稱為摻雜。聰明的學(xué)生可以從這個學(xué)期開始思考如何將自由電子添加到晶體中。
我們需要用比硅的價數(shù)更高的原子替換硅原子,這樣這個原子周圍就會有 9 個電子。這個額外的電子將成為自由電子并增強晶體的導(dǎo)電性。摻雜該步驟通常通過使用離子束在真空中轟擊硅晶體來完成。離子將撞擊一部分硅原子,并將所需的原子注入到離子實施中。
負(fù)半導(dǎo)體
什么原子的價數(shù)比硅高?磷作為雜質(zhì),含量非常低,可以將這些磷原子近似為晶體的一部分。在正常情況下,磷的額外電子留在供體原子附近。但是,一旦我們在半導(dǎo)體材料的兩側(cè)施加電壓,由于八個電子的穩(wěn)定性高于九個電子,Si和P原子都會“丟棄”電子,變成自由電子,從負(fù)極電池。跑到電池的正極。定向運動的自由電子產(chǎn)生電能。
自由電子的定向運動
既然我們知道“N”代表“負(fù)”,那么自然而然,“P”就代表“正”。在解釋什么是P型半導(dǎo)體之前,我要問幾個問題:
(1)如何使硅晶還原電子?
(2)我們使用的雜質(zhì)應(yīng)該更活潑還是更穩(wěn)定?
(3)雜質(zhì)的性質(zhì)是離硅近還是遠(yuǎn)?
(4)什么樣的雜質(zhì)比較容易添加?
答案是第五元素硼。硼具有多種優(yōu)良特性。首先,它是第三族的主要元素,所以它的最外層有三個電子,比硅少一個,所以摻雜在硅晶體中時,整個缺乏自由電子。其次,硼是第三主族中唯一與硅相似的非金屬元素,與硅有很強的相似性。最后,硼是穩(wěn)定的、重量輕的,并且很容易植入到硅晶體中。
將硼注入硅晶體
硼是一種黑色粉末狀固體,所以我在這里用黑球代替了它。它旁邊有一個虛線球。這是一個電子空穴,這意味著該位置缺少一個電子。所以我們可以想到這個洞。正充電。
我們稱電子和空穴電荷載流子。它們帶有自己的電荷,可以充當(dāng)電流發(fā)生器??椎母拍羁赡芴橄罅?,但我們可以這樣理解:把孔想象成一杯水中的氣泡,杯子的重力勢低,所以我們把它想象成電池的負(fù)極,杯底為正極。
然后我們將水分子視為電子。氣泡上方的水分子會去到杯底,然后在原來的水分子所在的位置產(chǎn)生一個新的氣泡,從而造成氣泡向上移動的錯覺。在電路中,電子也受到電壓的影響來填充這個空穴。然后原始電子的位置被空穴代替。似乎空穴從正極移動到負(fù)極。
電荷載體
Ⅲ PN結(jié)和二極管現(xiàn)在我們終于可以談?wù)?PN 結(jié)了。前面我們說過,PN結(jié)是一種存在于P型半導(dǎo)體和N型半導(dǎo)體之間的現(xiàn)象。
PN結(jié)
從現(xiàn)在開始,P型半導(dǎo)體的顏色將由空穴橙色代表,N型半導(dǎo)體的顏色將由電子藍(lán)代表。
在P型半導(dǎo)體和N型半導(dǎo)體的接觸面附近,N型半導(dǎo)體的電子被填充到P型半導(dǎo)體的空穴中,導(dǎo)致PN結(jié)中沒有載流子。空穴對電子的吸引力仍然很大。在P型半導(dǎo)體的部分,空穴被電子填充,但P型半導(dǎo)體中所含的雜質(zhì)是硼,硼外只有三個電子。
當(dāng)空穴被填滿時,硼周圍有四個電子,又多了一個電子,所以整體帶負(fù)電。同理,在N型半導(dǎo)體的部分,電子跑到P型半導(dǎo)體的空穴中,熒光粉周圍少了一個電子,所以整體帶正電。在該區(qū)域,電子填充所有空穴[1],導(dǎo)致沒有自由移動的載流子攜帶電荷,因此電流不能很好地通過該區(qū)域。P型半導(dǎo)體和N型半導(dǎo)體單獨時可以導(dǎo)電,但放在一起時則具有單向?qū)щ娦?,此時就形成了二極管。
二極管
我們將二極管的 P 形半導(dǎo)體部分稱為陽極,將 N 形半導(dǎo)體部分稱為陰極。這很容易理解。復(fù)習(xí)之前的知識:空從正極流向負(fù)極,電子從負(fù)極流向正極。P型半導(dǎo)體的空心和N型半導(dǎo)體的電子在正向電壓的幫助下被擠壓向PN結(jié),使載流子在PN結(jié)的兩側(cè)重新獲得并具有導(dǎo)電能力. 對于硅二極管,只要正向電壓超過0.7V,PN結(jié)的寬度就會收縮得足夠短,以允許電流通過二極管。
我已經(jīng)用電路符號替換了上面的電池。相應(yīng)地,二極管也有自己的電路符號,更長一些:
二極管電路符號
那么,如果我們對二極管施加反向電壓會怎樣?您可能會考慮電子和空穴的運動方向。想一想PN結(jié)的寬度會不會發(fā)生變化。這種變化對電流有什么影響?
向二極管施加反向電壓
同樣,空穴流向負(fù)極,電子流向正極,載流子遠(yuǎn)離PN結(jié),不存在載流子的區(qū)域變大,PN結(jié)變寬,導(dǎo)致無電流流動,并施加反向電壓。電流越大,通過二極管的電流越小。因此,二極管具有單向?qū)щ娦?,只能允許電流從陽極流向陰極。[2]
電流電壓圖
上圖是電流-電壓圖,顯示了在不同電壓下可以通過二極管的電流。圖中紅線代表硅二極管,藍(lán)線代表鍺二極管。鈮和硅一樣,也是一種很好的半導(dǎo)體材料。二極管有一個稱為閾值電壓的值。高于此值,二極管開始導(dǎo)通。對于硅二極管,該值為 0.7V。對于鍺二極管,該值為 0.2V [3]。還有一個值叫做擊穿電壓。這個值我們講整改的時候會提到。
做完這些準(zhǔn)備工作,我們終于可以聊聊晶體管了。CPU中有數(shù)十億個晶體管,但是這數(shù)十億個晶體管的結(jié)構(gòu)完全相同,只是連接方式發(fā)生了變化。CPU使用的晶體管可以有自己的名字:MOSFET。
Ⅳ 金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)
1926年,當(dāng)國民政府發(fā)起的北伐如火如荼之際,在大洋彼岸的美國,物理學(xué)家朱利葉斯·埃德加·利連費爾德曾申請對下世紀(jì)電子學(xué)的發(fā)展產(chǎn)生重要影響。 . 專利 - 控制電流的方法和裝置是該專利首次提出場效應(yīng)晶體管的工作原理。此后到1960年,雖然兩代場效應(yīng)半導(dǎo)體器件——JFET和MOSFET相繼問世,但中國對此毫無貢獻。直到今天,中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)仍落后于世界水平。
控制電流的方法和裝置
MOSFET的全名是可怕的。它的英文名稱叫Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor。中文名稱為金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管。我希望您也能體會到 MOSFET 的魅力——低到可以忽略不計的功耗、極其簡單的結(jié)構(gòu)和加工技術(shù)以及引人入勝的工作原理。
我們注意到 MOSFET 是一個場效應(yīng)晶體管。什么是場效應(yīng)?早年我們都學(xué)過磁場,知道異性會吸引異性。對于電子產(chǎn)品,也會產(chǎn)生電場。同電場和磁場一樣,是同性排斥,異性吸引電子。電子會排斥電子,但電子會吸引空穴,反之亦然。這個說法很簡單,只是給學(xué)生一個概念。在下面的部分中我將詳細(xì)介紹電場。
電場
我們都知道晶體管的作用是用小電流控制大電流。所以晶體管一般有三個引腳。兩個負(fù)責(zé)電流輸入輸出,一個負(fù)責(zé)控制開合。關(guān)鍵是如何打開和關(guān)閉它。我們必須使輸入阻抗盡可能大。
什么是輸入阻抗?輸入阻抗是從控制引腳到輸出引腳的電阻值。如果輸入阻抗低,控制引腳上的電流很容易從輸出引腳流出。每個控件都會有一點點打開和關(guān)閉。電流從輸出引腳流出,這是一種浪費。如果輸入阻抗大,那么控制腳上的電流就不容易從輸出腳流出,因為電阻起到了阻斷電流的作用。理想狀態(tài)是輸入阻抗無窮大,這樣控制電流根本不消耗能量,CPU的功耗可以降到幾乎為零。
MOSFET 使用一種非常神奇的方式來控制電流。它的輸入引腳和輸出引腳由兩個獨立的N型半導(dǎo)體相連。兩個N型半導(dǎo)體填充有P型半導(dǎo)體。在中間的 P 型半導(dǎo)體上方,有一層薄薄的二氧化硅。(Oxide)絕緣層,上面是金屬板,金屬板連接控制引腳。
所以稱為金屬/氧化物/半導(dǎo)體/場效應(yīng)/晶體管。
MOSFET結(jié)構(gòu)
在 MOSFET 中,我們將輸入引腳稱為源極 G,將輸出引腳稱為漏極 D,將控制引腳稱為柵極 G,將底部體 P 型半導(dǎo)體稱為襯底 B[4]。當(dāng)柵極沒有施加電壓時,我們可以看到在源極-襯底-漏極級之間有兩個 PN 結(jié)。這兩個 PN 結(jié)將電流從中流過的源極和漏極級隔離開來。沒有方向可以流通。
N+半導(dǎo)體通道
但是,如果我們像柵極一樣施加正電壓,那么柵極金屬板上的正電荷會吸引P型半導(dǎo)體和N型半導(dǎo)體帶負(fù)電荷的電子。然后,絕緣層附近的區(qū)域被載流子(電子)填充。已知含有電子的半導(dǎo)體材料為N型半導(dǎo)體。雖然襯底本質(zhì)上是P型半導(dǎo)體,但由于襯底有非常高的電子濃度,我們可以把那個區(qū)域的P型半導(dǎo)體看作是含有自由電子的N型半導(dǎo)體。我們稱這個區(qū)域為海峽。由于源漏級之間的半導(dǎo)體現(xiàn)在性質(zhì)相同,都是N型半導(dǎo)體,電流可以在兩個引腳之間自由流動。
Ⅴ N+型半導(dǎo)體
事實上,這里源漏級使用的半導(dǎo)體還不是普通的N型半導(dǎo)體。這里使用了重?fù)诫s磷光體的 N+ 半導(dǎo)體。它們含有大量的自由電子,可以使更多的電子能夠被門控。極點相吸,增加了通道的寬度,使電流更容易通過。我們可以發(fā)現(xiàn)柵極和漏極是絕緣的,這意味著它的輸入電阻非常高??梢哉f,如果不是MOSFET的發(fā)明,世界上產(chǎn)生的電都買不起幾臺電腦。MOSFET 的出現(xiàn),讓數(shù)以百萬計的晶體管處理器走進千家萬戶。其簡單的結(jié)構(gòu)也讓普通人擁有強大的計算能力。
正如我們的世界由原子組成一樣,電子世界由 MOSFET 組成。再復(fù)雜的東西,其本質(zhì)都是簡單而美好的。希望本節(jié)對同學(xué)們有所啟發(fā),啟發(fā)大家繼續(xù)探索電子電路的魅力。
Ⅵ 常見問題
1、沙子是怎么變成硅的?
硅砂也稱為二氧化硅,正如您從名稱中毫無疑問地猜到的那樣,它是一種硅和氧的化合物。為了獲得硅,通過將其與碳混合并在電弧爐中將其加熱至超過 2,000 攝氏度的溫度來去除氧。
2. 你能從沙子中得到硅嗎?
凈化首先用還原劑碳加熱沙子,以產(chǎn)生一氧化碳和硅。該工藝的產(chǎn)品稱為冶金級硅 (MG-Si),純度可能高達 99%。完成額外的處理,直到獲得超純電子級硅 (EG-Si)。
3、芯片為什么要用硅?
使用硅是因為它可以用作絕緣體(不允許電流流動)或半導(dǎo)體(允許少量電流流動)。這對于制作芯片很重要。
4. 硅芯片是如何工作的?
晶圓被標(biāo)記為許多相同的正方形或矩形區(qū)域,每個區(qū)域?qū)⒔M成一個硅芯片(有時稱為微芯片)。然后通過摻雜表面的不同區(qū)域?qū)⑺鼈冏兂?n 型或 p 型硅,在每個芯片上創(chuàng)建數(shù)千、數(shù)百萬或數(shù)十億個組件。
5. 硅是由什么沙子制成的?
硅砂,也稱為石英砂、白砂或工業(yè)砂,由兩種主要元素組成:二氧化硅和氧氣。具體來說,硅砂由二氧化硅 (SiO2) 組成。SiO2 最常見的形式是石英——一種化學(xué)惰性且相對堅硬的礦物。
6. 硅片數(shù)據(jù)是如何存儲的?
在半導(dǎo)體存儲芯片中,二進制數(shù)據(jù)的每一位都存儲在一個稱為存儲單元的微型電路中,該電路由一到幾個晶體管組成。... 數(shù)據(jù)通過稱為內(nèi)存地址的二進制數(shù)訪問芯片地址引腳,該地址指定要訪問芯片中的哪個字。
7. 硅芯片內(nèi)部是什么?
每個計算機芯片都是由硅和金屬構(gòu)成的。計算機芯片也稱為集成電路。每個芯片包含構(gòu)成處理器的許多晶體管。... 在一個中央處理單元中,幾個芯片被放置在一起,它們上有不同數(shù)量的內(nèi)存存儲空間。
8. 玩砂和硅砂有什么區(qū)別?
硅砂是白色的,玩砂是棕褐色的。硅砂比玩砂更輕、更細(xì)。
9. 內(nèi)存芯片是否使用硅?
硅用于電子設(shè)備,因為它是一種具有非常特殊性能的元素。它最重要的特性之一是它是一種半導(dǎo)體。...難怪硅已成為存儲芯片、計算機處理器、晶體管和所有其他電子產(chǎn)品的基礎(chǔ)。
10. 硅芯片的例子是什么?
硅芯片是設(shè)備的大腦;通過其內(nèi)置組件指導(dǎo)其所有功能。示例包括平板電腦、智能手機和筆記本電腦。
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