士蘭微募資65億，發(fā)展SiC功率器件等項目

來源：

近日，杭州士蘭微發(fā)布2022年度非公開發(fā)行A股股****預案。士蘭微在yu本次非公開發(fā)行A股股****募集資金總額不超過650,000.00萬元（含本數(shù)），扣除發(fā)行費用后的募集資金凈額擬投資于如下項目：

按照士蘭微所說，半導體集成電路是全球重點產(chǎn)業(yè)之一，是當今世界競爭最激烈、發(fā)展最迅速的領域，對世界經(jīng)濟的發(fā)展有著強有力的驅動作用，是 21 世紀信息社會高新技術產(chǎn)業(yè)的重要基礎。

中國半導體行業(yè)經(jīng)過三十多年的發(fā)展，經(jīng)歷了自主研發(fā)創(chuàng)業(yè)、引進提高和重點建設三個重要發(fā)展階段。目前，中國半導體產(chǎn)業(yè)雖然已有一定的產(chǎn)業(yè)基礎，但是在產(chǎn)品設計開發(fā)能力、生產(chǎn)技術水平、產(chǎn)品銷售額和市場占比等方面，與經(jīng)濟發(fā)達國家相比仍有相當?shù)木嚯x，其中核心的關鍵產(chǎn)品仍以進口為主。面對國內外半導體廣闊的市場需求和發(fā)展機遇，大力發(fā)展中國的半導體產(chǎn)業(yè)是國民經(jīng)濟信息化和實現(xiàn)中國國民經(jīng)濟發(fā)展第三步戰(zhàn)略目標的迫切需要，也是增強中國在下一個世紀綜合經(jīng)濟實力和競爭實力的必然要求。

我國“十四五”規(guī)劃將半導體和集成電路列為“事關國家安全和發(fā)展全局的基礎核心領域”，集成電路設計工具、重點裝備和高純靶材等關鍵材料研發(fā)以及集成電路先進工藝、IGBT 和 MEMS 等特色工藝突破都被予以重點關注。政策的強力支持將持續(xù)推動中國半導體產(chǎn)業(yè)的技術升級，推動一批有實力的國產(chǎn)廠商打破國際巨頭的技術壟斷，逐步推動半導體全產(chǎn)業(yè)鏈國產(chǎn)替代的進程。

士蘭微進一步指出，功率芯片可以用來控制電路通斷，從而實現(xiàn)電力變換。據(jù) Omida 預計，2021年全球和中國功率半導體市場空間分別為 462 億美元和 182 億美元，至 2025 年有望分別達到 548 億美元和 195 億美元，2021 年至 2025 年的復合增速分別為5.92%和 4.55%。

而作為第三代半導體材料的典型代表，SiC 具有寬禁帶寬度，高擊穿電場、高熱導率、高電子飽和速率及更高的抗輻射能力，是高溫、高壓、大功率應用場合下極為理想的半導體材料。在新能源汽車領域，SiC 功率半導體主要用于驅動和控制電機的逆變器、車載 DC/DC 轉換器、車載充電器（OBC）等。車載充電器和充電樁使用 SiC 器件后將充分發(fā)揮高頻、高溫和高壓三方面的優(yōu)勢，可實現(xiàn)充電系統(tǒng)高效化、小型化和高可靠性。

據(jù) Yole 預測，2025 年全球 SiC 功率半導體市場規(guī)模將達到 25.62 億美元，2019-2025 年均復合增長率超過 30%；其中新能源汽車市場（主逆變器+車載充電器+車載 DC/DC 轉換器）規(guī)模占比最大，增速最快，2025 年新能源汽車市場 SiC 功率半導體規(guī)模達到 15.53 億美元，2019-2025年均復合增長率達到 38%。隨著新能源汽車及其充電系統(tǒng)的快速發(fā)展，SiC 功率半導體市場空間廣闊。

在士蘭微方面，經(jīng)過二十多年的發(fā)展，堅持走“設計制造一體化”道路的公司已經(jīng)打通了“芯片設計、芯片制造、芯片封裝”全產(chǎn)業(yè)鏈，實現(xiàn)了“從 5 吋到 12 吋”的跨越，在功率半導體（功率 IC、功率器件和功率模塊）、MEMS 傳感器、光電產(chǎn)品和高端 LED 芯片等領域構筑了核心競爭力，已成為目前國內最主要的半導體 IDM 企業(yè)之一。

士蘭微表示，本次非公開發(fā)行募集資金擬主要用于投資建設“年產(chǎn) 36 萬片 12 英寸芯片生產(chǎn)線項目”、“SiC 功率器件生產(chǎn)線建設項目”和“汽車半導體封裝項目（一期）”。其中，“年產(chǎn) 36 萬片 12 英寸芯片生產(chǎn)線項目”建成后將形成一條年產(chǎn) 36 萬片 12英寸功率芯片生產(chǎn)線，用于生產(chǎn) FS-IGBT、T-DPMOSFET、SGT-MOSFET 功率芯片產(chǎn)品；“SiC 功率器件生產(chǎn)線建設項目”達產(chǎn)后將新增年產(chǎn) 14.4 萬片SiC-MOSFET/SBD 功率半導體器件芯片的生產(chǎn)能力；“汽車半導體封裝項目（一期）”達產(chǎn)后將實現(xiàn)年產(chǎn) 720 萬塊汽車級功率模塊的新增產(chǎn)能。

按照士蘭微所說，上述三個項目建設系公司在高端功率半導體領域的核心戰(zhàn)略規(guī)劃之一，是公司積極推進產(chǎn)品結構升級轉型的重要舉措。公司將充分利用自身在車規(guī)和工業(yè)級功率半導體器件與模塊領域的技術優(yōu)勢和 IDM 模式下的長期積累，把握當前汽車和新能源產(chǎn)業(yè)快速發(fā)展的機遇，進一步加快產(chǎn)品結構調整步伐，抓住國內高門檻行業(yè)和客戶積極導入國產(chǎn)芯片的時間窗口，擴大公司功率芯片產(chǎn)能規(guī)模、銷售占比和成本優(yōu)勢，不斷提升市場份額和盈利能力。該項目的順利實施有助于提高公司對下游市場的供貨保障能力和客戶供應鏈安全性，持續(xù)鞏固公司國內半導體IDM 龍頭企業(yè)優(yōu)勢地位，實現(xiàn)打造具有國際一流競爭力的綜合性的半導體產(chǎn)品供應商的戰(zhàn)略發(fā)展目標。

本次募集資金投資項目的具體情況

（一）年產(chǎn) 36 萬片 12 英寸芯片生產(chǎn)線項目

1、項目概況

年產(chǎn) 36 萬片 12 英寸芯片生產(chǎn)線項目系公司加快產(chǎn)能建設和產(chǎn)品技術升級、持續(xù)鞏固國內半導體 IDM 龍頭企業(yè)優(yōu)勢地位、把握功率半導體領域發(fā)展機遇、打造具有國際一流競爭力的綜合性半導體產(chǎn)品供應商這一戰(zhàn)略發(fā)展目標而計劃實施的投資項目。

項目實施主體為公司控股子公司士蘭集昕，募集資金將通過公司向士蘭集昕增資的方式投入；項目建設地點為浙江省杭州錢塘新區(qū)（下沙）M6-19-3（東區(qū)10 號路與 19 號路交叉口）地塊。該項目將建設形成一條年產(chǎn) 36 萬片 12 英寸功率芯片生產(chǎn)線，用于生產(chǎn) FS-IGBT、T-DPMOSFET、SGT-MOSFET 功率芯片產(chǎn)品；項目達產(chǎn)后，新增 FS-IGBT 功率芯片 12 萬片/年、T-DPMOSFET 功率芯片12 萬片/年和 SGT-MOSFET 功率芯片 12 萬片/年的生產(chǎn)能力。

（二）SiC 功率器件生產(chǎn)線建設項目

1、項目概況

SiC 功率器件生產(chǎn)線建設項目系公司加快產(chǎn)能建設和產(chǎn)品技術升級、持續(xù)鞏固國內半導體 IDM 龍頭企業(yè)優(yōu)勢地位、把握功率半導體領域發(fā)展機遇、打造具有國際一流競爭力的綜合性半導體產(chǎn)品供應商這一戰(zhàn)略發(fā)展目標而計劃實施的投資項目。

項目實施主體為公司的參股子公司士蘭明鎵，募集資金將通過公司向士蘭明鎵增資的方式投入，本次增資后公司將取得士蘭明鎵的控制權；項目建設地點為福建省廈門市海滄區(qū)蘭英路 99 號。該項目在士蘭明鎵現(xiàn)有芯片生產(chǎn)線及配套設施的基礎上，通過購置生產(chǎn)設備提升 SiC 功率器件芯片的產(chǎn)能，用于生產(chǎn) SiCMOSFET、SiC SBD 芯片產(chǎn)品；項目達產(chǎn)后，將新增 SiC MOSFET 芯片 12 萬片/年、SiC SBD 芯片 2.4 萬片/年的生產(chǎn)能力。

（三）汽車半導體封裝項目（一期）

1、項目概況

汽車半導體封裝項目（一期）系公司加快產(chǎn)能建設和產(chǎn)品技術升級、持續(xù)鞏固國內半導體 IDM 龍頭企業(yè)優(yōu)勢地位、把握功率半導體領域發(fā)展機遇、打造具有國際一流競爭力的綜合性的半導體產(chǎn)品供應商這一戰(zhàn)略發(fā)展目標而計劃實施的投資項目。

項目實施主體為公司控股子公司成都士蘭，募集資金將通過公司向成都士蘭增資的方式投入；項目建設地點為四川省成都市成都-阿壩工業(yè)集中發(fā)展區(qū)。該項目將在現(xiàn)有功率模塊封裝生產(chǎn)線及配套設施的基礎上，通過購置模塊封裝生產(chǎn)設備提升汽車級功率模塊的產(chǎn)能；項目達產(chǎn)后，新增年產(chǎn) 720 萬塊汽車級功率模塊。