鴻海9月開始量產(chǎn)1200V SiC MOSFET，并已啟動8吋SiC晶體開發(fā)

10月19日消息，在昨日舉行的2022年度鴻?？萍既眨℉HTD22）上，鴻海科技在發(fā)布全新電動汽車的同時，也展示了其面向電動汽車的第三代半導(dǎo)體碳化硅（SiC）器件研發(fā)成果，不僅已具備量產(chǎn)SiC MOSFET的能力，還啟動了開發(fā)8英寸SiC晶圓的工作。

據(jù)鴻?？萍棘F(xiàn)場工作人員介紹，鴻海正積極布局面碳化硅功率元件，第三季度已啟動開發(fā)8吋SiC晶體，旗下鴻揚半導(dǎo)體自主開的發(fā)1200V碳化硅為基礎(chǔ)的金屬氧化物半導(dǎo)體場效電晶體（SiC MOSFET），已在9月開始產(chǎn)出，并結(jié)合不同功率元件設(shè)計。

在技術(shù)部分，工作人員指出，鴻揚在碳化硅元件已具備模擬能力，提供客戶制程參數(shù)，供元件設(shè)計參考，此外鴻揚也可提供制程代工服務(wù)、以及電性量測服務(wù)，提供具有競爭力的碳化硅功率元件。

展望應(yīng)用，工作人員表示，鴻揚的1200V SiC MOSFET元件，可應(yīng)用在車載AC/DC、DC/DC電流轉(zhuǎn)換器、車載充電器（OBC）、以及太陽光電逆變器等。

鴻海也展示與盛新材料合作6吋SiC導(dǎo)電型（N-type）晶圓基板產(chǎn)品，可應(yīng)用在電動車、軌道交通、以及大功率輸電發(fā)電等領(lǐng)域。現(xiàn)場工作人員透露，第3季鴻海與盛新材料合作，開始研發(fā)8吋SiC晶體。

鴻海集團(tuán)去年8月以新臺幣25.2億元取得旺宏竹科6吋晶圓廠、布局碳化硅晶圓制造，以鴻揚半導(dǎo)體為主體，預(yù)計今年底產(chǎn)線建置完成，明年上線生產(chǎn)。