MOS管和三極管相比有何不同

晶體管是一個(gè)簡(jiǎn)單的元器件，有非常多的種類(lèi)。最常見(jiàn)的兩種晶體管應(yīng)該要屬雙極型晶體管（三極管）和MOS管了吧，那它倆之間的區(qū)別是什么呢？先讓我們再?gòu)?fù)習(xí)一下之前所說(shuō)的：

三極管分為兩種：NPN和PNP。

NPN是一個(gè)雙極結(jié)晶體管（BJT），有三條腿，分別是：基極（b）、集電極（c）、****極（e），NPN晶體管是最常見(jiàn)的三極管（BJT）。

但是還有另一種稱(chēng)為PNP晶體管，其工作方式相同，只是所有電流都朝相反的方向。

MOSFET管是另一種非常常見(jiàn)的晶體管類(lèi)型。它也具有三個(gè)引腳：柵極（G）、漏極（D）、源極（S）

MOS管和三極管同為晶體管，它們之間的工作原理也有些類(lèi)似之處：

1）．MOS管的源極S、柵極G、漏極D分別對(duì)應(yīng)于三極管的****極e、基極b、集電極c，它們的作用相似，左圖圖示是N溝道MOS管和NPN型晶體三極管引腳，右圖圖示是P溝道MOS管和PNP型晶體三極管引腳對(duì)應(yīng)圖。

2)．它倆最大的不同是：MOS管是電壓控制電流器件，經(jīng)過(guò)柵極電壓操控源漏間導(dǎo)通電阻，普通的晶體三極管是電流控制電流器件，經(jīng)過(guò)基極較小的電流操控較大的集電極電流。MOS管道放大系數(shù)是（跨導(dǎo)gm）當(dāng)柵極電壓改變一伏時(shí)能引起漏極電流變化多少安培。晶體三極管是電流放大系數(shù)（貝塔β）當(dāng)基極電流改變一毫安時(shí)能引起集電極電流變化多少。

3)．MOS管柵極和其它電極是絕緣的，不產(chǎn)生電流；而三極管工作時(shí)基極電流IB決定集電極電流IC。因此MOS管的輸入電阻比三極管的輸入電阻高的多。

4)．MOS管只有多數(shù)載流子參與導(dǎo)電；三極管有多數(shù)載流子和少數(shù)載流子兩種載流子參與導(dǎo)電，因少數(shù)載流子濃度受溫度、輻射等因素影響較大，所以MOS管比三極管的溫度穩(wěn)定性好。

5)．MOS管在源極未與襯底連在一起時(shí)，源極和漏極可以互換使用，且特性變化不大（這一點(diǎn)金譽(yù)半導(dǎo)體有專(zhuān)門(mén)講過(guò)），而三極管的集電極與****極互換使用時(shí)，其特性差異很大，b 值將減小很多,因此MOS管協(xié)調(diào)能力比晶體管好。

6)．MOS管的噪聲系數(shù)很小，在低噪聲放大電路的輸入級(jí)、及要求信噪比較高的電路中要選用MOS管。

7) ．MOS管和普通晶體三極管均可組成各種放大電路和開(kāi)關(guān)電路，但是MOS管制造工藝簡(jiǎn)單，并且又具有普通晶體三極管不能比擬的優(yōu)秀特性，在各種電路及應(yīng)用中正逐步的取代普通晶體三極管，目前的大規(guī)模和超大規(guī)模集成電路中，已經(jīng)廣泛的采用MOS管。

今天的分享就到這里， 大家還有什么想要了解的或者合作需求，可以在下方留言噢~