從7個(gè)方面幫你分析開(kāi)關(guān)電源的電路和EMC

1、電源設(shè)計(jì)項(xiàng)目前期各個(gè)參數(shù)注意細(xì)節(jié)

借鑒下NXP的這個(gè)TEA1832圖紙做個(gè)說(shuō)明。分析里面的電路參數(shù)設(shè)計(jì)與優(yōu)化并做到認(rèn)證至量產(chǎn)。 在所有的元器件中盡量選擇公司倉(cāng)庫(kù)里面的元件，和量大的元件，方便后續(xù)降成本拿價(jià)格。

貼片電阻采用0603的5％，0805的5％，1％，貼片電容容值越大價(jià)格越高，設(shè)計(jì)時(shí)需考慮。

1、輸入端，F(xiàn)USE選擇需要考慮到I＾2T參數(shù)。保險(xiǎn)絲的分類(lèi)，快斷，慢斷，電流，電壓值，保險(xiǎn)絲的認(rèn)證是否齊全。保險(xiǎn)絲前的安規(guī)距離2．5mm以上。設(shè)計(jì)時(shí)盡量放到3mm以上。需考慮打雷擊時(shí)，保險(xiǎn)絲I2T是否有余量，會(huì)不會(huì)打掛掉。

2、這個(gè)圖中可以增加個(gè)壓敏電阻，一般采用14D471，也有采用561的，直徑越大抗浪涌電流越大，也有增強(qiáng)版的10S471，14S471等，一般14D471打1KV，2KV雷擊夠用了，增加雷擊電壓就要換成MOV＋GDT了。有必要時(shí)，壓敏電阻外面包個(gè)熱縮套管。

3、NTC，這個(gè)圖中可以增加個(gè)NTC，有的客戶有限制冷啟動(dòng)浪涌電流不超過(guò)60A，30A，NTC的另一個(gè)目的還可以在雷擊時(shí)扛部分電壓，減下MOSFET的壓力。選型時(shí)注意NTC的電壓，電流，溫度等參數(shù)。

4、共模電感，傳導(dǎo)與輻射很重要的一個(gè)濾波元件，共模電感有環(huán)形的高導(dǎo)材料5K，7K，0K，12K，15K，常用繞法有分槽繞，并繞，蝶形繞法等，還有UU型，分4個(gè)槽的ET型。這個(gè)如果能共用老機(jī)種的最好，成本考慮，傳導(dǎo)輻射測(cè)試完成后才能定型。

5、X電容的選擇，這個(gè)需要與共模電感配合測(cè)試傳導(dǎo)與輻射才能定容值，一般情況為功率越大X電容越大。

6、如果做認(rèn)證時(shí)有輸入L，N的放電時(shí)間要求，需要在X電容下放2并2串的電阻給電容放電。

7、橋堆的選擇一般需要考慮橋堆能過(guò)得浪涌電流，耐壓和散熱，防止雷擊時(shí)掛掉。

8、VCC的啟動(dòng)電阻，注意啟動(dòng)電阻的功耗，主要是耐壓值，1206的一般耐壓200V，0805一般耐壓150V，能多留余量比較好。

9、輸入濾波電解電容，一般看成本的考慮，輸出保持時(shí)間的10mS，按照電解電容容值的最小情況80％容值設(shè)計(jì)，不同廠家和不同的設(shè)計(jì)經(jīng)驗(yàn)有點(diǎn)出入，有一點(diǎn)要注意普通的電解電容和扛雷擊的電解電容，電解電容的紋波電流關(guān)系到電容壽命，這個(gè)看品牌和具體的系列了。

10、輸入電解電容上有并聯(lián)一個(gè)小瓷片電容，這個(gè)平時(shí)體現(xiàn)不出來(lái)用處，在做傳導(dǎo)抗擾度時(shí)有效果。

11、RCD吸收部分，R的取值對(duì)應(yīng)MOSFET上的尖峰電壓值，如果采用貼片電阻需注意電壓降額與功耗。C一般取102／103 1KV的高壓瓷片，整改輻射時(shí)也有可能會(huì)改為薄膜電容效果好。D一般用FR107，F(xiàn)R207，整改輻射時(shí)也有改為1N4007的情況或者其他的慢管，或者在D上套磁珠（K5A，K5C等材質(zhì)）。小功率電源，RC可以采用TVS管替代，如P6KE160等。

12、MOSFET的選擇，起機(jī)和短路情況需要注意SOA。高溫時(shí)的電流降額，低溫時(shí)的電壓降額。一般600V 2－12A足夠用與100W以內(nèi)的反激，根據(jù)成本來(lái)權(quán)衡選型。整改輻射時(shí)很多方法沒(méi)有效果的時(shí)候，換個(gè)MOSFET就過(guò)了的情況經(jīng)常有。

13、MOSFET的驅(qū)動(dòng)電阻一般采用10R＋20R，阻值大小對(duì)應(yīng)開(kāi)關(guān)速度，效率，溫升。這個(gè)參數(shù)需要整改輻射時(shí)調(diào)整。

14、MOSFET的GATE到SOURCE端需要增加一個(gè)10K－100K的電阻放電。

15、MOSFET的SOURCE到GND之間有個(gè)Isense電阻，功率盡量選大，盡量采用繞線無(wú)感電阻。功率小，或者有感電阻短路時(shí)有遇到過(guò)炸機(jī)現(xiàn)象。

16、Isense電阻到IC的Isense增加1個(gè)RC，取值1K，331，調(diào)試時(shí)可能有作用，如果采用這個(gè)TEA1832電路為參考，增加一個(gè)C并聯(lián)到GND。

17、不同的IC外圍引腳參考設(shè)計(jì)手冊(cè)即可，根據(jù)自己的經(jīng)驗(yàn)在IC引腳處放濾波電容。

18、更改前：變壓器的設(shè)計(jì)，反激變壓器設(shè)計(jì)論壇里面討論很多，不多說(shuō)。還是考慮成本，盡量不在變壓器里面加屏蔽層，頂多在變壓器外面加個(gè)十字屏蔽。變壓器一定要驗(yàn)算delta B值，delta B＝L＊Ipk／（N＊Ae），L（uH），Ipk（A），N為初級(jí)砸數(shù)（T），Ae（mm2）有興趣驗(yàn)證這個(gè)公式可以在最低電壓輸入，輸出負(fù)載不斷增加，看到變壓器飽和波形，飽和時(shí)計(jì)算結(jié)果應(yīng)該是500mT左右。變壓器的VCC輔助繞組盡量用2根以上的線并繞，之前很大批量時(shí)有碰到過(guò)有幾個(gè)輔助繞組輕載電壓不夠或者重載時(shí)VCC過(guò)壓的情況，2跟以上的VCC輔助繞線能盡量耦合更好解決電壓差異大這個(gè)問(wèn)題。

18、更改后：變壓器的設(shè)計(jì)，反激變壓器設(shè)計(jì)論壇里面討論很多，不多說(shuō)。還是考慮成本，盡量不在變壓器里面加屏蔽層，頂多在變壓器外面加個(gè)十字屏蔽。變壓器一定要驗(yàn)算delta B值，防止高溫時(shí)磁芯飽和。delta B＝L＊Ipk／（N＊Ae），L（uH），Ipk（A），N為初級(jí)砸數(shù)（T），Ae（mm2）。（參考TDG公司的磁芯特性（100℃）飽和磁通密度390mT，剩磁55mT，所以ΔB值一般取330mT以內(nèi)，出現(xiàn)異常情況不飽和，一般取值小于300mT以內(nèi)。我之前做反激變壓器取值都是小于0．3的）附，學(xué)習(xí)zhangyiping的經(jīng)驗(yàn)（所以一般的磁通密度選擇1500高斯，變壓器小的可以選大一些，變壓器大的要選小一些，頻彔高的減小頻彔低的可以大一些吧。）

變壓器的VCC輔助繞組盡量用2根以上的線并繞，之前很大批量時(shí)有碰到過(guò)有幾個(gè)輔助繞組輕載電壓不夠或者重載時(shí)VCC過(guò)壓的情況，2跟以上的VCC輔助繞線能盡量耦合更好解決電壓差異大這個(gè)問(wèn)題。

附注：有興趣驗(yàn)證這個(gè)公式的話，可以在最低電壓輸入，輸出負(fù)載不斷增加，看到變壓器飽和波形，飽和時(shí)計(jì)算結(jié)果應(yīng)該是500mT左右（25℃時(shí)，飽和磁通密度510mT）。

借鑒TDG的磁芯基本特征圖。

19、輸出二極管效率要求高時(shí)，可以采用超低壓降的肖特基二極管，成本要求高時(shí)可以用超快恢復(fù)二極管。

20、輸出二極管并聯(lián)的RC用于抑制電壓尖峰，同時(shí)也對(duì)輻射有抑制。

21、光耦與431的配合，光耦的二極管兩端可以增加一個(gè)1K－3K左右的電阻，Vout串聯(lián)到光耦的電阻取值一般在100歐姆－1K之間。431上的C與RC用于調(diào)整環(huán)路穩(wěn)定，動(dòng)態(tài)響應(yīng)等。

22、Vout的檢測(cè)電阻需要有1mA左右的電流，電流太小輸出誤差大，電流太大，影響待機(jī)功耗。

23、輸出電容選擇，輸出電容的紋波電流大約等于輸出電流，在選擇電容時(shí)紋波電流放大1．2倍以上考慮。 24、2個(gè)輸出電容之間可以增加一個(gè)小電感，有助于抑制輻射干擾，有了小電感后，第一個(gè)輸出電容的紋波電流就會(huì)比第二個(gè)輸出電容的紋波電流大很多，所以很多電路里面第一個(gè)電容容量大，第二個(gè)電容容量較小。

25、輸出Vout端可以增加一個(gè)共模電感與104電容并聯(lián)，有助于傳導(dǎo)與輻射，還能降低紋波峰峰值。

26、需要做恒流的情況可以采用專(zhuān)業(yè)芯片，AP4310或者TSM103等類(lèi)似芯片做，用431＋358都行，注意VCC的電壓范圍，環(huán)路調(diào)節(jié)也差不多。

27、有多路輸出負(fù)載情況的話，電源的主反饋電路一定要有固定輸出，或者假負(fù)載，否則會(huì)因?yàn)轳詈?，burst模式等問(wèn)題導(dǎo)致其他路輸出電壓不穩(wěn)定。28、初級(jí)次級(jí)的大地之間有接個(gè)Y電容，一般容量小于或等于222，則漏電流小于0．25mA，不同的產(chǎn)品認(rèn)證對(duì)漏電流是有要求的，需注意。

算下來(lái)這么多，電子元器件基本能定型了，整個(gè)初略的BOM可以評(píng)審并參考報(bào)價(jià)了。BOM中元器件可以多放幾個(gè)品牌方便核成本。如客戶有特殊要求，可以在電路里面增加功能電路實(shí)現(xiàn)。如不能實(shí)現(xiàn)，尋找新的IC來(lái)完成，相等功率和頻率下，IC的更改對(duì)外圍器件影響不大。如客戶溫度范圍的要求比較高，對(duì)應(yīng)元器件的選項(xiàng)需要參考元器件使用溫度和降額使用。

2、電源PCB設(shè)計(jì)階段應(yīng)注意的細(xì)節(jié)

1、PCB對(duì)應(yīng)的SCH網(wǎng)絡(luò)要對(duì)應(yīng)，方便后續(xù)更新，花不了多少時(shí)間的。

2、PCB的元器件封裝，標(biāo)準(zhǔn)庫(kù)里面的按實(shí)際情況需要更改，貼片元件焊盤(pán)加大；插件元件的孔徑比元件管腳大0．3mm，焊盤(pán)直徑大于孔0．8mm以上，焊盤(pán)大些方便焊接，元器件過(guò)波峰焊也容易上錫，PCB廠家做出來(lái)也不容易破孔。還有很多細(xì)節(jié)的東西多了解些對(duì)生產(chǎn)是很大的功勞啊。

3、安規(guī)的要求在PCB上的體現(xiàn)，保險(xiǎn)絲的安規(guī)輸入到輸出距離3mm以上，保險(xiǎn)絲帶型號(hào)需要印在PCB上。PCB的板材也有不同的安規(guī)要求，對(duì)應(yīng)需要做的認(rèn)證與供應(yīng)商溝通能否滿足要求。相應(yīng)的認(rèn)證編號(hào)需印到PCB上。初級(jí)到次級(jí)的距離8mm以上，Y電容注意選擇Y1還是Y2的，跨距也要求8mm以上，變壓器的初級(jí)與次級(jí)，用擋墻或者次級(jí)用三層絕緣線飛線等方法做爬電距離。

4、橋堆前L，N走線距離2．5mm以上，橋堆后高壓＋，－距離2．5mm以上。走線為大電流回路先走，面積越小越好。信號(hào)線遠(yuǎn)離大電流走線，避免干擾，IC信號(hào)檢測(cè)部分的濾波電容靠近IC，信號(hào)地與功率地分開(kāi)走，星形接地，或者單點(diǎn)接地，最后匯總到大電容的“－”引腳，避免調(diào)試時(shí)信號(hào)受干擾，或者抗擾度出狀況。

5、IC方向，貼片元器件的方向，盡量放到整排整列，方便過(guò)波峰焊上錫，提高產(chǎn)線效率，避免陰影效應(yīng)，連錫，虛焊等問(wèn)題出現(xiàn)。

6、打AI的元器件需要根據(jù)相應(yīng)的規(guī)則放置元器件，之前看過(guò)一個(gè)日本的PCB，焊盤(pán)做成水滴狀，AI元件的引腳剛好在水滴狀的焊盤(pán)上，漂亮。

7、PCB上的走線對(duì)輻射影響比較大，可以參考相關(guān)書(shū)籍。還有1種情況，PCB當(dāng)單面板布線，弄完后，在頂層敷整塊銅皮接大電容地，抑制傳導(dǎo)和輻射很有效果。

8、布線時(shí)，還需要考慮雷擊，ESD時(shí)或其他干擾的電流路徑，會(huì)不會(huì)影響IC。

3、電源調(diào)試階段應(yīng)注意的細(xì)節(jié)

1、萬(wàn)用表先測(cè)試主電流回路上的二極管，MOSFET，有沒(méi)有短路，有沒(méi)有裝反，變壓器的感量與漏感是否都有測(cè)試，變壓器同名端有沒(méi)有繞錯(cuò)。

2、開(kāi)始上電，我的習(xí)慣是先上100V的低壓，PWM沒(méi)有輸出。用示波器看VCC，PWM腳，VCC上升到啟動(dòng)電壓，PWM沒(méi)有輸出。檢查各引腳的保護(hù)功能是否被觸發(fā)，或者參數(shù)不對(duì)。找不到問(wèn)題，查看IC的上電時(shí)序圖，或者IC的datasheet里面IC啟動(dòng)的條件。示波器使用時(shí)需注意，3芯插頭的地線要拔掉，不拔掉的話最好采用隔離探頭掛波形，要不怎么炸機(jī)的都不知道。用2個(gè)以上的探頭時(shí)，2根探頭的COM端接同1個(gè)點(diǎn)，避免影響電路，或者夾錯(cuò)位置燒東西。

3、IC啟動(dòng)問(wèn)題解決了，PWM有輸出，發(fā)現(xiàn)啟動(dòng)時(shí)變壓器嘯叫。掛MOSFET的電流波形，或者看Isense腳底波形是否是三角波，有可能是飽和波形，有可能是方波。需重新核算ΔB，還有種情況，VCC繞組與主繞組繞錯(cuò)位置。也有輸出短路的情況，還有RCD吸收部分的問(wèn)題，甚至還碰到過(guò)TVS壞了短路的情況。

4、輸出有了，但是輸出電壓不對(duì)，或者高了，或者低了。這個(gè)需要判斷是初級(jí)到問(wèn)題，還是次級(jí)的問(wèn)題。掛輸出二極管電壓電流波形，是否是正常的反激波形，波形不對(duì)，估計(jì)就是同名端反了。檢查光耦是否損壞，光耦正常，采用穩(wěn)壓管＋1K電阻替換431的位置，即可判斷輸出反饋431部分，或者恒流，或者過(guò)載保護(hù)等保護(hù)的動(dòng)作。常見(jiàn)問(wèn)題，光耦腳位畫(huà)錯(cuò)，導(dǎo)致反饋到不了前級(jí)。431封裝弄錯(cuò)，一般431的封裝有2種，腳位有鏡像了的。同名端的問(wèn)題會(huì)導(dǎo)致輸出電壓不對(duì)。

5、輸出電壓正常了，但是不是精確的12V或者24V，這個(gè)時(shí)候一般采用2個(gè)電阻并聯(lián)的方式來(lái)調(diào)節(jié)到精確電壓。采樣電阻必須是1％或者0．5％。

6、輸出能帶載了，帶滿載變壓器有響聲，輸出電壓紋波大。掛PWM波形，是否有大小波或者開(kāi)幾十個(gè)周期，停幾十個(gè)周期，這樣的情況調(diào)節(jié)環(huán)路。431上的C與RC，現(xiàn)在的很多IC內(nèi)部都已經(jīng)集成了補(bǔ)償，環(huán)路都比較好調(diào)整。環(huán)路調(diào)節(jié)沒(méi)有效果，可以計(jì)算下電感感量太大或者太小，也可以重新核算Isense電阻，是否IC已經(jīng)認(rèn)為Isense電阻電壓較小，IC工作在brust mode。可以更改Isense電阻阻值測(cè)試。

7、高低壓都能帶滿載了，波形也正常了。測(cè)試電源效率，輸入90V與264V時(shí)效率盡量做到一致（改占空比，匝比），方便后續(xù)安規(guī)測(cè)試溫升。電源效率一般參考老機(jī)種效率，或者查能效等級(jí)里面的標(biāo)準(zhǔn)參考。

8、輸出紋波測(cè)試，一般都有要求用47uF＋104，或者10uF＋104電容測(cè)試。這個(gè)電解電容的容值影響紋波電壓，電容的高頻低阻特性（不同品牌和系列）也會(huì)影響紋波電壓。示波器測(cè)試紋波時(shí)探頭上用彈簧測(cè)試探頭測(cè)試可以避免干擾尖峰。輸出紋波搞不定的情況下，可以改容量，改電容的系列，甚至考慮采用固態(tài)電容。

9、輸出過(guò)流保護(hù)，客戶要求精度高的，要在次級(jí)放電流保護(hù)電路，要求精度不高的，一般初級(jí)做過(guò)流保護(hù)，大部分IC都有集成過(guò)流或者過(guò)功率保護(hù)。過(guò)流保護(hù)一般放大1．1－1．5倍輸出電流。最大輸出電流時(shí)，元器件的應(yīng)力都需要測(cè)試，并留有余量。電流保護(hù)如增加反饋環(huán)路可以做成恒流模式，無(wú)反饋環(huán)路一般為打嗝保護(hù)模式。做好過(guò)流保護(hù)還需要測(cè)試滿載＋電解電容的測(cè)試，客戶端有時(shí)提出的要求并未給出是否是容性負(fù)載，能帶多大的電容起機(jī)測(cè)試了后心里比較有底。

10、輸出過(guò)壓保護(hù)，穩(wěn)定性要求高的客戶會(huì)要求放2個(gè)光耦，1個(gè)正常工作的，一個(gè)是做過(guò)壓保護(hù)的。無(wú)要求的，在VCC的輔助繞組處增加過(guò)壓保護(hù)電路，或者IC里面已經(jīng)有集成的過(guò)壓保護(hù)，外圍器件很少。

11、過(guò)溫保護(hù)一般要看具體情況添加的，安規(guī)做高溫測(cè)試時(shí)對(duì)溫度都有要求，能滿足安規(guī)要求溫度都還可以，除非環(huán)境復(fù)雜或者異常情況，需要增加過(guò)溫保護(hù)電路。

12、啟動(dòng)時(shí)間，一般要求為2S，或者3S內(nèi)起機(jī)，都比較好做，待機(jī)功耗做到很低功率的方案，一般IC都考慮好了。沒(méi)有什么問(wèn)題。

13、上升時(shí)間和過(guò)沖，這個(gè)通過(guò)調(diào)節(jié)軟啟動(dòng)和環(huán)路響應(yīng)實(shí)現(xiàn)。

14、負(fù)載調(diào)整率和線性調(diào)整率都是通過(guò)調(diào)節(jié)環(huán)路響應(yīng)來(lái)實(shí)現(xiàn)。

15、保持時(shí)間，更改輸入大電容容量即可。

16、輸出短路保護(hù)，現(xiàn)在IC的短路保護(hù)越做越好，一般短路時(shí)，IC的VCC輔助繞組電壓低，IC靠啟動(dòng)電阻供電，IC啟動(dòng)后，Isense腳檢測(cè)過(guò)流會(huì)做短路保護(hù)，停止PWM輸出。一般在264V輸入時(shí)短路功率最大，短路功率控制住2W以內(nèi)比較安全。短路時(shí)需要測(cè)試MOSFET的電流與電壓，并通過(guò)查看MOSFET的SOA圖（安全工作區(qū)）對(duì)應(yīng)短路是否超出設(shè)計(jì)范圍。

17、空載起機(jī)后，輸出電壓跳。有可能是輕載時(shí)VCC的輔助繞組感應(yīng)電壓低導(dǎo)致，增加VCC繞組匝數(shù)，還有可能是輸出反饋環(huán)路不穩(wěn)定，需要更新環(huán)路參數(shù)。

18、帶載起機(jī)或者空載切重載時(shí)電壓起不來(lái)。重載時(shí)，VCC輔助繞組電壓高，需查看是否過(guò)壓，或者是過(guò)流保護(hù)動(dòng)作。

還有變壓器設(shè)計(jì)時(shí)按照正常輸出帶載設(shè)計(jì)，導(dǎo)致重載或者過(guò)流保護(hù)前變壓器飽和。

19、元器件的應(yīng)力都應(yīng)測(cè)試，滿載、過(guò)載、異常測(cè)試時(shí)元器件應(yīng)力都應(yīng)有余量，余量大小看公司規(guī)定和成本考慮。 性能測(cè)試與調(diào)試基本完成。調(diào)試時(shí)把自己想成是設(shè)計(jì)這顆IC的人，就能好好理解IC的工作情況并快速解決問(wèn)題。 這些全都按記憶寫(xiě)的，有點(diǎn)亂，有些沒(méi)有記錄到，后續(xù)想到了再補(bǔ)上。

4、EMC等測(cè)試之前的注意細(xì)節(jié)

1、溫升測(cè)試，45℃烤箱環(huán)境，輸入90，264時(shí)變壓器磁芯，線包不超過(guò)110℃，PCB在130℃以內(nèi)。其他的元器件具體值參考下安規(guī)要求，溫度最難整的一般都是變壓器。

2、絕緣耐壓測(cè)試DC500V，阻值大于100MΩ，初次級(jí)打AC3000V時(shí)間60S，小于10mA，產(chǎn)線量產(chǎn)可以打AC3600V，6S。建議采用直流電壓DC4242打耐壓。耐壓電流設(shè)置10mA，測(cè)試過(guò)程中測(cè)試儀器報(bào)警，要檢查初次級(jí)距離，初級(jí)到外殼，次級(jí)到外殼距離，能把測(cè)試室拉上窗簾更好，能快速找到放電的位置的電火花。

3、對(duì)地阻抗，一般要小于0．1Ω，測(cè)試條件電流40A。

4、ESD一般要求接觸4K，空氣8K，有個(gè)電阻電容模型問(wèn)題。一般會(huì)把等級(jí)提高了打，打到最高的接觸8K，空氣15K。打ESD時(shí)，共模電感底下有放電針的話，放電針會(huì)放電。電源的ESD還會(huì)在散熱器與不同元器件之間打火，一般是距離問(wèn)題和PCB的layout問(wèn)題。打ESD打到15K把電源打壞就知道自己做的電源能抗多大的電壓，做安規(guī)認(rèn)證時(shí)，心里有底。如果客戶有要求更高的電壓也知道怎么處理。參考EN61000－4－2。

5、EFT這個(gè)沒(méi)有出現(xiàn)過(guò)問(wèn)題2KV。參考EN61000－4－4。

6、雷擊，差模1K，共模2K，采用壓敏14D471，有輸入大電解，走線沒(méi)有大問(wèn)題基本PASS。碰到過(guò)雷擊不過(guò)的情況，小功率5W，10W的打掛了，采用能抗雷擊的電解電容。單極PFC做反激打掛了MOSFET，在輸入橋堆后加入二極管與電解電容串聯(lián)，電容吸收能量。LED電源打2K與4K的情況，4KV就要采用壓敏電阻＋GDT的形式。參考EN61000－4－5。

EFT，ESD，SURGE有A，B，C等級(jí)。一般要A等級(jí)：干擾對(duì)電源無(wú)影響。

7、低溫起機(jī)。一般便宜的電源，溫度范圍是0－45℃，貴的，工業(yè)類(lèi)，或者LED什么的有要求－40℃－60℃，甚至到85℃。－40℃的時(shí)候輸入NTC增大了N倍，輸入電解電容明顯不夠用了，ESR很大，還有PFC如果用500V的MOSFET也是有點(diǎn)危險(xiǎn)的（低溫時(shí)MOSFET的耐壓值變低）。之前碰到過(guò)90V輸入的時(shí)候輸出電壓跳，或者是LED閃幾次才正常起來(lái)。增加輸入電容容量，改小NTC，增加VCC電容，軟啟動(dòng)時(shí)間加長(zhǎng)，初級(jí)限流（輸入容量不夠，導(dǎo)致電壓很低，電流很大，觸發(fā)保護(hù)）從1．2倍放大到1．5倍，IC的VCC繞組增加2T輔助電壓抬高；查找保護(hù)線路是否太極限，低溫被觸發(fā)（如PFC過(guò)壓易被觸發(fā)）。

5、傳導(dǎo)整改注意細(xì)節(jié)

基本性能和安規(guī)基本問(wèn)題解決掉，剩下個(gè)傳導(dǎo)和輻射問(wèn)題。這個(gè)時(shí)候可以跟客戶談后續(xù)價(jià)格，自己優(yōu)化下線路。 跟安規(guī)工程師確認(rèn)安規(guī)問(wèn)題，跟產(chǎn)線的工程師確認(rèn)后續(xù)PCB上元器件是否需要做位置的更改，產(chǎn)線是否方便操作等問(wèn)題?；蛘哂写駻I，過(guò)回流焊波峰焊的問(wèn)題，及時(shí)對(duì)元器件調(diào)整。

1、傳導(dǎo)和輻射測(cè)試大家看得比較多，論壇里面也講的多，實(shí)際上這個(gè)是個(gè)砸錢(qián)的事情。砸錢(qián)砸多了，自然就會(huì)了，整改也就快了。能改的地方就那么幾個(gè)。1、這個(gè)里面看不見(jiàn)的，特別重要的就算是PCB了，有厲害的可以找到PCB上的線，割斷，換個(gè)走線方式就可以搞掉3個(gè)dB，余量就有了。

2、一般看到筆記本電源適配器，接電腦的部分就有個(gè)很丑的砣，這個(gè)就是個(gè)EMI濾波器，從適配器出線的部分到筆記本電腦這么長(zhǎng)的距離，可以看成是1條天線，增加一個(gè)濾波器，就可以濾除損耗。所以一般開(kāi)關(guān)電源的輸出端有一個(gè)濾波電感，效果也是一樣的。

3、輸入濾波電感，功率小的，UU型很好用，功率大的基本用環(huán)型和ET型。公司有傳導(dǎo)實(shí)驗(yàn)室或者傳導(dǎo)儀器的倒是可以有想法了就去折騰下。要是要去第三方實(shí)驗(yàn)室的就比較痛苦了，光整改材料都要帶一堆。濾波電感用高導(dǎo)的10K材料比較好，對(duì)傳導(dǎo)輻射抑制效果都不錯(cuò)，如果傳導(dǎo)差的話，可以改12K，15K的，輻射差的話可以改5K，7K的材質(zhì)。

4、輸入X電容，能用小就用小，主要是占地方。這個(gè)要配合濾波電感調(diào)整的。

5、Y電容，初次級(jí)沒(méi)有裝Y電容，或者Y電容很小的話一般從150K－30M都是飄的，或者飛出限值了的，裝個(gè)471－222就差不多了。Y電容的接法直接影響傳導(dǎo)與輻射的測(cè)試數(shù)據(jù)，一般為初級(jí)地接次級(jí)的地，也有初級(jí)高壓，接次級(jí)地，或者放2個(gè)Y電容初級(jí)高壓和初級(jí)地都接次級(jí)的地，沒(méi)有調(diào)好之前誰(shuí)也說(shuō)不準(zhǔn)的。Y電容上串磁珠，對(duì)10MHz以上有效果，但也不全是。每個(gè)人調(diào)試傳導(dǎo)輻射的方法和方式都有差異機(jī)種也不同，問(wèn)題也不同，所以也許我的方法只適合我自己用。無(wú)Y方案大部分是靠改變變壓器來(lái)做的，而且功率不好做大。

6、MOSFET吸收，DS直接頂多能接個(gè)221，要不溫度就太高了，一般47pF，100pF。RCD吸收，可以在C上串個(gè)10－47Ω電阻吸收尖峰。還可以在D上串10－100Ω的電阻，MOSFET的驅(qū)動(dòng)電阻也可以改為100Ω以內(nèi)。

7、輸出二極管的吸收，一般采用RC吸收足夠了。

8、變壓器，變壓器有銅箔屏蔽和線屏蔽，銅箔屏蔽對(duì)傳導(dǎo)效果好，線屏蔽對(duì)輻射效果好。至于初包次，次包初，還有些其他的繞法都是為了好過(guò)傳導(dǎo)輻射。

9、對(duì)于PFC做反激電源的，輸入部分還需要增加差模電感。一般用棒形電感，或者鐵粉芯的黃白環(huán)做。

10、整改傳導(dǎo)的時(shí)候在10－30MHz部分盡量壓低到有15－20dB余量，那樣輻射比較好整改。

開(kāi)關(guān)頻率一般在65KHz，看傳導(dǎo)的時(shí)候可以看到65K的倍頻位置，一般都有很高的值。

總之：傳導(dǎo)的現(xiàn)象可以看成是功率器件的開(kāi)關(guān)引起的振蕩在輸入線上被放大了顯示出來(lái)，避免振蕩信號(hào)出去就要避免高頻振蕩，或者把高頻振蕩吸收掉，損耗掉，以至于顯示出來(lái)的時(shí)候不超標(biāo)。

6、輻射整改注意細(xì)節(jié)

1、PCB的走線按照布線規(guī)則來(lái)做即可。當(dāng)PCB有空間的時(shí)候可以放2個(gè)Y電容的位置：初級(jí)大電容的＋到次級(jí)地；初級(jí)大電容－到次級(jí)地，整改輻射的時(shí)候可以調(diào)整。

2、對(duì)于2芯輸入的，Y電容除了上述接法還可以在L，N輸入端，保險(xiǎn)絲之后接成Y型，再接次級(jí)的地，3芯輸入時(shí)，Y電容可以從輸入輸出地接到輸入大地來(lái)測(cè)試。

3、磁珠在輻射中間很重要，以前用過(guò)的材料是K5A，K5C，磁珠的阻抗曲線與磁芯大小和尺寸有關(guān)。如圖所示，不同的磁珠對(duì)不同的頻率阻抗曲線不同。但是都是把高頻雜波損耗掉，成了熱量（30MHz－500MHz）。一般MOSFET，輸出二極管，RCD吸收的D，橋堆，Y電容都可以套磁珠來(lái)做測(cè)試。

4、輸入共模電感：如果是2級(jí)濾波，第一級(jí)的濾波電感可以考慮用0．5－5mH左右的感量，蝶形繞法，5K－10K材質(zhì)繞制，第一級(jí)對(duì)輻射壓制效果好。如果是3芯輸入，可以在輸入端進(jìn)線處用三層絕緣線在K5A等同材質(zhì)繞3－10圈，效果巨好。

5、輸出共模電感，一般采用高導(dǎo)磁芯5K－10K的材料，特殊情況輻射搞不定也可以改為K5A等同材質(zhì)。

6、MOSFET，漏極上串入磁珠，輸入電阻加大，DS直接并聯(lián)22－220pF高壓瓷片電容可以改善輻射能量，也可以換不同電流值的MOS，或者不同品牌的MOSFET測(cè)試。

7、輸出二極管，二極管上套磁珠可以改善輻射能量。二極管上的RC吸收也對(duì)輻射有影響。也可以換不同電流值來(lái)測(cè)試，或者更換品牌

8、RCD吸收，C更改容量，R改阻值，D可以用FR107，F(xiàn)R207改為慢管，但是需要注意慢管的溫度。RCD里面的C可以串小阻值電阻。

9、VCC的繞組上也有二極管，這個(gè)二極管也對(duì)輻射影響大，一般采取套磁珠，或者將二極管改為1N4007或者其他的慢管。

10、最關(guān)鍵的變壓器。能少加屏蔽就少加屏蔽，沒(méi)辦法的情況也只能改變壓器了。變壓器里面的銅箔屏蔽對(duì)輻射影響大，線屏蔽是最有效果的。一般改不動(dòng)的時(shí)候才去改變壓器。

11、輻射整改時(shí)的效率。套滿磁珠的電源先做測(cè)試，PASS的情況，再逐個(gè)剪掉磁珠。

fail的情況，在輸入輸出端來(lái)套磁環(huán)，判斷輻射信號(hào)是從輸入還是輸出****出來(lái)的。

套了磁環(huán)還是fail的話，證明輻射能量是從板子上出來(lái)的。這個(gè)時(shí)候要找實(shí)驗(yàn)室的兄弟搞個(gè)探頭來(lái)測(cè)試，看看是哪個(gè)元器件輻射的能量最大，哪個(gè)原件在超出限值的頻率點(diǎn)能量最高，再對(duì)對(duì)應(yīng)的元件整改。

輻射的現(xiàn)象可以看成是功率器件在高速開(kāi)關(guān)情況下，寄生參數(shù)引起的振蕩在不同的天線上****出去，被天線接收放大了顯示出來(lái)，避免振蕩信號(hào)出去就要避免高頻振蕩，改變振蕩頻率或者把高頻振蕩吸收掉，損耗掉，以至于顯示出來(lái)值的時(shí)候不超標(biāo)。

磁珠的運(yùn)用有個(gè)需要注意的地方，套住MOSFET的時(shí)候，MOSFET最好是要打K腳，套入磁珠后點(diǎn)膠固定，如果磁珠松動(dòng)，可能導(dǎo)電引起MOSFET短路。有空間的情況下盡量采用帶線磁珠。

7、PCB定型改版試生產(chǎn)注意細(xì)節(jié)

傳導(dǎo)輻射整改完成后，PCB可以定型了，最好按照生產(chǎn)的工藝要求來(lái)做改善，更新一版PCB，避免生產(chǎn)時(shí)碰到問(wèn)題。

1、驗(yàn)證電源的時(shí)刻到了，客戶要求，規(guī)格書(shū)。電源樣品拿給測(cè)試驗(yàn)證組做測(cè)試驗(yàn)證了。之前問(wèn)題都解決了的話，驗(yàn)證組是沒(méi)問(wèn)題的，到時(shí)間拿報(bào)告就可以了。

2、準(zhǔn)備小批量試產(chǎn)，走流程，準(zhǔn)備物料，整理BOM與提供樣機(jī)給生產(chǎn)部同事。

3、準(zhǔn)備做認(rèn)證的材料（保險(xiǎn)絲，MOSFET等元器件）與樣機(jī)以及做認(rèn)證的關(guān)鍵元器件清單等文檔性材料。關(guān)鍵元器件清單里面的元件一般寫(xiě)3個(gè)以上的供應(yīng)商。認(rèn)證號(hào)一定要對(duì)準(zhǔn)，錯(cuò)了的話，后續(xù)審廠會(huì)有不必要的麻煩。剩下的都是一些基本的溝通問(wèn)題了。

做認(rèn)證時(shí)碰到過(guò)做認(rèn)證的時(shí)候溫升超標(biāo)了的，只能加導(dǎo)熱膠導(dǎo)出去?；蛘咛岣咝剩褌鲗?dǎo)與輻射的余量放小。這種問(wèn)題一般是自己做測(cè)試時(shí)余量留得太少，很難碰到的。

4、一般認(rèn)證2個(gè)月左右能拿到的。2個(gè)月的時(shí)間足夠把試產(chǎn)做好了。

5、試產(chǎn)問(wèn)題：基本上都是要改大焊盤(pán)，插件的孔大小更改，絲印位置的更改等。

6、試產(chǎn)的測(cè)試按IPS和產(chǎn)線測(cè)試的規(guī)章制度完成。

碰到過(guò)裸板耐壓打不過(guò)的，原因竟然是把裸板放在綠色的靜電皮上操作；也有是麥拉片折痕處貼的膠帶磨損了。

7、輸入有大電容的電源，需要要求測(cè)試的工序里面增加一條，測(cè)試完畢給大電容放電的一個(gè)操作流程。

8、試產(chǎn)完成后開(kāi)個(gè)試產(chǎn)總結(jié)會(huì)，試產(chǎn)PASS，PCB可以開(kāi)模了。量產(chǎn)基本上是不會(huì)找到研發(fā)工程師了，頂多就是替代料的事宜。

9、做完一個(gè)產(chǎn)品，給自己寫(xiě)點(diǎn)總結(jié)什么的，其中的經(jīng)驗(yàn)教訓(xùn)，或者是有點(diǎn)失敗的地方，或者是不同IC的特點(diǎn)。項(xiàng)目做多了，自然就會(huì)了。

整個(gè)開(kāi)發(fā)過(guò)程中都是一個(gè)團(tuán)隊(duì)的協(xié)作，所以很厲害的工程師，溝通能力也是很強(qiáng)的，研發(fā)一個(gè)產(chǎn)品要跟很多部門(mén)打交道，技術(shù)類(lèi)的書(shū)要看，技術(shù)問(wèn)題也要探討，同時(shí)溝通與禮儀方面的知識(shí)也要學(xué)習(xí)，有這些前提條件，開(kāi)發(fā)起來(lái)也就容易多了。

8、20年經(jīng)驗(yàn)資深工程師的感慨

我順便提一下，上面原理圖中18的此飽和是500MT，即5000高斯，0，5特斯拉，普通鐵氧體到不了5000吧，頂多4000，好像才3500吧，所以一般的磁通密度選擇1500高斯，變壓器小的可以選大一些，變壓器大的要選小一些，頻彔高的減小頻彔低的可以大一些吧。

從我干開(kāi)關(guān)電源近二十年，算是老手了，我非常深有體會(huì)的是，開(kāi)關(guān)電源最難的是環(huán)路參數(shù)，非常不好確定，普遍不大穩(wěn)定就是環(huán)路沒(méi)有調(diào)好，這個(gè)是一個(gè)大問(wèn)題了，太多搞不定的就是這個(gè)問(wèn)題了，還有變壓器參數(shù)的選擇也是一個(gè)難點(diǎn)，有人說(shuō)變壓器的分量非常大，確定多少匝比，規(guī)格，如果鐵損線損一樣最好，絞在一起了，無(wú)法確定哪個(gè)多哪個(gè)少了，還有，如何確定磁通密度多少為最合適，也是非常難了，這個(gè)多年的經(jīng)驗(yàn)非常重要，許多人變壓器不懂設(shè)計(jì)，還有，風(fēng)鈴可以磁通大一些，自冷要小一些，都不是一件容易的事情。

現(xiàn)在是很多人知識(shí)匱乏，沒(méi)有無(wú)線電技術(shù)的知識(shí)，那一些新手根本不懂，把PCB布成整齊的非常隨意的任意走線了，很像精細(xì)，那根本胡鬧，不能用的版了，新一代的知識(shí)多元化，誘惑太大了，什么人都可以上大學(xué)了，比如一些職高的普高沒(méi)畢業(yè)的人也上大學(xué)了，應(yīng)試教育也是大問(wèn)題，人才質(zhì)量不行了，什么也不懂的人多了，他們照樣搞開(kāi)發(fā)，能做成什么好產(chǎn)品，最重要的是知識(shí)和學(xué)問(wèn)，卻又是最不在乎是又是學(xué)問(wèn)，浮躁社會(huì)浮躁的人，滿腦子就是短平快，要知道欲速則不達(dá)，只會(huì)抄襲模仿拿來(lái)主義山寨之風(fēng)，模仿制造低劣產(chǎn)品，因?yàn)樗^的開(kāi)發(fā)人員就是搬運(yùn)工，而且所謂人才流動(dòng)，半拉子一下就飛了，成了政治資本，干過(guò)了什么項(xiàng)目，還有不少其實(shí)是調(diào)試工，技術(shù)人員，冒充什么開(kāi)發(fā)人員，老板急于求成，用的其實(shí)是偽人才，偽人才只能制造偽劣產(chǎn)品了，就是只會(huì)克隆產(chǎn)品復(fù)制了，還做不好，大功率的其實(shí)不少老外的產(chǎn)品哪個(gè)做成了，小功率的相對(duì)容易簡(jiǎn)單一些不少還是做成了，但做不好的多多了，

我談這個(gè)是非常普遍存在的社會(huì)現(xiàn)實(shí)，比如一位做12伏100安，抄襲模仿八九個(gè)月沒(méi)有做成，最終失敗打水漂了，其實(shí)可以做成的，我見(jiàn)過(guò)那個(gè)產(chǎn)品，同開(kāi)發(fā)人員一交流，發(fā)現(xiàn)學(xué)問(wèn)不行，我對(duì)那位陳老板說(shuō)兇多吉少九成以上要失敗的，他不信，就是我完全模仿一個(gè)地方也不能漏下，難道做不成，結(jié)果呢，真的做不成了，相當(dāng)多人都以為一抄就成一步到位，總是這么說(shuō)，結(jié)果豈不，哪個(gè)成功了，一敗涂地了。其實(shí)，那個(gè)12伏100安真的不難，就是要有一些學(xué)問(wèn)，失敗的原因就在這里了。

原諒我談了別的方面的了，不過(guò)，確實(shí)千真萬(wàn)確，非常普遍而且常態(tài)化的我們這個(gè)社會(huì)的現(xiàn)實(shí)了，普遍的從業(yè)人員就是知識(shí)匱乏，技術(shù)和能力不行，就是生搬硬套，克隆主義至上，，好像我們這個(gè)社會(huì)就是假大空的社會(huì)，多數(shù)的產(chǎn)品都是這么去干的。成了不少其實(shí)有不少老外非常不錯(cuò)的產(chǎn)品，我都見(jiàn)過(guò)不少了，怎么都沒(méi)有見(jiàn)到我們做的實(shí)際產(chǎn)品了，其實(shí)大幫小幫都在抄襲，怎么見(jiàn)不到東西呀，因?yàn)槎际×舜蛩?，我在這里說(shuō)了大實(shí)話的，非常真實(shí)的不要誤解了。如果有何不妥，多多見(jiàn)諒吧。

有一個(gè)非常真實(shí)的事例，比如01年我國(guó)一公司就做成了LLC多諧振的產(chǎn)品，由于效率高一時(shí)非常轟動(dòng)，模仿者也登門(mén)而至，我是在03年初開(kāi)始非常費(fèi)勁，與同事大半年了，說(shuō)來(lái)奇怪，原機(jī)占空比大仿做的就小了，當(dāng)時(shí)的土辦法就是把環(huán)流加大，但效率降低了，另一家深圳的某一家公司一直做不成，耗了不少財(cái)力，老板火了起來(lái)把那位總工炒掉了。我03年底離開(kāi)了，改用SG3525，主結(jié)構(gòu)有了，按照規(guī)律，3525的死區(qū)時(shí)間還可以調(diào)整呢，占空比大了，就這樣做成功了，我是不會(huì)生搬硬套，比較靈活的，人家做不成做不好我就可以做到了，這種情況很多，所以不要完全克隆死板做，必須要會(huì)搞電路設(shè)計(jì)，如果是這樣，好多產(chǎn)品是可以做成的，可以模仿參考，結(jié)合自主設(shè)計(jì)，我的這一事例不也充分說(shuō)明了嗎，學(xué)問(wèn)和靈活最重要了，就是這么一回事。真正模仿成功還做的不錯(cuò)的技術(shù)功夫也非常不錯(cuò)了，許多人不懂這個(gè)道理，就是難道不成，不相信，真的如此，失敗多多了，即使一些做成了，也是不三不四的，產(chǎn)品性能和質(zhì)量是一個(gè)大問(wèn)題，還是一句話，偽人才制造偽劣產(chǎn)品，現(xiàn)實(shí)上偽人才多得去了，產(chǎn)品冒牌貨多同樣的人才冒牌貨一樣多了，其實(shí)，大家相信的倒是謊言的多，一抄就成一步到位就是成了最大的謊言了。滿口子多么省事節(jié)省成本，甚至更有甚者，全打包連圖紙都沒(méi)有，壞了就是修電器一樣，把壞的找出來(lái)?yè)Q掉就可以了，這個(gè)就是投機(jī)主義干事了，肯定這樣做的問(wèn)題特別大，他們就是把財(cái)力花在營(yíng)銷(xiāo)廣告戰(zhàn)了。