重磅！DRAM正式邁入1β節(jié)點(diǎn)，美光LPDDR5X-8500已送樣

美光宣布，采用其1β DRAM制程節(jié)點(diǎn)的合格樣品將交付給選定的智能手機(jī)制造商和芯片組合作伙伴，并已與世界上最先進(jìn)的DRAM技術(shù)節(jié)點(diǎn)實(shí)現(xiàn)批量生產(chǎn)準(zhǔn)備。美光將在LPDDR5X產(chǎn)品首次推出下一代工藝技術(shù)，最高速度可達(dá)8.5 Gb/s。

1β制程節(jié)點(diǎn)在性能、比特密度和功率效率方面都有顯著的提高。移動(dòng)產(chǎn)品將率先從 1β DRAM 的提升中獲益，提升新一代智能手機(jī)的性能的同時(shí)，消耗更少的電力。對(duì)于支持從智能車輛到數(shù)據(jù)中心的高響應(yīng)應(yīng)用程序、實(shí)時(shí)服務(wù)、個(gè)性化和情境化體驗(yàn)同樣至關(guān)重要。

作為世界上最先進(jìn)的DRAM工藝節(jié)點(diǎn)，1β代表了美光市場(chǎng)領(lǐng)先地位的提升，并與1α技術(shù)節(jié)點(diǎn)的批量發(fā)貨緊密相連。該節(jié)點(diǎn)在每片16Gb的容量下實(shí)現(xiàn)了約15%的能效提升和超過(guò)35%的位密度提升。

來(lái)源：美光

這一里程碑也緊隨美光7月份推出全球首款232層NAND之后，該產(chǎn)品的設(shè)計(jì)旨在提高存儲(chǔ)的前所未有的性能和面密度。憑借這些新的第一，美光繼續(xù)在存儲(chǔ)器和存儲(chǔ)創(chuàng)新領(lǐng)域引領(lǐng)市場(chǎng)步伐，這兩項(xiàng)創(chuàng)新都基于美光在尖端研發(fā)（R&D）和制造工藝技術(shù)方面的深厚根基。

通過(guò)LPDDR5X的送樣，移動(dòng)生態(tài)系統(tǒng)將率先獲得1βDRAM的顯著收益，這將解鎖下一代移動(dòng)創(chuàng)新和高級(jí)智能手機(jī)體驗(yàn)，同時(shí)降低功耗。憑借1β的速度和密度，高帶寬用例在下載、啟動(dòng)和同時(shí)使用數(shù)據(jù)密集型5G和人工智能（AI）應(yīng)用程序時(shí)將反應(yīng)迅速、流暢。此外，基于1β的LPDDR5X不僅可以提高智能手機(jī)攝像頭的啟動(dòng)、夜間模式和人像模式的速度和清晰度，還可以實(shí)現(xiàn)無(wú)抖動(dòng)、高分辨率的8K視頻錄制和直觀的手機(jī)視頻編輯。

1β制程節(jié)點(diǎn)的低功耗，為智能手機(jī)提供了市場(chǎng)上最節(jié)能的存儲(chǔ)技術(shù)。這使得智能手機(jī)制造商能夠設(shè)計(jì)出電池壽命更高效的設(shè)備，這對(duì)于消費(fèi)者在使用耗能、數(shù)據(jù)密集型應(yīng)用程序的同時(shí)延長(zhǎng)電池壽命至關(guān)重要。

通過(guò)在基于1β的LPDDR5X上實(shí)現(xiàn)新的JEDEC增強(qiáng)的動(dòng)態(tài)電壓和頻率縮放擴(kuò)展核心（eDVFSC）技術(shù)，還可以實(shí)現(xiàn)節(jié)能。以高達(dá)3200 Mbps的雙倍頻率層添加eDVFSC提供了改進(jìn)的節(jié)能控制，以實(shí)現(xiàn)基于獨(dú)特最終用戶模式的更高效的電力使用。

美光通過(guò)精密的光刻和納米制造挑戰(zhàn)物理定律

Micron 1β節(jié)點(diǎn)以更小的占地面積提供更高的內(nèi)存容量，從而降低每bit數(shù)據(jù)的成本。DRAM的規(guī)模很大程度上取決于每平方毫米半導(dǎo)體面積提供更多更快的內(nèi)存的能力，這需要縮小電路，以便在大約指甲大小的芯片上容納數(shù)十億個(gè)存儲(chǔ)單元。對(duì)于每個(gè)工藝節(jié)點(diǎn)，半導(dǎo)體行業(yè)幾十年來(lái)每年或二十年都在縮減器件；然而，隨著芯片越來(lái)越小，在晶片上定義電路圖案需要挑戰(zhàn)物理定律。

雖然該行業(yè)已經(jīng)開(kāi)始轉(zhuǎn)向一種使用極紫外光來(lái)克服這些技術(shù)挑戰(zhàn)的新工具，但美光已經(jīng)利用其已被證實(shí)的前沿納米制造和光刻技術(shù)，繞過(guò)了這一新興技術(shù)。要做到這一點(diǎn)，需要應(yīng)用公司專有的、先進(jìn)的多圖案技術(shù)和浸沒(méi)能力，以最高的精度對(duì)這些微小的特征進(jìn)行蝕刻。這種創(chuàng)新帶來(lái)的更大容量也將使智能手機(jī)和物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備等外形尺寸較小的設(shè)備能夠在緊湊的空間中容納更多內(nèi)存。

3年多來(lái)，美光進(jìn)一步投資數(shù)十億美元，將其晶圓廠改造為先進(jìn)、高度自動(dòng)化、可持續(xù)和人工智能驅(qū)動(dòng)的設(shè)施。這包括對(duì)美光在日本廣島的工廠的投資，該工廠將在1β上大規(guī)模生產(chǎn)DRAM。

1β DRAM將應(yīng)用于嵌入式、數(shù)據(jù)中心、客戶端、消費(fèi)者、工業(yè)和汽車領(lǐng)域

Micron的1β DRAM節(jié)點(diǎn)為互聯(lián)世界的發(fā)展提供了一個(gè)通用的基礎(chǔ)，互聯(lián)世界需要快速、無(wú)處不在、節(jié)能的存儲(chǔ)器來(lái)推動(dòng)數(shù)字化、優(yōu)化和自動(dòng)化。在1β上制造的高密度、低功耗存儲(chǔ)器能夠在數(shù)據(jù)密集的智能事物、系統(tǒng)和應(yīng)用程序之間實(shí)現(xiàn)更高效的數(shù)據(jù)流，并實(shí)現(xiàn)從邊緣到云的更多智能。在未來(lái)一年，美光將開(kāi)始在嵌入式、數(shù)據(jù)中心、客戶端、消費(fèi)者、工業(yè)和汽車領(lǐng)域（包括圖形存儲(chǔ)器、高帶寬存儲(chǔ)器等）擴(kuò)大1β的投資組合。