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中國(guó)的碳化硅,密謀逆襲!

發(fā)布人:旺材芯片 時(shí)間:2022-12-11 來(lái)源:工程師 發(fā)布文章

中國(guó)在晶圓生產(chǎn)和器件制造方面要趕上西方碳化硅供應(yīng)商還有多久?


圖片

來(lái)源:SICC
在蓬勃發(fā)展的電動(dòng)汽車需求和半導(dǎo)體自給自足的長(zhǎng)期目標(biāo)的推動(dòng)下,中國(guó)致力于發(fā)展基于碳化硅 (SiC) 的電力電子產(chǎn)品。中國(guó)超越西方碳化硅供應(yīng)商的計(jì)劃是什么?
問(wèn)題來(lái)了:中國(guó)的碳化硅“玩家”有哪些?中國(guó)在新興技術(shù)和生產(chǎn)設(shè)施上投入了多少資金?中國(guó)供應(yīng)商是否正在制定不同的商業(yè)戰(zhàn)略來(lái)征服 SiC 市場(chǎng)?這些謎題中的每一個(gè)都讓全球電力電子高管徹夜難眠。
Yole Intelligence 化合物半導(dǎo)體團(tuán)隊(duì)首席分析師 Ezgi Dogmus 表示,中國(guó)SiC 是“脫鉤時(shí)代”的典型代表。
在當(dāng)今復(fù)雜的形勢(shì)下,技術(shù)沿著不同的路徑發(fā)展。例如,西方 SiC 供應(yīng)商可能在中國(guó)成立合資企業(yè),從而實(shí)現(xiàn)統(tǒng)一的全球 SiC 研發(fā)和生產(chǎn)的日子已經(jīng)一去不復(fù)返了。我們?cè)谶@個(gè)脫鉤時(shí)代”看到的是兩個(gè)獨(dú)立的 SiC 技術(shù)、制造和供應(yīng)鏈基礎(chǔ)設(shè)施的并行發(fā)展。“我們將看到競(jìng)爭(zhēng)格局如何形成,”O(jiān)nsemi 執(zhí)行副總裁兼電源解決方案集團(tuán)總經(jīng)理 Simon Keeton 在最近接受 Ojo-Yoshida Report 采訪時(shí)指出?!捌駷橹?,我還沒(méi)有看到中國(guó)在碳化硅器件方面的競(jìng)爭(zhēng)?!?/span>
為了滿足電動(dòng)汽車的動(dòng)力需求,中國(guó)仍然從美國(guó)、歐洲和日本的制造商那里采購(gòu)SiC器件。其中包括 Onsemi、Infineon、STMicroelectronics、Wolfspeed 和 Rohm。誰(shuí)也無(wú)法猜測(cè)中國(guó)多久能夠扭轉(zhuǎn)供應(yīng)鏈。
目前,西方的許多SiC企業(yè)淡化了中國(guó)在全球市場(chǎng)上的作用,主要是因?yàn)橹袊?guó)的投資集中在SiC晶圓上,而不是SiC MOSFET等器件級(jí)開(kāi)發(fā)。Yole的Dogmus表示,那些在中國(guó)建立SiC產(chǎn)能和能力的器件廠商還沒(méi)有能力與歐盟和美國(guó)的廠商競(jìng)爭(zhēng)。
但情況正在開(kāi)始發(fā)生變化。在上個(gè)月的慕尼黑電子展上,英飛凌科技公司的首席執(zhí)行官Jochen Hanebeck指出:"我看到中國(guó)打算用寬帶隙半導(dǎo)體,尤其是用碳化硅來(lái)取代硅功率半導(dǎo)體。”
鑒于中國(guó)需求的增長(zhǎng),Hanebeck 警告不要低估中國(guó):“如果一些中國(guó)芯片制造商很快能夠提供SiC 創(chuàng)新,我不會(huì)感到驚訝。從統(tǒng)計(jì)上來(lái)說(shuō),這很有可能。”

動(dòng)機(jī)

中國(guó)將電力電子視為進(jìn)入全球半導(dǎo)體行業(yè)的跳板。中國(guó)正在 SiC 領(lǐng)域打一場(chǎng)持久戰(zhàn),目標(biāo)是在未來(lái)十年內(nèi)最終超越西方制造商。

計(jì)劃

在2021年3月發(fā)布的最新五年計(jì)劃(2021-2025)中,北京將 SiC 確定為“第三代半導(dǎo)體”中最有前途的技術(shù)之一。規(guī)劃者認(rèn)為碳化硅對(duì)中國(guó)的“新基建”至關(guān)重要。功率半導(dǎo)體器件的快速采用將加速中國(guó)在手機(jī)快速充電、電動(dòng)汽車和 5G 通信方面的發(fā)展。

催化劑

SiC在中國(guó)的發(fā)展勢(shì)頭源于強(qiáng)勁的電動(dòng)車需求。自從比亞迪在2020年推出漢EV——中國(guó)第一輛基于SiC主逆變器的電動(dòng)車以來(lái),從Nio到Xpeng的眾多中國(guó)電動(dòng)車OEM正在推出基于SiC技術(shù)的電動(dòng)車車型。
基于 SiC 的器件的優(yōu)點(diǎn)包括能量耗散更少。SiC 器件在更高頻率下的開(kāi)關(guān)效率也高于標(biāo)準(zhǔn)芯片。其結(jié)果是運(yùn)行效率更高、尺寸更小、重量更輕,從而提供更小的設(shè)計(jì),同時(shí)降低了電動(dòng)汽車的冷卻要求。
中國(guó)的電動(dòng)車公司現(xiàn)在正從西方供應(yīng)商那里采購(gòu)SiC器件。其目的是減弱其電動(dòng)車行業(yè)對(duì)外國(guó)供應(yīng)商的依賴性。

參與者

與西方SiC供應(yīng)商處理整個(gè)供應(yīng)鏈不同,中國(guó)企業(yè)采取了一種更細(xì)分的方法,專注于SiC生產(chǎn)過(guò)程的某些部分。其中包括SiC 晶錠(或襯底)、SiC外延和芯片加工、二極管和晶體管設(shè)計(jì)以及模塊封裝。在每個(gè)SiC供應(yīng)鏈環(huán)節(jié)都出現(xiàn)了“玩家”。
中國(guó)的SiC“玩家”來(lái)自非常不同的背景,范圍從晶圓制造商到汽車制造商。
中國(guó)領(lǐng)先的SiC襯底企業(yè)包括TankeBlue和SICC。Yole的Dogmus補(bǔ)充說(shuō):"Sunlight和SEMISiC也是值得密切關(guān)注的企業(yè)。" 三安集成電路公司采用混合業(yè)務(wù)模式,將代工和集成器件制造(IDM)業(yè)務(wù)結(jié)合起來(lái),同時(shí)也在從事襯底制造。
雖然缺乏一個(gè)領(lǐng)先的IDM,但中國(guó)可以通過(guò)利用其整體制造能力來(lái)彌補(bǔ)其目前在SiC晶圓、器件和模塊方面的不足。Dogmus說(shuō),"中國(guó)因其在消費(fèi)產(chǎn)品方面的成功而聞名,在代工廠、封裝等方面形成了成熟的分工。
例如,"中國(guó)企業(yè)在SiC襯底、外延片和封裝方面都有很好的定位"。SiC器件制造 "被認(rèn)為是下一輪競(jìng)爭(zhēng)的關(guān)鍵步驟,"她說(shuō)。Dogmus預(yù)計(jì)主要的IDM將建立大規(guī)模的器件產(chǎn)能。"這是一個(gè)誰(shuí)在價(jià)值鏈中占據(jù)更高份額的問(wèn)題"。
Yole 斷言,中國(guó)器件制造商可能很快會(huì)生產(chǎn)用于汽車應(yīng)用的 SiC 二極管。像 SiC MOSFET 這樣的器件是另一回事?!埃▽?duì)中國(guó)供應(yīng)商而言)可能需要三年或更長(zhǎng)時(shí)間才能實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。截至目前,三安集成發(fā)布了車規(guī)級(jí) MOSFET,但尚未實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)?!盰ole 報(bào)道稱。
圖片來(lái)源:Yole Intelligence

投資

世界各地的 SiC 廠商都在對(duì)晶圓進(jìn)行大量投資。
Yole化合物半導(dǎo)體技術(shù)和市場(chǎng)高級(jí)分析師Poshun Chiu告訴我們:"襯底是SiC器件成本的一個(gè)非常大的部分....。對(duì)于參與者來(lái)說(shuō),擁有自己的內(nèi)部供應(yīng)是非常重要的,這樣他們就可以長(zhǎng)期控制其器件開(kāi)發(fā)的內(nèi)部成本"。
這也解釋了最近幾個(gè)月西方 SiC 廠商紛紛宣布投資 SiC 晶圓生產(chǎn)的原因。
中國(guó)的投資活動(dòng)也集中在SiC晶圓生產(chǎn)上。中國(guó)領(lǐng)先的n型SiC供應(yīng)商TankeBlue公司已投入10億美元在大興和北京建設(shè)6英寸和8英寸晶圓生產(chǎn)線。Yole表示,一期工程預(yù)計(jì)今年完成,年產(chǎn)10萬(wàn)片晶圓,計(jì)劃在 2025 年擴(kuò)大產(chǎn)能。TankeBlue 還瞄準(zhǔn)了制造設(shè)備領(lǐng)域。
SICC是另一家專注于射頻應(yīng)用的碳化硅晶圓公司,于1月在上海交易所上市,為位于上海臨港保稅區(qū)的生產(chǎn)n型碳化硅晶圓的工廠融資。據(jù)Yole報(bào)道,其產(chǎn)能目標(biāo)是在2024年達(dá)到每年30萬(wàn)片6英寸n型碳化硅晶圓。
立足于LED(GaN/GaAs)領(lǐng)域的三安光電,與三安集成電路在廈門開(kāi)展化合物半導(dǎo)體代工業(yè)務(wù)。三安在湖南的一家工廠投資 23 億美元,以支持 SiC 晶體生長(zhǎng)、晶圓和外延片生產(chǎn)以及器件制造和封裝。
SMIC通過(guò)投資位于紹興的中芯集成(SMEC) 進(jìn)入 SiC 市場(chǎng)。SMEC 成立于 2018 年,為 MEMS、IGBT 和 MOSFET 提供工藝平臺(tái)。中芯國(guó)際現(xiàn)在為包括 SiC 在內(nèi)的寬帶隙半導(dǎo)體提供代工服務(wù)和模塊封裝。
比亞迪計(jì)劃分拆其半導(dǎo)體業(yè)務(wù),通過(guò)寧波的6英寸晶圓廠開(kāi)發(fā)內(nèi)部IGBT和SiC器件。到2026年,1億美元的產(chǎn)能擴(kuò)張將每月提供2萬(wàn)塊6英寸晶圓。

競(jìng)爭(zhēng)

西方碳化硅供應(yīng)商在面對(duì)中國(guó)碳化硅競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手之前可能有幾年的緩沖期。
英飛凌首席執(zhí)行官Hanebeck指出,為了在基于SiC的電源系統(tǒng)中處于領(lǐng)先地位,制造商必須超越 "單個(gè)開(kāi)關(guān),了解應(yīng)用和整個(gè)系統(tǒng)"。因此,英飛凌正在研究的不僅僅是電源開(kāi)關(guān)的芯片組,還有驅(qū)動(dòng)器、微控制器和配套的軟件。
Wolfspeed 首席執(zhí)行官 Gregg Lowe 將 SiC 描述為“一項(xiàng)棘手的技術(shù),目前世界上還沒(méi)有真正大量的知識(shí)。”
Lowe 預(yù)見(jiàn) SiC 行業(yè)還有很長(zhǎng)的路要走,以推動(dòng)技術(shù)創(chuàng)新,同時(shí)削減成本和提高產(chǎn)量,這需要很大的耐心。
到目前為止,還沒(méi)有西方碳化硅供應(yīng)商向中國(guó)供應(yīng)碳化硅晶錠。Yole 的 Dogmus 觀察到:“一般來(lái)說(shuō),晶圓供應(yīng)商更愿意在內(nèi)部擁有‘神奇秘方’,并將其保存在增長(zhǎng)的國(guó)家/地區(qū)?!?/span>
Dogmus指出,鑒于中美之間的技術(shù)競(jìng)爭(zhēng),知識(shí)產(chǎn)權(quán)保護(hù)勢(shì)在必行。晶圓生產(chǎn)商必須擁有自己的配方和知識(shí)產(chǎn)權(quán)。知識(shí)產(chǎn)權(quán)將是所有新加入者的問(wèn)題,包括中國(guó)和歐洲。在制造設(shè)備領(lǐng)域,中國(guó)有多家熔爐和備件供應(yīng)商,這有助于中國(guó)新企業(yè)的發(fā)展和進(jìn)入。
圖片來(lái)源:Yole Intelligence

結(jié)語(yǔ)

如果碳化硅是一場(chǎng)持久戰(zhàn),那么中國(guó)可以通過(guò)培育其電力電子行業(yè)而占得先機(jī)。Yole報(bào)告說(shuō),由于沒(méi)有季度目標(biāo),中國(guó)有 大量的時(shí)間和金錢以及數(shù)百萬(wàn)熟練的員工,可以在SiC領(lǐng)域取得成功。在“脫鉤時(shí)代”, 全球SiC產(chǎn)業(yè)將呈現(xiàn)出兩個(gè)動(dòng)態(tài)并行發(fā)展的SiC生態(tài)圈。
本文編譯自The Ojo-Yoshida ReportSiC in China: ‘Poster Child of the Decoupling Era’作者:Junko Yoshidahttps://ojoyoshidareport.com/sic-in-china-poster-child-of-the-decoupling-era/


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