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MOS FET繼電器(無(wú)機(jī)械觸點(diǎn)繼電器)設(shè)計(jì)輸入側(cè)電源時(shí)的電流值概念

發(fā)布人:騰恩科技彭工 時(shí)間:2023-03-07 來(lái)源:工程師 發(fā)布文章

 

設(shè)計(jì)輸入側(cè)電源時(shí)的問(wèn)題

機(jī)械式繼電器、MOS FET繼電器分別具有不同的特長(zhǎng)?;趯?duì)MOS FET繼電器所具小型及長(zhǎng)壽命、靜音動(dòng)作等優(yōu)勢(shì)的需求,目前已經(jīng)出現(xiàn)了所用機(jī)械式繼電器向MOS FET繼電器轉(zhuǎn)化的趨勢(shì)。

但是,由于機(jī)械式繼電器與MOS FET繼電器在產(chǎn)品結(jié)構(gòu)上完全不同,所以設(shè)計(jì)時(shí)需注意的要領(lǐng)也自然不同。

機(jī)械式繼電器通過(guò)施加線圈電壓進(jìn)行驅(qū)動(dòng),而MOS FET繼電器則是電流驅(qū)動(dòng)。采用不同于機(jī)械式繼電器的結(jié)構(gòu),在投入電流時(shí),輸入側(cè)的LED將會(huì)發(fā)光,輸出側(cè)的PDA(光電二極管陣列)根據(jù)受光量進(jìn)行發(fā)電并施加電壓來(lái)驅(qū)動(dòng)MOS FET繼電器。因此,驅(qū)動(dòng)MOS FET繼電器需要向LED投入多少電流成為設(shè)計(jì)上需要解決的課題。

LED的光量會(huì)因各種原因而發(fā)生變化。電流值越大,光量也就越強(qiáng)。此外,光量還會(huì)因長(zhǎng)期使用所致老化而逐漸變?nèi)?。因此,要想長(zhǎng)期使用,則需對(duì)經(jīng)年老化時(shí)的發(fā)光量加以考量。此外,如果環(huán)境溫度較高,驅(qū)動(dòng)MOS FET所需的電壓也會(huì)變高,所以需要比日常溫度下更大的電流。

MOS FET繼電器無(wú)法投入超出額定值的電流。如果未在設(shè)計(jì)上正確加入此些要素,則會(huì)導(dǎo)致設(shè)備故障。

在這種輸入側(cè)的電源設(shè)計(jì)上,應(yīng)該存在各種令人煩惱的問(wèn)題。
這是因?yàn)槭褂昧?/span>LED,所以在設(shè)計(jì)上需要考量的事項(xiàng)與機(jī)械式繼電器時(shí)存在差異。

要領(lǐng)共有2個(gè)。

1. 周圍溫度環(huán)境的影響

2. LED的經(jīng)年老化

 

本次將介紹設(shè)計(jì)MOS FET繼電器輸入側(cè)電源時(shí)的電流值概念。

 

MOS FET繼電器相關(guān)回顧

首先,我們來(lái)回顧一下MOS FET繼電器的結(jié)構(gòu)和動(dòng)作原理。
MOS FET繼電器是一款組合了半導(dǎo)體單元(LED、PDA、MOS FET)、實(shí)現(xiàn)了繼電器功能的部件。

 

 

 

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如上所述,MOS FET繼電器通過(guò)向輸入側(cè)投入電流使LED發(fā)光,然后通過(guò)PDA將該光變?yōu)殡妷簛?lái)驅(qū)動(dòng)作為輸出單元的MOS FET執(zhí)行動(dòng)作。也就是說(shuō),需要設(shè)計(jì)向LED投入適用電流、使PDA可不斷受光的輸入側(cè)電源。

 

LED的經(jīng)年老化 , 對(duì)應(yīng)輸入側(cè)電流值的計(jì)算公式α1

LED會(huì)伴隨使用逐漸經(jīng)年老化。輸入側(cè)的電流越高,老化速度越快,因此需設(shè)計(jì)解決此問(wèn)題的輸入側(cè)電流值。此外,不同的MOS FET繼電器商品所搭載的LED種類不同,且經(jīng)年老化的速度也存在差異。

 

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有些客戶出于“只要所選高電流在額定電流范圍內(nèi)就不會(huì)產(chǎn)生運(yùn)行問(wèn)題”的觀念而在設(shè)計(jì)上選擇了高電流值,這種情況下將會(huì)存在不足。輸入側(cè)的電流基本直接流入LED,從而導(dǎo)致LED老化且發(fā)光量下降。結(jié)果可能會(huì)造成MOS FET繼電器無(wú)法正常運(yùn)行,甚至還可能導(dǎo)致LED損壞而使MOS FET繼電器無(wú)法運(yùn)行。因此,要想確保正常運(yùn)行且長(zhǎng)期使用,則需在設(shè)計(jì)上采用合理光量使LED發(fā)光,并向輸入側(cè)投入合理的電流。

 

 

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使用環(huán)境溫度的考量 ,對(duì)應(yīng)輸入側(cè)電流值的計(jì)算公式α2

LED的老化速度還會(huì)因使用的環(huán)境溫度條件而加速。使用的環(huán)境溫度越高,老化速度越快,所以應(yīng)基于這方面的考量設(shè)計(jì)輸入側(cè)的電流值。

 

 

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其他考量事項(xiàng) ,對(duì)應(yīng)輸入側(cè)電流值的計(jì)算公式α3

還有一點(diǎn),內(nèi)容并不僅限于我們的產(chǎn)品,同時(shí)也應(yīng)基于對(duì)客戶質(zhì)量的考量而采用確保安全的設(shè)計(jì)。這一點(diǎn)也希望在輸入側(cè)的電流值設(shè)計(jì)上得到反映。

 

輸入側(cè)電流值的計(jì)算公式

基于上述3點(diǎn)的考量,輸入側(cè)的電流值設(shè)計(jì)可能要求達(dá)到以下所示條件。動(dòng)作LED正向電流設(shè)計(jì)值=IFT×α1×α2(×α3)

 

IFT:觸發(fā)LED 正向電流???以商品目錄的最大額定值為基準(zhǔn)。

α1:LED的經(jīng)年變化率???根據(jù)產(chǎn)品型號(hào)(所用LED)而異。請(qǐng)參閱

α2:IFT的環(huán)境溫度變化???基于商品目錄的“觸發(fā)LED正向電流-環(huán)境溫度”圖表。

α3:安全系數(shù)???電源的差異及老化、其他。

 

例如:G3VM-61G3型,假設(shè)在最高85℃的環(huán)境溫度下使用時(shí),

 

IFT:0.2mA(最大額定值、25℃)

α1:基于10萬(wàn)小時(shí)后80%(減少20%)的LED預(yù)測(cè)經(jīng)年變化數(shù)據(jù)進(jìn)行設(shè)定? 1÷0.8=1.25(環(huán)境溫度升高后將會(huì)加速變化,所以在85℃的環(huán)境溫度下使用時(shí),40℃時(shí)的數(shù)據(jù)所示變化率也會(huì)增大,IF條件10mA也顯示在較低條件下使用時(shí)變化會(huì)變小?;趯?duì)該點(diǎn)的考量,本次設(shè)定為80%。)

α2:基于觸發(fā)LED正向電流-環(huán)境溫度圖表所示25℃和85℃環(huán)境溫度的數(shù)值設(shè)定變化率? 0.6mA÷0.2mA=3

 

動(dòng)作LED正向電流設(shè)計(jì)值=0.2mA×1.25×3(×α3)=約0.75mA(×α3)。

設(shè)計(jì)LED輸入電源時(shí),請(qǐng)務(wù)必基于對(duì)環(huán)境溫度影響、LED經(jīng)年老化影響的考量進(jìn)行設(shè)計(jì)。

 


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