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電子元器件高低溫存儲(chǔ)試驗(yàn)

發(fā)布人:chbdt1995 時(shí)間:2023-04-03 來(lái)源:工程師 發(fā)布文章

一、試驗(yàn)?zāi)康?/span>

高低溫測(cè)試又叫作高低溫循環(huán)測(cè)試,是環(huán)境可靠性測(cè)試中的一項(xiàng),試驗(yàn)?zāi)康氖窃u(píng)  價(jià)高低溫條件對(duì)裝備在存儲(chǔ)和工作期間的性能影響?;旧纤械漠a(chǎn)品都是在一定的溫度環(huán)境下存儲(chǔ)保存,或者工作運(yùn)行,因?yàn)楫a(chǎn)品在制造搬運(yùn)或儲(chǔ)存應(yīng)用時(shí)會(huì)面臨著各種各樣不同的溫濕度,氣候以及外界條件的等影響。電子產(chǎn)品高低溫實(shí)驗(yàn)是比較普遍的氣候環(huán)境適應(yīng)性試驗(yàn)檢測(cè)項(xiàng)目類型之一,高低溫試驗(yàn)尤為常見(jiàn)。

二、試驗(yàn)原理

高溫貯存是在試驗(yàn)箱內(nèi)模擬高溫條件,對(duì)元器件施加高溫應(yīng)力(不加電應(yīng)力),使得元器件體內(nèi)和表面的各種物理、化學(xué)變化的化學(xué)反應(yīng)速率大大加快,其失效過(guò)程也得到加速,使有缺陷的元器件能盡早暴露。

高溫貯存篩選的特點(diǎn):

① 對(duì)于工藝和設(shè)計(jì)水平較高的成熟設(shè)備,由于設(shè)備本身非常穩(wěn)定;優(yōu)點(diǎn)是操作簡(jiǎn)便易行??纱笈窟M(jìn)行試驗(yàn)篩選,投資少,篩選效果好,是目前常用的篩選試驗(yàn)項(xiàng)目。

② 通過(guò)高溫貯存還可以使元器件的性能參數(shù)穩(wěn)定下來(lái),減少使用中的參數(shù)漂移,三、試驗(yàn)設(shè)備

高低溫試驗(yàn)箱,適用產(chǎn)品零部件及材料在高溫、低溫(交變)循環(huán)變化的情況下,檢驗(yàn)其可靠性各項(xiàng)性能指標(biāo)的儀器設(shè)備。高溫時(shí)可測(cè)試產(chǎn)品零件、材料可能發(fā)生軟化、效能降低、特性改變、潛在破壞、氧化等現(xiàn)象。

四、暴露的缺陷

元器件的電穩(wěn)定性、金屬化、硅腐蝕和引線鍵合缺陷等。

五、注意事項(xiàng)

1.溫度-時(shí)間應(yīng)力的確定。

在不損害半導(dǎo)體器件的情況下篩選溫度越高越好,因此應(yīng)盡可能提高貯存溫度。貯存溫度需根據(jù)管殼結(jié)構(gòu)、材料性質(zhì)、組裝和密封工藝而定,同時(shí)還應(yīng)特別注意溫度和時(shí)間的合理確定。

有一種誤解認(rèn)為溫度越高、時(shí)間越長(zhǎng)篩選考驗(yàn)就越嚴(yán)格,這是錯(cuò)誤的。例如:如果貯存溫度過(guò)高、時(shí)間過(guò)長(zhǎng)則使器件加速退化以及對(duì)器件的封裝有破壞性,還有可能造成引線鍍層微裂及引線氧化,使得可焊接性變差。

確定溫度、時(shí)間對(duì)應(yīng)關(guān)系的原則是:保持對(duì)元器件施加的應(yīng)力強(qiáng)度不能變,即如果提高了貯存溫度,則應(yīng)減少貯存時(shí)間。

對(duì)于半導(dǎo)體器件來(lái)說(shuō),最高貯存溫度除了受到金屬與半導(dǎo)體材料共熔點(diǎn)溫度的限制以外,還受到器件封裝所用的鍵合絲材料、外殼漆層及標(biāo)志耐熱溫度和引線氧化溫度的限制。因此,金-鋁鍵合的器件最高貯存溫度可選用150 ℃,鋁-鋁鍵合最高可選用200 ℃,金-金鍵合器件最高可選用300 ℃。對(duì)電容器來(lái)說(shuō),最高貯存溫度除了受到介質(zhì)耐熱溫度限制外,還受到外殼漆層和標(biāo)志耐熱溫度以及引線氧化溫度的限制,某些電容器還受到外殼浸漬材料的限制,因此,電容器的最高貯存溫度一般都取它的正極限溫度。

2.高溫貯存多數(shù)在封裝后進(jìn)行,半導(dǎo)體器件也有在封裝前的圓片階段或鍵合后進(jìn)行,或封裝前后都進(jìn)行。

3.高溫貯存試驗(yàn)結(jié)束后,如須對(duì)元器件進(jìn)行測(cè)試對(duì)比,國(guó)軍標(biāo)中規(guī)定必須在96 小時(shí)內(nèi)測(cè)試完畢  


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