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RS瑞森半導(dǎo)體在汽車充電樁上的應(yīng)用

發(fā)布人:reasunos瑞森 時(shí)間:2023-04-17 來源:工程師 發(fā)布文章

一、前言

電樁按照技術(shù)分類,可分為交流充電樁也叫“慢充”,直流充電樁也叫“快充”,隨著我國新能源汽車市場的不斷擴(kuò)大,充電樁市場發(fā)展前景更加廣闊。目前充電樁的母線電壓范圍通常為400V~700V,但隨著快速充電的需求不斷增加,整個(gè)電壓平臺都會(huì)向 800~1000V以上提升,電壓等級提升的同時(shí)也凸顯了SiC功率器件的優(yōu)勢,下面參照瑞森半導(dǎo)體SiC功率器件系列產(chǎn)品做詳細(xì)介紹:

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二、產(chǎn)品應(yīng)用

目前市面上的充電樁分為五大應(yīng)用市場:公交、出租、網(wǎng)約、物流、個(gè)人,其中電動(dòng)公交充電站市場尤其突出。交流充電樁輸出單相/三相交流電通過車載充電機(jī)轉(zhuǎn)換成直流電給車載電池充電,功率一般較?。ㄓ?7kW、22kW、40kW 等功率),充電速度較慢,故一般安裝在小區(qū)停車場等地。直流充電樁則是直接輸出直流電給車載電池進(jìn)行充電,功率較大(有 60kW、120kW、200kW 甚至更高),充電速度較快,故一般安裝在高速公路旁的充電站。

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三、典型應(yīng)用拓?fù)鋱D

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四、典型應(yīng)用優(yōu)勢

隨著快速充電發(fā)展要求,加上對高效率、高功率密度以及低系統(tǒng)成本的要求,也加速推進(jìn)了三相解決方案的應(yīng)用。瑞森半導(dǎo)體的超結(jié)Cool MOSFET系列、SiC MOSFET系列、SiC SBD系列滿足充電樁高效率、高功率密度的性能要求。

超結(jié)Cool MOSFET系列:

  • 產(chǎn)品優(yōu)勢

    采用多層外延工藝,優(yōu)化了元胞結(jié)構(gòu),可靠性高,一致性好。

  • 產(chǎn)品特性:超小內(nèi)阻,超小封裝,超低結(jié)電容,EMI余量大,

    對標(biāo)英飛凌C3、 P6、 P7系列產(chǎn)品。


SiC MOSFET系列:

  • 產(chǎn)品優(yōu)勢

    基于國家軍標(biāo)生產(chǎn)線研制生產(chǎn),工藝穩(wěn)定,質(zhì)量可靠。

  • 產(chǎn)品特性:

    極低的門電荷(QG)、極低反向恢復(fù)的快速本征體二極管、可最大限度減少傳導(dǎo)損失,提供卓越的開關(guān)性能和強(qiáng)大的雪崩能力。

SiC SBD系列:

  • 產(chǎn)品優(yōu)勢

    極小的反向恢復(fù)電流、大幅降低開關(guān)損耗;低VF、高浪涌電流耐量,出色的熱管理、可降低冷卻要求;軍工民用考核標(biāo)準(zhǔn)。

  • 產(chǎn)品特性:

    GJB 7400-2011、器件參數(shù)一致性好;高頻率的運(yùn)行、能讓被動(dòng)元器件做得更小。

五、產(chǎn)品選型

瑞森半導(dǎo)體在充電樁產(chǎn)品應(yīng)用上主推如下產(chǎn)品選型表:




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