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導(dǎo)讀：近日中國電科公布一系列成果，顯示在國產(chǎn)碳化硅（SiC）設(shè)備及器件上取得突破。
圖：中電科55所生產(chǎn)線
4月17日，中國電科宣布旗下55所與一汽聯(lián)合研發(fā)的首款750V碳化硅功率芯片完成流片，首款全國產(chǎn)1200V塑封2in1碳化硅功率模塊完成A樣件試制。
報道稱，750V碳化硅功率芯片技術(shù)達到國際先進水平，目前已正式進入產(chǎn)品級測試階段。
在2in1碳化硅功率模塊項目中，雙方技術(shù)團隊圍繞新結(jié)構(gòu)、新工藝、新材料開展聯(lián)合攻關(guān)，實現(xiàn)芯片襯底與外延材料制備、芯片晶圓設(shè)計與生產(chǎn)、封裝結(jié)構(gòu)設(shè)計、塑封工藝開發(fā)與模塊試制等關(guān)鍵環(huán)節(jié)全流程自主創(chuàng)新。
圖：中電科SiC MOSFET產(chǎn)線（CCTV）
據(jù)CCTV報道，55所此前已在國內(nèi)率先突破了6英寸碳化硅MOSFET批產(chǎn)技術(shù)，碳化硅MOSFET器件在新能源汽車上批量應(yīng)用，裝車量達百萬輛，處于國內(nèi)領(lǐng)先地位，5G****用氮化鎵功率管和高線性二極管等系列產(chǎn)品性能及可靠性國內(nèi)領(lǐng)先。
同時，在SiC定制化和研發(fā)難度較高的設(shè)備端，中國電科48所研制的碳化硅外延爐出貨量同比大幅增長。
據(jù)悉，由于碳化硅材料高熔點、高密度、高硬度的特性，使芯片具備了耐高壓、耐高溫、低損耗等優(yōu)越性能，碳化硅外延生長爐是晶圓制造環(huán)節(jié)的專用核心裝備。
圖：中電科48所SiC外延生長設(shè)備
碳化硅外延生長爐，主要用于在碳化硅晶圓襯底上生長同質(zhì)外延材料，每一顆碳化硅芯片都是基于外延層制造的結(jié)晶。48所技術(shù)專家表示，碳化硅外延生長爐是承接襯底和芯片制造的關(guān)鍵環(huán)節(jié)，直接影響芯片的等級和良率。
早期國內(nèi)碳化硅外延片研究和生產(chǎn)幾乎全部依賴進口，48所通過自主研發(fā)，研制出完全對標國外設(shè)備性能的6英寸碳化硅外延爐，經(jīng)過用戶上線使用驗證，設(shè)備的技術(shù)指標均達到行業(yè)應(yīng)用的主流水平，有力支撐了國產(chǎn)碳化硅芯片產(chǎn)業(yè)的大規(guī)?？焖侔l(fā)展。
據(jù)報道，隨著國家第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心（湖南）的實體化運行，48所以外延、注入、氧化、激活等專用裝備為核心，結(jié)合立式擴散爐、PVD等通用設(shè)備和半導(dǎo)體芯片生產(chǎn)線建線經(jīng)驗，實現(xiàn)國內(nèi)唯一從碳化硅外延到芯片核心設(shè)備的全覆蓋，進一步助力國產(chǎn)碳化硅芯片制造“換道超車”。
