瑞薩推出用戶端時(shí)脈驅(qū)動(dòng)器和第3代RCD

瑞薩電子推出第三代DDR5暫存時(shí)脈驅(qū)動(dòng)器（RCD）和第一代用戶端時(shí)脈驅(qū)動(dòng)器（CKD）用于新興的服務(wù)器及用戶端DDR5 DRAM。藉由這些新的驅(qū)動(dòng)器IC，瑞薩成為一家為雙列直插式存儲(chǔ)器模塊（DIMM）、主板和嵌入式應(yīng)用提供完整DDR5存儲(chǔ)器界面產(chǎn)品組合的供應(yīng)商。

DDR5 RCD和DDR5 CKD IC使新一代DIMM的速度分別高達(dá)6400和7200 MT/s，高于目前的5600 MT/s。瑞薩第三代DDR5 RCD專為暫存式DIMM（RDIMM）而設(shè)計(jì)。CKD支持最高7200 MT/s的速度，并且是業(yè)界首款針對(duì)小型DIMM（SODIMM）、無緩沖DIMM（UDIMM）、高效能游戲DIMM和嵌入式等的一般用戶應(yīng)用。

Balaji Kanigicherla, Corporate Vice President and General Manager of the Advanced Mixed Signal and ASIC Solutions Division at Renesas表示，作為業(yè)界領(lǐng)先的存儲(chǔ)器界面產(chǎn)品供應(yīng)商，瑞薩將持續(xù)為存儲(chǔ)器生態(tài)系統(tǒng)做出貢獻(xiàn)以將效能和功耗提升至新的領(lǐng)域。藉由在制定和實(shí)現(xiàn)DDR5界面規(guī)范中所扮演的重要角色，瑞薩將持續(xù)成為全球領(lǐng)先的SOC和DRAM廠商在DIMM和系統(tǒng)級(jí)應(yīng)用方面的重要合作夥伴。

Dr. Dimitrios Ziakas, Vice President of Memory and IO Technologies at Intel表示，基于Intel Xeon平臺(tái)旨在支持存儲(chǔ)器密集型應(yīng)用，例如深度學(xué)習(xí)和機(jī)器學(xué)習(xí)的預(yù)測(cè)分析。第三代RCD是存儲(chǔ)器業(yè)界的一個(gè)重要里程碑，有助于滿足數(shù)據(jù)中心客戶對(duì)帶寬和容量擴(kuò)充的需求。用戶端時(shí)脈驅(qū)動(dòng)器是一項(xiàng)業(yè)界創(chuàng)舉，旨在進(jìn)一步增強(qiáng)用戶端DIMM。瑞薩和英特爾一直與業(yè)界合作，協(xié)助確保第三代RCD和用戶端時(shí)脈驅(qū)動(dòng)器的規(guī)范和實(shí)現(xiàn)，以滿足市場(chǎng)需求。

RCD驅(qū)動(dòng)器用于緩沖主機(jī)控制器和DRAM模塊之間的命令地址（CA）匯流排、芯片選擇和時(shí)脈信號(hào)，此外亦可當(dāng)成BCOM（緩沖通訊匯流排）用于LRDIMM的數(shù)據(jù)緩沖。新驅(qū)動(dòng)器將DFE（決策回授等化）分接點(diǎn)（taps）從4個(gè)增加到6個(gè)來改善DFE以提升接收器余裕，同時(shí)I2C和I3C的旁帶匯流排可提供對(duì)暫存器的直接存取控制。

CKD用于緩沖主機(jī)控制器和DRAM之間的時(shí)脈，這是對(duì)DDR5 DIMM在最高7200 MT/s運(yùn)作下的新要求，適用于用戶端DIMM和嵌入式等應(yīng)用。新的時(shí)脈驅(qū)動(dòng)器支持I2C和I3C旁帶存取以開啟非同步控制，提供對(duì)內(nèi)部控制暫存器的存取以設(shè)定元件功能，并適應(yīng)不同的SODIMM和UDIMM配置及嵌入式的應(yīng)用。

瑞薩已將RCD和CKD驅(qū)動(dòng)器與其他產(chǎn)品組合中的兼容元件互相搭配使用成為成功產(chǎn)品組合，例如CKD可與DDR5電源管理IC（PMICs）和串行存在檢測(cè)（SPD）集線器搭配。RCD也可與瑞薩的溫度傳感器、SPD Hub、PMICs和數(shù)據(jù)緩沖器搭配。成功產(chǎn)品組合是經(jīng)過技術(shù)審查的系統(tǒng)架構(gòu)，來自相互兼容的元件，這些元件可完美的搭配使用以帶來最佳化的低風(fēng)險(xiǎn)設(shè)計(jì)，進(jìn)而加快上市時(shí)間。瑞薩提供超過400種成功產(chǎn)品組合及各種元件，使客戶能夠加快設(shè)計(jì)過程并更快地將產(chǎn)品推向市場(chǎng)。