東芝推出用于工業(yè)設(shè)備的第3代碳化硅MOSFET,采用可降低開關(guān)損耗的4引腳封裝
2023年8月31日--東芝電子元件及存儲裝置株式會社(“東芝”)今日宣布,推出采用有助于降低開關(guān)損耗的4引腳TO-247-4L(X)封裝的碳化硅(SiC)MOSFET---“TWxxxZxxxC系列”,該產(chǎn)品采用東芝最新的[1]第3代碳化硅MOSFET芯片,用于支持工業(yè)設(shè)備應(yīng)用。該系列中五款額定電壓為650V,另外五款額定電壓為1200V,十款產(chǎn)品于今日開始批量出貨。
新產(chǎn)品是東芝碳化硅MOSFET產(chǎn)品線中首批采用4引腳TO-247-4L(X)封裝的產(chǎn)品,其封裝支持柵極驅(qū)動信號源極端使用開爾文連接,有助于減少封裝內(nèi)源極線電感的影響,從而提高高速開關(guān)性能。與東芝目前采用3引腳TO-247封裝的產(chǎn)品TW045N120C相比,新型TW045Z120C的開通損耗降低了約40%,關(guān)斷損耗降低了約34%[2]。這一改善有助于降低設(shè)備功率損耗。
使用SiC MOSFET的3相逆變器參考設(shè)計已在東芝官網(wǎng)發(fā)布。
東芝將繼續(xù)擴大自身產(chǎn)品線,進一步契合市場趨勢,并助力用戶提高設(shè)備效率,擴大功率容量。
使用新型SiC MOSFET的3相逆變器
使用SiC MOSFET的3相逆變器
簡易方框圖
? 應(yīng)用: - 開關(guān)電源(服務(wù)器、數(shù)據(jù)中心、通信設(shè)備等) - 電動汽車充電站 - 光伏變頻器 - 不間斷電源(UPS)
? 特性: - 4引腳TO-247-4L(X)封裝: 柵極驅(qū)動信號源極端使用開爾文連接,可降低開關(guān)損耗 - 第3代碳化硅MOSFET - 低漏源導(dǎo)通電阻×柵漏電荷 - 低二極管正向電壓:VDSF=-1.35V(典型值)(VGS=-5V)
? 主要規(guī)格: (除非另有說明,Ta=25℃)
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