業(yè)內(nèi)人士展望諾獎后量子點在顯示領(lǐng)域的未來
本文作者1:李良,澳門科技大學(xué)材料科學(xué)與工程系教授
本文作者2:鄭為霖,香港城市大學(xué)材料科學(xué)與工程系博士后
本文作者3:孔龍,上海交通大學(xué)環(huán)境科學(xué)與工程學(xué)院副研究員

2023 年諾貝爾化學(xué)獎于本周三揭曉,授予美國麻省理工學(xué)院教授蒙吉·G·巴文迪(Moungi G. Bawendi)、美國哥倫比亞大學(xué)教授路易斯·E·布魯斯 (Louis E. Brus)和美國納米晶體科技公司科學(xué)家阿列克謝·伊基莫夫(Alexey I. Ekimov),以表彰他們在量子點的發(fā)現(xiàn)與發(fā)展方面的貢獻(xiàn),架起了真實世界與“量子世界”的橋梁。

量子力學(xué)的基本原理是物體可以表現(xiàn)出波粒二象性。對于電子來說也是如此:與其他類型的波一樣,它們的頻率與其發(fā)出的光顏色有關(guān)。自 20 世紀(jì) 30 年代以來,科學(xué)家們就知道,將原子壓縮到足夠小的“容器”中可以提高電子的頻率,并改變材料吸收或****光的波長。該容器是一種晶體,被稱為量子點,因為它會觸發(fā)量子力學(xué)理論上的“波狀”行為[1]。
但這種想法仍然停留在理論上,因為科學(xué)家們不知如何將材料擠壓到量子效應(yīng)發(fā)揮作用的程度。20 世紀(jì) 70 年代,伊基莫夫開始研究如何通過加熱時間調(diào)控有色玻璃的色調(diào),他發(fā)現(xiàn)加熱時,玻璃內(nèi)部會形成氯化銅晶體,晶體越小,玻璃看起來就越藍(lán)。
幾乎同一時代,布魯斯在溶液中合成出硫化鎘晶體,并發(fā)現(xiàn)硫化鎘晶體具備尺寸依賴性的量子效應(yīng)。這是對量子效應(yīng)的首次觀察,據(jù)此可知量子效應(yīng)取決于尺寸,而不是材料的元素組成。憑借著對量子點的發(fā)現(xiàn),伊基莫夫與布魯斯榮膺此次諾貝爾化學(xué)獎。
盡管發(fā)現(xiàn)量子點,科學(xué)家們?nèi)孕枧宄绾慰刂七@種效應(yīng),以將其應(yīng)用于現(xiàn)實世界。于是,在 20 世紀(jì) 90 年代,巴文迪發(fā)明了一種巧妙的化學(xué)方法,在溶液中精確控制量子點的尺寸和表面,合成出具有卓越光學(xué)性能的量子點。這一突破徹底讓量子點走進(jìn)現(xiàn)實世界,使量子點在發(fā)光顯示,能源,生物醫(yī)學(xué)等諸諸多領(lǐng)域的應(yīng)用成為了可能。為此,巴文迪榮膺此次諾貝爾化學(xué)獎。
量子點的合成難題
量子點(quantum dot)是將激子束縛在空間三個維度方向上的半導(dǎo)體納米結(jié)構(gòu),且三個維度上的尺寸都不大于其對應(yīng)的半導(dǎo)體材料的激子玻爾半徑的兩倍,其納米尺寸常在 2-20nm 之間。量子點的****光譜可以通過改變其尺寸大小來控制,調(diào)整量子點的尺寸可以使其****光譜覆蓋整個可見光范圍,如下圖所示[2]。
然而,由于量子點尺寸極小,在合成上面臨著巨大的難題,集中體現(xiàn)在極難精確合成單分散且尺寸均一的量子點,同時合成的量子點表面時常出現(xiàn)不飽和鍵,缺陷以及雜質(zhì),這兩大難題極大的影響了量子點的物化性能,阻礙了量子點的后期應(yīng)用研究。1993 年巴文迪提出了一種生產(chǎn)高質(zhì)量 CdE(E = S、Se、Te)半導(dǎo)體量子點的“金屬有機(jī)物-配位溶劑-高溫”簡單路線[3]。該方法是膠體化學(xué)法合成量子點的里程碑式工作,基于熱配位溶劑注入來熱解有機(jī)金屬試劑,這提供了動力學(xué)上離散成核的可能并允許宏觀數(shù)量的量子點納米微晶的受控生長。
隨后,芝加哥大學(xué)瑪格麗特·A·海因斯(Margaret A. Hines)博士構(gòu)建了 CdSe/ZnS 核殼結(jié)構(gòu)量子點,有效鈍化了量子點表面的缺陷,極大的提升了量子點的光學(xué)性能[4],核殼結(jié)構(gòu)也成為了后期合成量子點鈍化表面缺陷及調(diào)光的常規(guī)手段。由于當(dāng)時巴文迪提出的合成路線使用了高毒性、具有爆炸性的原料——二甲基鎘,不利于大規(guī)模推廣。因此,時年在阿肯色大學(xué)化學(xué)系工作的彭笑剛教授深入研究了 Cd 系量子點的反應(yīng)機(jī)理,并提出以穩(wěn)定易得的氧化物或羧酸鹽為前體,開發(fā)出基于安全無毒的非配位溶劑的“綠色”合成路線[5-6],此合成路線使得量子點的合成逐漸走出實驗室,并在工業(yè)界得到廣泛推廣。受先驅(qū)們的鼓舞,后續(xù)科學(xué)工作者對量子點的生長機(jī)理、核殼結(jié)構(gòu)工程和表面配體化學(xué)等基礎(chǔ)科學(xué)問題進(jìn)行了廣泛深入地探索。這些基礎(chǔ)研究的進(jìn)展使得高質(zhì)量的量子點從 II-IV 族 CdSe 量子點逐步擴(kuò)大到其它種類半導(dǎo)體化合物,如 PbS 量子點、InP 量子點、CuInS2 量子點等。

量子點在顯示領(lǐng)域的應(yīng)用
量子點具有量子產(chǎn)率高、熒光****峰窄、顆粒小無散射損失和光譜可調(diào)等優(yōu)異的光電性能,作為理想的發(fā)光材料是世界各國在高色域、柔性和大面積顯示等領(lǐng)域競爭最激烈的新型材料之一。
量子點顯示以高清晰度、高動態(tài)范圍和逼真的顏色正掀起下一代分辨率革命,展示出在顯示領(lǐng)域極大的商業(yè)應(yīng)用前景。目前市場應(yīng)用的量子點顯示技術(shù)仍以傳統(tǒng)背光顯示(Liquid Crystal Display,LCD)與新型量子點材料的融合方式為主(下圖 2a),無法解決 LCD 技術(shù)固有的漏光、對比度低、可視角度差等問題。反觀量子點主動顯示技術(shù)(下圖 2b)—量子點電致發(fā)光器件(Quantum Dot Light Emitting Diodes,QLED)響應(yīng)速度快、視角廣、功耗低、輕薄,且色純度更高,色域更廣,成為了顯示領(lǐng)域最具潛力的技術(shù)之一。
當(dāng)前,QLED 顯示技術(shù)處于高速發(fā)展時期,全球眾多顯示領(lǐng)域公司,包括三星、Nanosys、納晶科技等均進(jìn)行戰(zhàn)略布局,斥資數(shù)億美元開展 QLED 研發(fā)。目前,QLED 的技術(shù)難點主要來自于兩個方面:其一,藍(lán)色 QLED 存在穩(wěn)定性差的問題;其二,QLED 封裝與后端集成工藝仍具有挑戰(zhàn)。也就是說,高效率穩(wěn)定藍(lán)色 QLED 的獲取以及 QLED 封裝與后端集成工藝,是整個量子點顯示產(chǎn)業(yè)鏈當(dāng)下最大的問題所在。


當(dāng)下,中國在傳統(tǒng)量子點材料(CdSe 和 InP 等)的專利申請比國外起步晚十余年。量子點技術(shù)的核心專利主要集中在 QD Vision、Nanoco、Nanosys 等國外公司,并在專利、價格和環(huán)保上設(shè)立了壁壘。在這種嚴(yán)峻的條件下,我國納晶科技、TCL 等公司以及眾多研究機(jī)構(gòu)奮起直追,在傳統(tǒng) Cd 系量子點領(lǐng)域不斷實現(xiàn)突破,在世界量子點產(chǎn)業(yè)中占據(jù)一席之地。
我國在傳統(tǒng) QLED 領(lǐng)域?qū)@季趾彤a(chǎn)業(yè)發(fā)展方面仍需孜孜不倦地探索,以實現(xiàn)傳統(tǒng)量子點的自我突破。當(dāng)前,Cd 系量子點的技術(shù)日趨成熟,對其合成工藝的進(jìn)一步簡化和完善,將有助于降低生產(chǎn)成本,同時,仍需破解 Cd 系藍(lán)光量子點器件效率和穩(wěn)定性問題。對于綠色環(huán)保的 InP 量子點合成及其顯示技術(shù),韓國三星公司已經(jīng)走在世界前列。但當(dāng)下的合成條件苛刻且昂貴,技術(shù)仍有卡點痛點,中國科學(xué)家仍有趕超三星的機(jī)會。這就迫切需要中國科研工作者深挖 InP 的生長機(jī)理,探索出一條“綠色廉價”的合成路線。同時,在完善 InP 量子點合成的基礎(chǔ)上,不斷優(yōu)化 InP 量子點的物化特性以及 LED 的結(jié)構(gòu)條件,力求制備出高效率穩(wěn)定的 InP 量子點 QLED,形成引領(lǐng)態(tài)勢。
鈣鈦礦量子點作為一種新型的量子點材料,具備缺陷容忍度高,制備簡單、成本低、易放大生產(chǎn)等特點,成為顯示領(lǐng)域基礎(chǔ)和應(yīng)用研究備受青睞的新興材料。國內(nèi)外在鈣鈦礦量子點方面的研究工作幾乎同時起步,有很大部分相關(guān)合成技術(shù)和知識產(chǎn)權(quán)集中在中國,部分研究處于領(lǐng)先水平。因此,鈣鈦礦量子點電致發(fā)光器件(PeQLED)是我國在顯示領(lǐng)域突破專利壁壘,實現(xiàn)彎道超車的重要選項之一。當(dāng)前,大量研究探索通過鈣鈦礦量子點材料合成改性及器件結(jié)構(gòu)設(shè)計優(yōu)化以提高 PeQLED 性能。得益于眾多研究者的關(guān)注與研究,PeQLED 的外量子效率(EQE)從 2014 年最初的 0.01%[9],在不到 10 年時間迅速提升到 25% 以上(下圖)[10],展示出其作為下一代顯示技術(shù)的巨大潛力。但是,受限于鈣鈦礦量子點本征穩(wěn)定性差等原因,導(dǎo)致其器件穩(wěn)定性與傳統(tǒng)量子點 QLED 的穩(wěn)定性相差甚大。如何進(jìn)一步提高 PeQLED 的工作壽命,是 PeQLED 實現(xiàn)其規(guī)?;虡I(yè)應(yīng)用亟待破解的瓶頸問題之一。

QLED 顯示能夠與量子點優(yōu)異的光學(xué)和電學(xué)特性結(jié)合,被視為下一代顯示技術(shù)的強(qiáng)有力競爭者。量子點作為新一代無機(jī)半導(dǎo)體材料,以其優(yōu)異的溶液加工性結(jié)合 QLED 顯示工藝可與柔性及輕質(zhì)塑料基板兼容,成為柔性顯示技術(shù)重要方向之一。此外,量子點可以通過與無真空打印技術(shù)(如噴墨打?。┘嫒?,為實現(xiàn)大面積顯示器的高速低成本制造提供了機(jī)會。隨著 TFT 背板高效電流驅(qū)動技術(shù)的發(fā)展,QLED 技術(shù)將帶來前所未有的高性價比、大面積、節(jié)能、寬色域、超薄和柔性顯示。
在這機(jī)遇與挑戰(zhàn)并存的情況下,迫切需要國家對量子點顯示領(lǐng)域的戰(zhàn)略部署與支持。中國學(xué)者需以嚴(yán)謹(jǐn)?shù)膽B(tài)度,創(chuàng)新的思路進(jìn)行原創(chuàng)引領(lǐng)性科技攻關(guān),去占領(lǐng)量子點顯示這座“高地”,也需要更多的中國企業(yè)對量子點領(lǐng)域的通力支持協(xié)作,共同做好專利布局,推動科技+產(chǎn)業(yè)融合發(fā)展,攜手開拓屬于我國的“顯示”版圖。
參考文獻(xiàn)1.https://www.nytimes.com/2023/10/04/science/nobel-prize-chemistry.html2.Zrazhevskiy P, Sena M, Gao X. Designing multifunctional quantum dots for bioimaging, detection, and drug delivery. Chem. Soc. Rev., 2010, 39(11): 4326-4354.3.Murray C B, Norris D J, Bawendi M G. Synthesis and characterization of nearly monodisperse CdE (E = sulfur, selenium, tellurium) semiconductor nanocrystallites. J. Am. Chem. Soc., 1993, 115(19): 8706-8715.4.Hines M A, Guyot-Sionnest P. Synthesis and characterization of strongly luminescing ZnS-capped CdSe nanocrystals[J]. J. Phy. Chem., 1996, 100(2): 468-471.5.Peng Z A, Peng X. Formation of high-quality CdTe, CdSe, and CdS nanocrystals using CdO as precursor. J. Am. Chem. Soc., 2001, 123(1): 183-184.6.Qu L, Peng Z A, Peng X. Alternative routes toward high quality CdSe nanocrystals. Nano Lett., 2001, 1(6): 333-337.7.https://matterchatter.wordpress.com/2015/01/25/quantum-dots-in-your-tv/8.Wang X, Bao Z, Chang Y C, et al. Perovskite quantum dots for application in high color gamut backlighting display of light-emitting diodes. ACS Energy Lett., 2020, 5(11): 3374-3396.9.Tan Z K, Moghaddam R S, Lai M L, et al. Bright light-emitting diodes based on organometal halide perovskite. Nat. Nanotechnol., 2014, 9(9): 687-692.10.Wan Q, Zheng W, Zou C, et al. Ultrathin Light-Emitting Diodes with External Efficiency over 26% Based on Resurfaced Perovskite Nanocrystals. ACS Energy Lett., 2023, 8(2): 927-934.
排版:劉雅坤
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