有關(guān)三星 1.4 納米工藝，首批細(xì)節(jié)浮出水面

三星是第一家在 2022 年中期推出依賴于環(huán)柵 (GAA) 納米片晶體管的工藝技術(shù)的公司，其 SF3E（也稱為 3 納米級(jí)環(huán)柵耳，3GAE）。該公司使用該技術(shù)制造各種芯片，但據(jù)信該節(jié)點(diǎn)的使用僅限于微型芯片，例如用于加密貨幣挖掘的芯片。明年，三星 計(jì)劃 推出 SF3 技術(shù)，該技術(shù)有望被更廣泛的應(yīng)用領(lǐng)域所采用。三星計(jì)劃在 2025 年推出其性能增強(qiáng)型 SF3P 技術(shù)，該技術(shù)專為數(shù)據(jù)中心 CPU 和 GPU 設(shè)計(jì)。 

同樣在 2025 年，三星預(yù)計(jì)將推出 SF2（2nm 級(jí)）制造工藝，該工藝不僅依賴 GAA 晶體管，還將采用背面功率傳輸，這在晶體管密度和功率傳輸方面帶來了巨大的好處， 也許在推出基于 GAA 的 SF3E 后三星生產(chǎn)節(jié)點(diǎn)的最大改革將發(fā)生在 2027 年，屆時(shí)三星的 SF1.4 技術(shù)將通過將納米片數(shù)量從 3 個(gè)增加到 4 個(gè)來獲得額外的納米片。

增加每個(gè)晶體管的納米片數(shù)量可以增強(qiáng)驅(qū)動(dòng)電流，從而提高性能。更多的納米片允許更多的電流流過晶體管，從而增強(qiáng)其開關(guān)能力和運(yùn)行速度。此外，更多的納米片可以更好地控制電流，這有助于減少漏電流，從而降低功耗。此外，改進(jìn)的電流控制還意味著晶體管產(chǎn)生的熱量更少，從而提高了功率效率。 

英特爾和臺(tái)積電都打算分別于 2024 年和 2025 年開始使用 GAA 晶體管及其 20A 和 N2（2 納米級(jí)）工藝技術(shù)。當(dāng)這些公司推出基于納米片的節(jié)點(diǎn)時(shí)，三星將在環(huán)柵晶體管方面擁有豐富的經(jīng)驗(yàn)，這可能對(duì)代工廠有利。

來源：車匯

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