NAND Flash，漲幅明顯

中國雙十一多數(shù)終端產(chǎn)品銷售平淡，但在記憶體三大原廠包括三星、SK海力士及美光大幅減產(chǎn)、控制產(chǎn)出下，記憶體現(xiàn)貨價漲勢持續(xù)。其中，NAND因虧損較嚴重，漲幅較為明顯。

依據(jù)InSpectrum最新報價顯示，在DRAM現(xiàn)貨報價方面，4Gb和8Gb DDR4近一周報價持平，近一月報價分別上漲3.03％和上漲1.97％。

在NAND Flash現(xiàn)貨價方面，256Gb和512Gb TLC Flash周報價，分別為持平和上漲4.12％，月報價分別漲15.25％和上漲27.78％。

在合約價方面，集邦預估，第四季DRAM報價季增3～8％，優(yōu)于第三季的0～5％跌幅；第四季NAND報價季增8～13％，也遠優(yōu)于第三季的5～10％跌幅。

就三大產(chǎn)業(yè)應用需求展望而言，PC和手機需求已落底，2024年需求可望轉為正成長，一般型伺服器需求，也將逐漸恢復，加計企業(yè)在AI伺服器投資持續(xù)，2024年伺服器需求將轉為正成長。

在產(chǎn)業(yè)供給方面，三大記憶體原廠的減產(chǎn)狀況，三星在第四季DRAM減產(chǎn)幅度達30％，SK海力士及美光減產(chǎn)幅度達20％，原廠對NAND的減產(chǎn)幅度更高，預計三大供應商減產(chǎn)將持續(xù)至2024年中，且資本支出和產(chǎn)出，將聚焦于利潤較佳產(chǎn)品，如高頻寬記憶體（HBM）和DDR5。

產(chǎn)業(yè)界人士認為，目前記憶體報價漲勢，主要有賴于供應商的減產(chǎn)，但伴隨手機、PC及伺服器三大終端需求緩步復蘇，將有助于記憶體產(chǎn)業(yè)供需結構和產(chǎn)業(yè)庫存改善，加計記憶體報價，不論是現(xiàn)貨價或是合約價，皆已轉為上漲循環(huán)，可正向看待后市。

價格上漲從 DRAM 延伸到 NAND

內(nèi)存價格的上漲趨勢從 DRAM 開始，現(xiàn)在已擴展到 NAND Flash。減產(chǎn)和需求復蘇相結合，實現(xiàn)了成功的扭虧為盈。預計三星電子和SK海力士的業(yè)績改善步伐也將加快。

市場研究公司TrendForce 11月9日表示，三星電子預計今年第四季度NAND價格將上漲10%至15%。預計明年上半年還會再增長 10% 至 20%。

NAND價格的實際上漲已經(jīng)開始。根據(jù)市場研究公司 DRAMeXchange 的數(shù)據(jù)，截至 10 月份，用于存儲卡和 USB 設備的通用 128 Gb NAND 價格已上漲 1.59%。這是自 2021 年 7 月以來的首次反彈。

盡管需求復蘇仍然緩慢，但減產(chǎn)推動了價格上漲。由于無法承受虧本銷售，供應商已將減產(chǎn)幅度擴大到低于成本的水平。事實上，據(jù)報道三星電子將在明年上半年將 NAND 產(chǎn)量削減幅度擴大到 40% 至 50%。

SK海力士在上個月的第三季度財報電話會議上表示，“NAND庫存高于DRAM。我們暫時將維持保守的 NAND 生產(chǎn)方式?！?/p>

此外，智能手機和個人電腦的出貨量也有增長的跡象。據(jù)KB證券預測，明年智能手機和PC出貨量將比上年增長5%，分別達到12億臺和2.6億臺。

對于智能手機而言，預期累積的換機需求以及中國手機市場需求的復蘇將推動增長。至于PC，預計由于2025年停止支持“Windows 10”的影響，企業(yè)將出現(xiàn)更換PC的需求。

尤其是美國持續(xù)實施的半導體制裁，導致中國移動企業(yè)增加庫存，被視為利好因素。隨著他們擴大訂單，這支撐了價格上漲。

隨著DRAM價格上漲，NAND價格上漲，三星電子和SK海力士的財務業(yè)績有望加速復蘇。

盡管截至今年第三季度，僅半導體行業(yè)的累計赤字就達到了 12.69 萬億韓元（96.8 億美元），但三星電子預計將出現(xiàn)顯著復蘇。雖然根據(jù)證券公司的平均預測，今年全年營業(yè)利潤的共識為7.23萬億韓元，但明年預計將飆升至33.9萬億韓元，增幅為368.7%。

預計 SK 海力士的營業(yè)利潤也將出現(xiàn)積極的轉變。今年營業(yè)赤字的共識是8.43萬億韓元，而明年的預期是利潤8.44萬億韓元。

來源：芯榜

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