索尼銀行投資三菱機(jī)電300億日元債券,擴(kuò)大SiC產(chǎn)能
1月15日,日本索尼銀行官網(wǎng)公布關(guān)于投資三菱電機(jī)株式會(huì)社發(fā)行綠色債券的公告稱,已經(jīng)投資了該債券,希望通過提高SiC功率半導(dǎo)體的產(chǎn)能,實(shí)現(xiàn)脫碳社會(huì)。
公告顯示,該綠色債券發(fā)行額度為300億日元,年限為5年,發(fā)行日為2023年12月18日。
三菱機(jī)電綠色債券框架
三菱電機(jī)株式會(huì)社是一家成立于1921年的通用電子制造商,致力于“半導(dǎo)體于器件”業(yè)務(wù)領(lǐng)域發(fā)展。三菱根據(jù)國(guó)際資本市場(chǎng)協(xié)會(huì) (ICMA)實(shí)施的“綠色債券原則2021” (Green BondPrinciples2021),制定了“綠色債券框架”。債券募集的資金將用于三菱機(jī)電碳化硅功率半導(dǎo)體制造相關(guān)的資本投資、研發(fā)、投融資。
根據(jù)三菱機(jī)電(上海)公司官網(wǎng)顯示,該公司計(jì)劃于2023年11月10日首次發(fā)行綠色債券,旨在擴(kuò)大SiC產(chǎn)能和建設(shè)工廠。發(fā)行日從2023年12月(計(jì)劃)開始。
三菱機(jī)電SiC產(chǎn)業(yè)布局
2023年3月14日,三菱機(jī)電宣布,截至2026年3月的五年期間,將把先前宣布的投資計(jì)劃增加一倍,達(dá)到約2600億日元,主要用于建設(shè)一個(gè)新的硅片工廠,以增加碳化硅SiC功率半導(dǎo)體的產(chǎn)量。根據(jù)該計(jì)劃,三菱電機(jī)預(yù)計(jì)將應(yīng)對(duì)電動(dòng)汽車對(duì)Sic功率半導(dǎo)體快速增長(zhǎng)的需求,以及新應(yīng)用市場(chǎng)的不斷擴(kuò)大,例如低能耗、高溫運(yùn)行或高速開關(guān)。
新的8英寸碳化硅芯片廠圖片
此次投資的追加部分(約1000億日元)主要將用于建造一座新的8英寸SiC晶圓廠和加強(qiáng)相關(guān)的生產(chǎn)設(shè)施。新工廠生產(chǎn)大直徑8英寸碳化硅芯片,計(jì)劃于2026年4月啟動(dòng)。此外,該公司將加強(qiáng)其6英寸SiC芯片的生產(chǎn)設(shè)施,以滿足日益增長(zhǎng)的需求。
同時(shí),三菱電機(jī)還將投資約100億日元建設(shè)一座新廠房,用于功率半導(dǎo)體的封裝和測(cè)試。將大大增強(qiáng)公司的開發(fā)能力,便于及時(shí)響應(yīng)市場(chǎng)需求進(jìn)行批量生產(chǎn)。其余200億日元全部是新的投資,將用于改進(jìn)設(shè)備、環(huán)境安排和相關(guān)業(yè)務(wù)。
2023年8月29日宣布,已在其功率器件制作所福山工廠完成了第一條12英寸硅晶圓生產(chǎn)線的建設(shè)。并且,通過樣品生產(chǎn)和測(cè)試,驗(yàn)證了該生產(chǎn)線加工的功率半導(dǎo)體芯片達(dá)到了所需的性能水平。
圖 12英寸硅片和阻抗測(cè)量設(shè)備與8英寸硅片(右) 來源:三菱機(jī)電官網(wǎng)
合作方面,2023年11月13日,三菱機(jī)電宣布與Nexperia合作開發(fā)SiC功率半導(dǎo)體。三菱電機(jī)將利用其寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù)為Nexperia開發(fā)和供應(yīng)SiC MOSFET芯片,用于開發(fā)SiC分立器件。
2023年10月10日,宣布投資Coherent的新SiC業(yè)務(wù),將SiC業(yè)務(wù)分拆成立新公司,并將投資5億美元(約750億日元)。Coherent一直是三菱電機(jī)的SiC襯底供應(yīng)商,此次投資旨在通過加強(qiáng)與Coherent的縱向合作,擴(kuò)大其SiC功率器件業(yè)務(wù)。
2023年7月28日宣布,已投資日本氧化鎵晶圓開發(fā)和銷售企業(yè)Novel Crystal Technology,今后將加快研究開發(fā)高性能低損耗氧化鎵功率半導(dǎo)體,氧化鎵(Ga2O3)有望實(shí)現(xiàn)更高的擊穿電壓和更低的功率損耗。
2026年6月1日,三菱電機(jī)與Coherent達(dá)成合作,擴(kuò)大生產(chǎn)200mm SiC功率器件。Coherent將為三菱電機(jī)未來新工廠生產(chǎn)的SiC功率器件供應(yīng)200mm n型4H-SiC襯底。
隨著新能源汽車市場(chǎng)的發(fā)展,碳化硅產(chǎn)能的需求也在不斷提升。在2023年期間,三菱機(jī)電一直在開發(fā)和提升SiC方面的技術(shù),同時(shí)也在新建工廠和與其他企業(yè)合作擴(kuò)大SiC產(chǎn)能。由于車規(guī)級(jí)的碳化硅功率器件的性能和可靠性要求很高,目前只有少數(shù)企業(yè)能提供。這些問題都會(huì)導(dǎo)致當(dāng)前碳化硅器件的供應(yīng)緊缺,各大廠商都在擴(kuò)產(chǎn)應(yīng)對(duì)產(chǎn)能需求。
來源:艾邦半導(dǎo)體網(wǎng)
*博客內(nèi)容為網(wǎng)友個(gè)人發(fā)布,僅代表博主個(gè)人觀點(diǎn),如有侵權(quán)請(qǐng)聯(lián)系工作人員刪除。