2nm制程大戰(zhàn)一觸即發(fā)。作者 | ZeR0
編輯 | 漠影
芯東西3月7日?qǐng)?bào)道，最近英特爾芯片制造業(yè)務(wù)一片向好，狀態(tài)可謂是春風(fēng)得意、喜上眉梢，一大原因是，價(jià)值近4億美元的全球第一臺(tái)High-NA EUV光刻機(jī)已經(jīng)進(jìn)入了英特爾的工廠。
為此，英特爾本周分享出史上最大拆箱視頻，興奮地向全世界分享這一重大喜訊。
這并不是英特爾第一次高調(diào)“炫富”了。今年1月首臺(tái)High-NA EUV光刻機(jī)的主要組件抵達(dá)時(shí)，英特爾就曬照并宣告：“這是新年最好的開端?！?/span>
為啥這么激動(dòng)？簡(jiǎn)而言之，High-NA EUV光刻機(jī)對(duì)于生產(chǎn)3nm及更先進(jìn)制程工藝的芯片舉足輕重，能夠大幅降低制造先進(jìn)制程芯片的復(fù)雜性，并提高產(chǎn)量、降低成本。這種先進(jìn)設(shè)備唯獨(dú)荷蘭光刻機(jī)霸主ASML能造出來，而且產(chǎn)量極低。臺(tái)積電、三星、英特爾、SK海力士等世界頭部邏輯芯片和存儲(chǔ)芯片制造商，為了率先并更多拿到ASML最先進(jìn)的光刻機(jī)爭(zhēng)得不可開交。
特別是正在大刀闊斧開拓代工業(yè)務(wù)的英特爾，目標(biāo)在2025年通過Intel 18A（相當(dāng)于1.8nm）制程節(jié)點(diǎn)重獲制程領(lǐng)先權(quán)，并成為全球第二大芯片代工商（也就是趕超三星），而率先拿到最先進(jìn)的芯片光刻技術(shù)對(duì)其吸引更多客源相當(dāng)有利。英特爾對(duì)這臺(tái)機(jī)器翹盼已久，早在2018年就下單訂購(gòu)了ASML試點(diǎn)的TWINSCAN EXE:5000光刻機(jī)。所以就出現(xiàn)了文章開頭提到的，英特爾隆重地接連分享High-NA光刻機(jī)TWINSCAN EXE:5200抵達(dá)工廠這個(gè)里程碑事件的物料，就差敲鑼打鼓放鞭炮奔走相告了。TWINSCAN EXE:5200具有0.55高數(shù)值孔徑和每小時(shí)超過200片晶圓的生產(chǎn)率，體型龐大，有3層樓那么高，運(yùn)輸總共需要13個(gè)卡車容量的集裝箱和250個(gè)板條箱，重量約33萬磅。
視頻顯示，一架貨機(jī)將集裝箱從荷蘭運(yùn)輸?shù)矫绹?guó)俄勒岡州波特蘭，然后由一輛運(yùn)貨卡車運(yùn)送了該設(shè)備的關(guān)鍵部件。
卡車將機(jī)器一路運(yùn)送到英特爾工廠。
在工廠等候已久的工程師們馬不停蹄立即開裝。
這臺(tái)機(jī)器完全安裝還需250名ASML和英特爾工程師大約耗費(fèi)6個(gè)月。安裝完畢后，工程師們要對(duì)機(jī)器進(jìn)行校準(zhǔn)，預(yù)計(jì)又需要幾周甚至幾個(gè)月的時(shí)間。High-NA EUV光刻機(jī)能以8nm分辨率來輸出光刻結(jié)果，與當(dāng)前單次曝光分辨率僅到13nm的EUV光刻機(jī)相比，這顯然是個(gè)巨大的進(jìn)步。
按計(jì)劃，英特爾會(huì)先通過其Intel 18A測(cè)試High-NA EUV光刻機(jī)的使用，將在2025年部署商用級(jí)Twinscan EXE:5200設(shè)備用于大批量生產(chǎn)Intel 14A（相當(dāng)于1.4nm）工藝技術(shù)。ASML此前宣布其下一代High-NA EUV光刻機(jī)的價(jià)格將是其當(dāng)前Low-NA EUV光刻機(jī)的兩倍以上，即大約3.8億美元。不過確切的價(jià)格取決于該設(shè)備的實(shí)際配置，英特爾CEO帕特·基辛格近期透露該機(jī)器的成本為“4億左右”。相比之下，現(xiàn)有Low-NA Twinscan NXE EUV系統(tǒng)的售價(jià)約為1.8億美元。ASML曾在2022年宣布，將在2027~2028年期間每年生產(chǎn)20臺(tái)High-NA EUV光刻設(shè)備。該公司還在今年早些時(shí)候透露，其High-NA EUV光刻機(jī)累計(jì)的訂單臺(tái)數(shù)已達(dá)到兩位數(shù)。
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