國際首次，我國成功研制出這一芯片！
加入技術(shù)交流群
4月18日，據(jù)電子科技大學(xué)信息與量子實(shí)驗(yàn)室消息，該實(shí)驗(yàn)室研究團(tuán)隊(duì)與清華大學(xué)、中國科學(xué)院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所合作，在國際上首次研制出氮化鎵量子光源芯片。這是電子科技大學(xué)“銀杏一號”城域量子互聯(lián)網(wǎng)研究平臺(tái)取得的又一項(xiàng)重要進(jìn)展，相關(guān)成果近日發(fā)表在《物理評論快報(bào)》上。
據(jù)了解，量子光源芯片是量子互聯(lián)網(wǎng)的核心器件，可以看作點(diǎn)亮“量子房間”的“量子燈泡”，可讓互聯(lián)網(wǎng)用戶擁有進(jìn)行量子信息交互的能力。研究團(tuán)隊(duì)通過迭代電子束曝光和干法刻蝕工藝，攻克了高質(zhì)量氮化鎵晶體薄膜生長、波導(dǎo)側(cè)壁與表面散射損耗等技術(shù)難題，在國際上首次將氮化鎵材料運(yùn)用于量子光源芯片。目前，量子光源芯片多使用氮化硅等材料進(jìn)行研制，與之相比，氮化鎵量子光源芯片在輸出波長范圍等關(guān)鍵指標(biāo)上取得突破，輸出波長范圍從25.6納米增加到100納米，并可朝著單片集成發(fā)展。來源：科技日報(bào)
*博客內(nèi)容為網(wǎng)友個(gè)人發(fā)布，僅代表博主個(gè)人觀點(diǎn)，如有侵權(quán)請聯(lián)系工作人員刪除。
