瞻芯電子第三代1200V SiC MOSFET工藝平臺正式量產

近日，上海瞻芯電子科技股份有限公司（簡稱“瞻芯電子”）基于第三代工藝平臺開發(fā)的1200V 13.5mΩ SiC MOSFET產品（IV3Q12013T4Z）通過了車規(guī)級可靠性(AEC-Q101)測試認證；同時，瞻芯電子第三代1200V SiC MOSFET工藝平臺正式量產，后續(xù)將依托浙江義烏的車規(guī)級碳化硅(SiC)晶圓廠推出更多第三代SiC MOSFET產品。

瞻芯電子的第三代1200V 13.5mΩ SiC MOSFET，現有3款產品：IV3Q12013T4Z，IV3Q12013BA，IV3Q12013BD，主要用于車載電驅動系統(tǒng)，憑借出色的性能表現，已獲得多家車載電驅動客戶的項目定點。

瞻芯電子第三代1200V SiC MOSFET特性第三代1200V SiC MOSFET仍為平面柵型MOSFET，相比第二代工藝，元胞的Pitch縮小了超過20%。同時在核心指標上，第三代產品在保證器件的耐壓和短路能力的前提下，將比導通電阻Rsp降低至2.5mΩ*cm2，達到國際第一梯隊的水平。同時，第三代產品的開關損耗，對比第二代產品進一步降低30%以上。而且，第三代產品的導通電阻Rds(on)的溫度系數明顯降低，在高溫運行情況下，導通電阻增加較少。如下圖所示，當Vgs=15V應用時，175°C時的Rds(on)對比25°C時的Rds(on)只有1.42倍；當Vgs=18V應用時，175°C時的Rds(on)對比25°C時的Rds(on)只有1.65倍。在可靠性方面，首款產品IV3Q12013T4Z不僅按照AEC-Q101標準完成了三批次可靠性認證，獲得車規(guī)級可靠性認證證書，而且通過了更嚴格的Beyond-AECQ可靠性考核，包括動態(tài)可靠性（D-HTRB，D-H3TRB，AC-BTI)，柵極負偏壓下的HTRB等。通過上述Beyond-AECQ和極限性能測試，充分驗證了第三代工藝平臺及產品在多種邊界工況下的穩(wěn)定性和魯棒性，為迎接市場考驗做好了充足的準備。

來源：瞻芯電子

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