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長江存儲起訴美光資助的咨詢公司及其副總裁,指控其散布虛假信息

發(fā)布人:芯智訊 時間:2024-07-13 來源:工程師 發(fā)布文章

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據(jù)“出口管制合規(guī)研究”消息顯示,今年6月份,國產(chǎn)存儲芯片廠商長江存儲(YMTC)在美國加利福尼亞州北區(qū)聯(lián)邦地區(qū)法院提起訴訟,指控受美光資助的丹麥咨詢公司Strand Consult及其副總裁羅絲琳·雷頓(Roslyn Layton)散布虛假信息,破壞長江存儲的市場聲譽和商業(yè)關(guān)系。

根據(jù)根據(jù)起訴書(案號5:24-cv-03454-SVK)顯示,長江存儲通過其律師事務(wù)所Latham & Watkins LLP表示,Strand Consult及其副總裁雷頓通過其運營的網(wǎng)站“China Tech Threat”上發(fā)布了多篇不實報道,對長江存儲及其產(chǎn)品進行惡意抹黑。比如,指控長江存儲與中國軍方有聯(lián)系,并暗示其產(chǎn)品可能被用于間諜活動等多項不實指控,嚴重損害了長江存儲公司的聲譽。

相關(guān)不實指控如下:

虛假關(guān)聯(lián):Strand Consult及其運營的“China Tech Threat”網(wǎng)站聲稱YMTC與中國軍方存在關(guān)聯(lián),甚至稱其為“Chinese Military Chip Maker”(中國軍用芯片制造商)。長江存儲堅決否認這一指控,指出公司既不為中國軍方提供技術(shù)或產(chǎn)品,也未被任何實體指示為軍方供應(yīng)。

誹謗性謠言:其網(wǎng)站上的一篇文章題為“China’s Army to Infiltrate iPhones with YMTC Chips”(中國軍隊通過長江存儲芯片滲透iPhone),聲稱YMTC的芯片可能會“竊取數(shù)據(jù)并傳輸至北京”,并且會“危害iPhone用戶的安全和隱私”。長江存儲反駁稱,這純屬無稽之談,因為存儲芯片僅能存儲數(shù)據(jù),而無法執(zhí)行代碼或進行無線通信。

商業(yè)抹黑:起訴書還提到,Strand Consult的“China Tech Threat”網(wǎng)站發(fā)布了一份題為《硅谷出賣:蘋果與中國軍用芯片制造商YMTC的合作如何威脅國家安全》的報告(Silicon Sellout: How Apple’s Partnership with Chinese Military Chip Maker YMTC Threatens National Security),呼吁蘋果公司終止與長江存儲的合作,并轉(zhuǎn)而采購美光(Micron)等美國供應(yīng)商的產(chǎn)品。報告還警告稱,蘋果與長江存儲的合作可能會導(dǎo)致非中國半導(dǎo)體制造商的退出。

長江存儲在起訴書中詳細描述了這些不實指控對公司的負面影響,稱這些虛假信息不僅嚴重損害了其在全球市場的聲譽,還對其商業(yè)關(guān)系造成了不可挽回的破壞。長江存儲強調(diào),作為全球3D NAND閃存市場的重要參與者,公司一直致力于技術(shù)創(chuàng)新和市場競爭,這些不實報道無疑是在阻礙公司前進的步伐。

長江存儲還提到,Strand Consult和雷頓的行為背后可能存在更深層次的市場競爭動機。根據(jù)長江存儲的調(diào)查,Strand Consult獲得了美光(Micron)的資金支持,而美光是長江存儲在全球3D NAND市場上的主要競爭對手之一。報告指出,美光等公司通過資助“China Tech Threat”這樣的平臺,試圖通過不正當(dāng)手段打壓競爭對手,維護自身的市場地位。

值得一提的是,在去年11月,長江存儲還在美國加州北區(qū)地方法院對美國美光科技公司(MICRON)和美光消費類產(chǎn)品事業(yè)部(MICRON CONSUMER PRODUCTS GROUP, LLC)(以下統(tǒng)稱“美光”)提起訴訟,指控美光侵犯了其8項與3D NAND相關(guān)的美國專利。

資料顯示,長江存儲科成立于2016年7月,總部位于“江城”武漢, 是一家專注于3D NAND閃存設(shè)計制造一體化的IDM集成電路企業(yè),同時也提供完整的存儲器解決方案。

2017年10月,長江存儲通過自主研發(fā)和國際合作相結(jié)合的方式,成功設(shè)計制造了中國首款3D NAND閃存。2019年9月,搭載長江存儲自主創(chuàng)新 Xtacking? 架構(gòu)的第二代TLC 3D NAND閃存正式量產(chǎn)。2020年4月,長江存儲宣布第三代TLC/QLC兩款產(chǎn)品研發(fā)成功,其中X2-6070型號作為首款第三代QLC閃存,擁有發(fā)布之時*業(yè)界*最高的I/O速度,最高的存儲密度和最高的單顆容量。

截至目前長江存儲已在武漢、北京等地設(shè)有研發(fā)中心,全球共有員工8000余人,其中研發(fā)工程技術(shù)人員6000余人。

作為國內(nèi)最大的3D NAND制造廠商,長江存儲經(jīng)過多年的發(fā)展,目前在技術(shù)上已經(jīng)達到了三星、SK海力士、美光等一線NAND技術(shù)廠商的水平,并且憑借創(chuàng)新的Xtacking架構(gòu)實現(xiàn)了存儲密度上的領(lǐng)先。不過,自去年以來,由于受到美方的打壓,無法獲取先進的美日荷設(shè)備,產(chǎn)能擴張受到了限制。

此次,長江存儲開始持續(xù)在境外通過法律武器維護自身權(quán)益,不僅反應(yīng)了自身技術(shù)的領(lǐng)先性以及經(jīng)營的正當(dāng)性,也體現(xiàn)了國內(nèi)受制企業(yè)敢于“亮劍”的精神。

編輯:芯智訊-浪客劍


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