3至5年內(nèi)中國芯片將沖破美國限制，應(yīng)用驅(qū)動(dòng)是我們的優(yōu)勢(shì)，封裝是彎道超車的機(jī)會(huì)

在近期的中國國際電視臺(tái)（CGTN）專訪中，中國半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)理事長、長江存儲(chǔ)董事長陳南翔就中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的現(xiàn)狀與未來展開了深入的討論。以下是對(duì)話的主要內(nèi)容整理：

陳南翔指出，盡管中國芯片產(chǎn)業(yè)尚未實(shí)現(xiàn)爆炸式增長，但這一天終將到來。他預(yù)測(cè)，在摩爾定律不再奏效的同時(shí)，中國將受益于新的封裝技術(shù)。憑借在應(yīng)用和封裝技術(shù)方面的優(yōu)勢(shì)，中國的芯片產(chǎn)業(yè)將在3至5年內(nèi)實(shí)現(xiàn)“爆炸式增長”，為中國克服美國的技術(shù)限制開辟道路。

在談到中國芯片產(chǎn)業(yè)能否追趕上西方時(shí)，陳南翔表示，中國的機(jī)會(huì)在于市場和消費(fèi)者在應(yīng)用上的創(chuàng)新。他提出，由于摩爾定律等技術(shù)路徑依賴的消失，中國應(yīng)該采取應(yīng)用驅(qū)動(dòng)的發(fā)展模式，利用中國市場的獨(dú)特優(yōu)勢(shì)，推動(dòng)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。

“因?yàn)楝F(xiàn)在是一個(gè)應(yīng)用為王的時(shí)代，此外以前大家注重的都是晶圓制造技術(shù)，而在當(dāng)下還需要最新的封裝技術(shù)的加持。比如當(dāng)前火熱的AI芯片都是需要最先進(jìn)的晶圓制造技術(shù)和最先進(jìn)的封裝技術(shù)的?！标惸舷枵f。

陳南翔回顧了中國在發(fā)展集成電路過程中走過的彎路，本質(zhì)上中國想要發(fā)展的是一種（芯片）產(chǎn)業(yè)，但是在過去，這一事情是交給大學(xué)、研究院、科學(xué)院來做，他們把這一研究做的更學(xué)術(shù)性，而中國現(xiàn)在需要的是一種產(chǎn)業(yè)，需要?jiǎng)?chuàng)新的產(chǎn)業(yè)、創(chuàng)新的服務(wù)以及創(chuàng)新的商業(yè)模式，從而轉(zhuǎn)變?yōu)樽罱?jīng)濟(jì)的商業(yè)價(jià)值，這是兩種完全不同的路徑。

他強(qiáng)調(diào)了從學(xué)術(shù)性研究轉(zhuǎn)向產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新、服務(wù)和商業(yè)模式的必要性，認(rèn)為中國現(xiàn)在需要的是一種能夠轉(zhuǎn)化為經(jīng)濟(jì)商業(yè)價(jià)值的產(chǎn)業(yè)模式。經(jīng)過長時(shí)間的摸索，中國已經(jīng)明白了什么樣的發(fā)展模式是注定要失敗的，并正在探索一種新的市場驅(qū)動(dòng)型產(chǎn)業(yè)模式。

談及封裝技術(shù)的重要性，陳南翔認(rèn)為，當(dāng)前三星、英特爾、臺(tái)積電等公司在3納米等技術(shù)節(jié)點(diǎn)上的定義各不相同，缺乏統(tǒng)一標(biāo)準(zhǔn)?！耙郧澳柖捎行У臅r(shí)候，在每一個(gè)節(jié)點(diǎn)上，大家都知道三年后如何發(fā)展、六年以后如何發(fā)展。但是在當(dāng)下再問大家這一節(jié)點(diǎn)在三年乃至六年后如何發(fā)展，大家很難說清楚?！?/span>

在當(dāng)前應(yīng)用為王的時(shí)代，陳南翔認(rèn)為，封裝技術(shù)將成為關(guān)鍵，其重要性或?qū)⒊骄A制造技術(shù)。這種技術(shù)態(tài)勢(shì)的轉(zhuǎn)變對(duì)中國而言是一個(gè)巨大利好，為中國實(shí)現(xiàn)“彎道超車”提供了機(jī)會(huì)。

陳南翔坦言，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)正面臨全國人民的期待，這增加了行業(yè)的曝光度和對(duì)人才的吸引力。同時(shí)，他也提到了來自媒體和公眾的壓力，希望公眾能夠理性、耐心地看待國內(nèi)半導(dǎo)體行業(yè)的發(fā)展，“這是一場馬拉松而非短跑競賽，希望大家給予足夠的時(shí)間和空間，讓產(chǎn)業(yè)能夠扎實(shí)地構(gòu)建基礎(chǔ)，才能展現(xiàn)其實(shí)力?！?/span>

他同時(shí)提到了長江存儲(chǔ)在面對(duì)美國制裁時(shí)的困境。在去年10月當(dāng)選為中國半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)理事長后，陳南翔就呼吁業(yè)界同舟共濟(jì)，攜手應(yīng)對(duì)來自美國的科技制裁。他表示，一些國家出于地緣政治考量，已經(jīng)破壞了芯片半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈的全球化體系，現(xiàn)在行業(yè)面臨巨大的不確定性，“再全球化”正在發(fā)生。

陳南翔認(rèn)為，芯片產(chǎn)業(yè)鏈將進(jìn)入“動(dòng)蕩且無序”的時(shí)刻。不僅沖擊現(xiàn)有的全球供應(yīng)鏈產(chǎn)業(yè)分工，甚至給產(chǎn)業(yè)發(fā)展模式帶來重大影響。 他提議，如果中國企業(yè)依法合規(guī)買到的設(shè)備不能交貨或者無法使用，廠家應(yīng)該設(shè)定一個(gè)時(shí)間回購設(shè)備，“我想做個(gè)呼吁，去建設(shè)你們的誠信，體現(xiàn)于你們的公平原則。就長江存儲(chǔ)來講，依法合規(guī)買回來的設(shè)備連零件也拿不到。如果是公平的話，應(yīng)該會(huì)設(shè)一個(gè)時(shí)間，把設(shè)備在新的條件下回購，這樣才公平?！?nbsp;

此外，陳南翔還提到了長江存儲(chǔ)對(duì)美光提起的專利侵權(quán)訴訟，指控這家美國公司侵犯了其11項(xiàng)專利，涉及3D NAND的各個(gè)方面。長江存儲(chǔ)請(qǐng)求法院下令，要求美光停止在美國銷售其閃存，并向其支付專利使用費(fèi)。 

長江存儲(chǔ)表示，美光的96層（B27A）、128層（B37R）、176層（B47R）和232層（B58R）3D NAND存儲(chǔ)器以及美光的部分DDR5 SDRAM產(chǎn)品（Y2BM系列）侵犯了其在美國提交的11項(xiàng)專利或?qū)＠暾?qǐng)，它們涵蓋了3D NAND和DRAM功能的基本方面。 

2022年底，美國商務(wù)部根據(jù)所謂的“證據(jù)”，以威脅其國家安全為由，將長江存儲(chǔ)列入了實(shí)體清單，使其不能從美國獲得128層及以上的3D NAND的晶圓制造設(shè)備和技術(shù)。 

這次起訴，并非長江存儲(chǔ)在美國的第一次“反擊”。2023年11月，長江存儲(chǔ)在美國加州北區(qū)地方法院，對(duì)美光及子公司美光消費(fèi)類產(chǎn)品事業(yè)部提起訴訟，指控美光侵犯8項(xiàng)與3D NAND Flash相關(guān)的美國專利。 

關(guān)于陳南翔

陳南翔，今年62歲，于2021年5月加入國內(nèi)存儲(chǔ)芯片企業(yè)“長江存儲(chǔ)”，出任長江存儲(chǔ)董事長、代理CEO。在此之前，陳南翔曾擔(dān)任紫光集團(tuán)聯(lián)席總裁、華潤微電子常務(wù)副董事長等職務(wù)，在華潤集團(tuán)工作18年，擁有電子科技大學(xué)半導(dǎo)體專業(yè)工學(xué)學(xué)士、航天711所大規(guī)模集成電路專業(yè)工學(xué)碩士、北京師范大學(xué)低能核物理研究所理學(xué)博士學(xué)位。