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SIM卡靜電放電防護(hù)方案

發(fā)布人:濤意隆 時(shí)間:2024-08-13 來源:工程師 發(fā)布文章

方案簡介

SIM卡,全稱為“用戶識(shí)別模塊”(Subscriber Identity Module),是移動(dòng)通信網(wǎng)絡(luò)中用于存儲(chǔ)用戶簽約信息的智能卡。SIM卡內(nèi)部包含有大規(guī)模集成電路,卡片內(nèi)部存儲(chǔ)了數(shù)字移動(dòng)電話客戶的信息、加密密鑰等內(nèi)容。當(dāng)手機(jī)開機(jī)時(shí),手機(jī)會(huì)讀取SIM卡中的信息,并將其發(fā)送給網(wǎng)絡(luò)運(yùn)營商進(jìn)行身份驗(yàn)證。驗(yàn)證通過后,用戶即可享受網(wǎng)絡(luò)運(yùn)營商提供的各種服務(wù)。一旦SIM卡從手機(jī)拔出,除了緊急呼叫外,手機(jī)將無法享受網(wǎng)絡(luò)運(yùn)營者提供的各種服務(wù)。

由于使用手機(jī)的過程中可能會(huì)出現(xiàn)插拔SIM卡的操作,有可能會(huì)帶來ESD損害,導(dǎo)致手機(jī)部分功能失效。怎么讓產(chǎn)品穩(wěn)定可靠的運(yùn)行,成為我們迫切需要處理的問題,常規(guī)的ESD靜電防護(hù)器件可能會(huì)影響數(shù)據(jù)的傳輸,造成音質(zhì)失真等現(xiàn)象;此方案采用集成多路ESD靜電二極管防護(hù)元器件,具有導(dǎo)通電壓精度高、響應(yīng)速度快、寄生電容值低、鉗位電壓低的特性,在不影響數(shù)據(jù)傳輸?shù)那疤嵯聺M足IEC61000-4-2 Level 4靜電放電防護(hù)需求,且做到成本最優(yōu)化。

引腳配置

image.png

 

Pin

名稱

功能描述

Pin

名稱

功能描述

1

VCC

電源輸入

2

RST

復(fù)位信號(hào)輸入

3

CLK

時(shí)鐘信號(hào)輸入

4

GND

5

VPP

編程電壓輸入

6

IO

串行數(shù)據(jù)輸入/輸出

 

按照SIM卡標(biāo)準(zhǔn)協(xié)議,SIM支持4種等級(jí):Class A、Class B、Class CClass D。其中前三類的數(shù)值符合 ISO/IEC 7816-3 [11],根據(jù)使用和儲(chǔ)存溫度進(jìn)行分類:Class A-40 °C to +85 °C )、Class B-40 °C to +105 °C)、Class C-40 °C to +125 °C),Class D ISO/IEC 7816-3 [11] 中規(guī)定值的進(jìn)一步發(fā)展。不同等級(jí)的VCC電壓不一樣,如下表所示:

 

Symbol

Minimum

Maximum

Unit

Class

Vcc

4.5

5.5

V

A

Vcc

2.7

3.3

V

B

Vcc

1.62

1.98

V

C

Vcc

1.1

1.3

V

D

 

應(yīng)用示例

image.png

針對(duì)SIM卡的靜電防護(hù)方案,我們提供三款防護(hù)器,可SEUC236T5V4U 、SEUC236T5V4UBSEUC236T5V4UC作為ESD防護(hù)器件。三款器件都為集成多路ESD靜電二極管防護(hù)元件,同時(shí)保護(hù)SIM卡的五個(gè)引腳免受靜電放電(ESD)低等級(jí)浪涌事件的沖擊與干擾。

三款器件都為低電容低鉗位電壓ESD保護(hù)器件,封裝都為SOT-23-6L,工作電壓都為5V,且符合IEC 61000-4-2 (ESD) Level 4 規(guī)范, ±15kV(空氣)和 ±8kV(接觸)下提供瞬變保護(hù)客戶可根據(jù)SIM卡的實(shí)際情況選擇器件。

 

型號(hào)參數(shù)

規(guī)格型號(hào)

方向

工作電壓(V)

IPP(A)

鉗位電壓(V)

結(jié)電容(pF)

封裝

SEUC236T5V4U

Uni.

5

4.5

12

0.6

SOT-23-6L

SEUC236T5V4UB

Uni.

5

5.5

14

0.6

SOT-23-6L

SEUC236T5V4UC

Uni.

5

15

22

1.5

SOT-23-6L

電氣特性表

 

At TA = 25 unless otherwise noted

Parameter

Symbol

Conditions

Min.

Typ.

Max.

Units

Reverse Stand-off Voltage

VRWM




5.0

V

Reverse Breakdown Voltage

VBR

IT=1mA

6.0



V

Reverse Leakage Current

IR

VRWM=5V



1.0

uA

Clamping Voltage

VC

IPP=1A; tp=8/20us


9.0

11.0

V

Clamping Voltage

VC

IPP=4.5A; tp=8/20us


12.0

15.0

V

Junction Capacitance

CJ

I/O to GND; VR=0V; f=1MHz


0.6

1.0

pF

Between I/O; VR=0V; f=1MHz


0.3

0.5

pF

表1 SEUC236T5V4U電氣特性表

 

Parameter

Symbol

Conditions

Min.

Typ.

Max.

Units

Reverse Stand-off Voltage

VRWM




5.0

V

Reverse Breakdown Voltage

VBR

IT=1mA

6.0



V

Reverse Leakage Current

IR

VRWM=5V



1.0

uA

Clamping Voltage

VC

IPP=1A; tp=8/20us


10.0

12.0

V

Clamping Voltage

VC

IPP=5.5A; tp=8/20us


14.0

17.0

V

Junction Capacitance

CJ

I/O to GND; VR=0V; f=1MHz


0.6

1.0

pF

Between I/O; VR=0V; f=1MHz


0.3

0.5

pF

表2 SEUC236T5V4UB電氣特性表

 

Parameter

Symbol

Conditions

Min.

Typ.

Max.

Units

Reverse Stand-off Voltage

VRWM




5.0

V

Reverse Breakdown Voltage

VBR

IT=1mA

6.0.



V

Reverse Leakage Current

IR

VRWM=5V



10

uA

Clamping Voltage

VC

IPP=1A; tp=8/20us


10.0

12.0

V

Clamping Voltage

VC

IPP=15A; tp=8/20us


22.0

25.0

V

Junction Capacitance

CJ

I/O to GND; VR=0V; f=1MHz


1.5

2.0

pF

Between I/O; VR=0V; f=1MHz


0.75

1.0

pF

表3 SEUC236T5V4UB電氣特性表

總結(jié)與結(jié)論

由于SIM卡在移動(dòng)通信和數(shù)字經(jīng)濟(jì)發(fā)展中的重要作用,保護(hù)SIM卡免受ESD靜電損害極為關(guān)鍵。ELECSUPER SEMI研發(fā)各種低電容低鉗位電壓的ESD保護(hù)器件,可按照客戶需求性能與封裝提供定制化開發(fā)服務(wù),為各種接口提供值得信賴的保護(hù)器件。以上解決方案是保護(hù)SIM卡的優(yōu)選之策,確保移動(dòng)通信的正常運(yùn)行。

 


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