中國公司打破索尼壟斷！業(yè)內(nèi)首顆，國產(chǎn)1.8億像素全畫幅CIS芯片成功試產(chǎn)！

8 月 19 日消息，晶合集成官方公眾號今日官宣，該公司與思特威聯(lián)合推出業(yè)內(nèi)首顆 1.8 億像素全畫幅（2.77 英寸）CIS（CMOS 圖像傳感器），為高端單反相機(jī)應(yīng)用圖像傳感器提供更多選擇。打破了日本索尼在超高像素全畫幅CIS領(lǐng)域長期壟斷地位，為本土產(chǎn)業(yè)發(fā)展貢獻(xiàn)力量。以下為晶合集成官方報道內(nèi)容：晶合集成在CMOS圖像傳感器（以下簡稱CIS）產(chǎn)品上持續(xù)加速推進(jìn)。近期，晶合集成與國內(nèi)先進(jìn)設(shè)計公司思特威聯(lián)合推出業(yè)內(nèi)首顆1.8億像素全畫幅（2.77英寸）CIS，為高端單反相機(jī)應(yīng)用圖像傳感器提供更多選擇，推動全畫幅CIS進(jìn)入發(fā)展新階段。（產(chǎn)品圖）
為滿足8K高清化的產(chǎn)業(yè)要求，高性能CIS的需求與日俱增。晶合集成基于自主研發(fā)的55納米工藝平臺，攜手思特威共同開發(fā)光刻拼接技術(shù)，克服了在像素列中拼接精度管控以及良率提升等困難，成功突破了在單個芯片尺寸上，所能覆蓋一個常規(guī)光罩的極限，同時確保在納米級的制造工藝中，拼接后的芯片依然保證電學(xué)性能和光學(xué)性能的連貫一致。
（拍攝樣圖）
首顆1.8億像素全畫幅CIS的成功試產(chǎn)，既標(biāo)志著光刻拼接技術(shù)在大靶面?zhèn)鞲衅黝I(lǐng)域的成功運用，也為未來更多大靶面全畫幅、中畫幅傳感器的開發(fā)鋪平了道路。同時，該產(chǎn)品具備1.8億超高像素 8K 30fps PixGain HDR模式高幀率及超高動態(tài)范圍等多項領(lǐng)先性能，創(chuàng)新優(yōu)化光學(xué)結(jié)構(gòu)，可兼容不同光學(xué)鏡頭，提升產(chǎn)品在終端靈活應(yīng)用的適配能力，打破了日本索尼在超高像素全畫幅CIS領(lǐng)域長期壟斷地位，為本土產(chǎn)業(yè)發(fā)展貢獻(xiàn)力量。

來源：EETOP

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